MOS 管的寿命受哪些因素影响？

深圳市阿赛姆电子有限公司2025-02-16

MOS 管的寿命受多种因素影响。首先是温度，过高的温度是影响 MOS 管寿命的主要因素之一。当 MOS 管工作时，由于导通电阻的存在，会产生功耗，导致芯片温度升高。高温会加速 MOS 管内部材料的老化，使栅极氧化物的绝缘性能下降，可能导致栅极漏电增加，甚至发生击穿。同时，高温还会使半导体材料的性能退化，导致导通电阻增大，进一步增加功耗，形成恶性循环。一般来说，工作温度每升高 10℃，MOS 管的寿命可能会缩短一半左右。其次是电气应力，包括过电压和过电流。当 MOS 管承受的电压超过其耐压值时，可能会发生击穿，即使是瞬间的过电压也可能对其造成不可逆的损坏。过电流会使 MOS 管的功耗急剧增加，产生大量热量，损坏内部结构。此外，开关次数也会影响 MOS 管的寿命。频繁的开关操作会使 MOS 管经历多次的电压和电流变化，在芯片内部产生热应力和机械应力，长期积累可能导致芯片的焊点开裂、内部连接线路断裂等问题，从而缩短 MOS 管的寿命。另外，环境因素如湿度、化学腐蚀等也会对 MOS 管产生影响，高湿度环境可能会导致引脚腐蚀，影响电气连接，化学腐蚀则可能损坏芯片的封装和内部结构。