北京高压绝缘陶瓷

氧化铝瓷 ：以氧化铝为主要原料,加入6～30%的粘土、氧化镁、氧化钙、氧化钛等烧结促进剂，混合后在1450～1800℃温度下烧结制成。氧化铝含量越多，越能发挥氧化铝的固有特性，性能愈好，但制造上也随氧化铝含量增加而变得困难。氧化铝瓷的特点是高温下仍具有良好的绝缘性能,纯氧化铝瓷可在800℃的温度下使用，其机械强度在所有氧化物系陶瓷中较高,其热导率大,耐热冲击能力强，可用于制造火花塞绝缘子、超高频大功率电真空器件的绝缘零件、电子管及整流器外壳、集成电路基片和雷达窗口等。高铝瓷可用来制造超高频、大功率电真空器件的绝缘零件。北京高压绝缘陶瓷

莫来石陶瓷（mullite Ceramic）是指主晶相为莫来石的陶瓷。莫来石是Al2O3一SiO2系中较少稳定的二元化合物，组成可在3Al2O3·2SiO2至2Al2O3·SiO2间变化， 即Al2O3含量可在71 .8一77.3wt%范围内波动。3Al2O·2SiO2是莫来石的化学计量成分和含量。莫来石陶瓷是主晶相为莫来石（3Al2O3·2SiO2）的一类陶瓷的总称。若以合成的超细高纯莫来石粉末制备出的不含玻璃相的莫来石瓷，又称新莫来石陶瓷，亦即高纯莫来石陶瓷 。若以高纯Al2O3粉体和高纯SiO2粉体进行反应烧结或由合成的超细高纯莫来石粉末制备出的不含玻璃相的莫来石瓷，则被称为高纯莫来石陶瓷。高纯莫来石是一种较好的耐火原料，它具有膨胀均匀、热震稳定性极好、荷重软化点高、高温蠕变值小、硬度大、抗化学腐蚀性好等特点。特别是高性能高纯莫来石陶瓷，在1300℃时抗弯强度达570MPa，断裂韧性KIC达5.7MPa，均比常温时高1.6倍，这种随温度升高、强度和韧性不仅不衰减反而大幅度提高，是高纯莫来石陶瓷作为高温材料较佳的特性 。上海高压绝缘陶瓷厂家推荐常见绝缘陶瓷：氮化硅陶瓷，氮化铝陶瓷，硼酸铅玻璃陶瓷，硼酸锡钡陶瓷，氧化铍陶瓷。

氮化硅陶瓷制备方法——热压烧结法（ HPS)：是将Si3N4 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结Si3N4 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在Si3N4 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的Si3N4系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对Si3N4 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能明显提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的Si3N4 陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4 要优异，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。

高铝瓷是高铝陶瓷的简称，通常为Al2O3含量大于75%以上的氧化铝瓷的统称。主晶相为α-Al2O3，所以也常用Al2O3含量的多少来命名，如含量为95%时称95瓷，含量为99%以上时为99瓷。制备工艺与氧化铝瓷同，现已能制出高纯度、高细度、高密度和高均匀度的氧化铝瓷。由于电性能与机械性能都好，是一种理想的高温、高频陶瓷材料和大功率厚膜电路的基片材料，也可用于陶瓷-金属封接材料等。高铝瓷材料是指化学成分中Al2O3含量大于75%的氧化铝瓷统称为高铝陶瓷(简称高铝瓷)。也有以其显微结构中主晶相(α-Al2O3)的矿物名称而命名，如刚玉瓷。氧化铝陶瓷的技术日渐的成熟，但有些指标还有待改善，这需要大家共同的研究。

Si3N4 陶瓷是一种重要的结构材料，它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应，抗腐蚀能力强，高温时抗氧化. 而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1,000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂. 正是由于Si3N4 陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、较久性模具等机械构件. 如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率. 中国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机。滑石瓷以天然矿物滑石为主要原料，以顽辉石为主晶相的陶瓷。天津绝缘陶瓷生产厂家

氧化铝瓷 ：以氧化铝为主要原料在1450～1800℃温度下烧结制成。北京高压绝缘陶瓷

氮化铝陶瓷是一种以氮化铝为主体的陶瓷材料，成品陶瓷件颜色通常为灰色或者灰白色，导热系数是氧化铝陶瓷的10倍，与金属导热性能相当；众所周知陶瓷的电阻率高，8.561MHz的介电常数损耗小，能够承受2000℃以上的高温，体积密度在3.335g/cm³，化学稳定性达到了0.97mg/cm³，能够有效抵抗氧化、水解带来的化学反应。氮化铝陶瓷片陶瓷应用在混合集成电路，传感器、片式电容、片式传感器、激光器载体、功率分配器、叉指电容和螺旋电感等电子元件中作为陶瓷导热散热材料，氮化铝陶瓷片具备高导热和高耐温的特点，具有良好的电气绝缘和化学稳定性，较低的介电常数和热膨胀系数，是大规模集成电路，半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。北京高压绝缘陶瓷