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时间:2024年03月05日 来源:

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    本发明提供如下技术方案:一种抛光减薄装置,包括:托盘,用于固定待加工部件,所述待加工部件包括inp基晶圆;喷头,用于向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,以对所述待加工表面进行抛光;磁转子,放置在所述待加工部件的待加工表面上,用于通过旋转对所述待加工表面进行机械研磨,对所述待加工表面进行减薄。可选地,还包括控制部件;所述控制部件与所述磁转子和所述喷头相连,用于控制所述喷头和所述磁转子交替工作,以对所述待加工表面交替进行抛光和减薄。可选地,所述磁转子包括截面为半圆形的柱状磁性结构和位于所述磁性结构底部的研磨层,以通过所述研磨层对所述待加工表面进行机械研磨。可选地,所述研磨层为金属氧化物层,所述金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地,还包括:热板,设置于所述托盘底部,用于对所述托盘进行加热,以使所述待加工部件与所述托盘键合固定。可选地,所述待加工部件与所述托盘通过光刻胶键合固定。一种抛光减薄方法,包括:将待加工部件固定在托盘上,所述待加工部件包括inp基晶圆;通过喷头向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,来对所述待加工表面进行抛光;通过磁转子旋转对所述待加工表面进行机械研磨。安徽性价比高的减薄用清洗剂销售公司专业减薄用清洗剂,为您解决生产中的涂层难题。

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    若干所述侧支撑件44固定设置在所述固定板423的端面上;所述固定板423两端均设置有至少两个固定卡块427,所述固定卡块427一般设置为矩形横截面结构,便于所述固定板423端面的朝向定位;对应的,所述调节槽内设置有固定槽426,当所述固定板423两端各自的两所述固定卡块427分别设置于对应的所述固定槽426内时,设置有所述侧支撑件44的端面对应所述竖直平板421上的所述侧支撑件44,且设置所述侧支撑件44的所述竖直平板421和所述固定板423设置在所述底支撑件43的两侧,从而实现对所述盛放部内玻璃的支撑限位。其中,如图3所示,所述侧板422上所述调节槽的一种实施方式为,所述调节槽包括若干水平槽424和与所述水平槽424均竖直贯通连接的竖直槽425,所述固定槽426设置于所述水平槽424的下边缘,所述固定槽426对应所述固定卡块427设置为u型槽,从而便于固定所述固定卡块427的摆放位置。所述水平槽424和所述竖直槽425的尺寸均对应所述固定卡块427的尺寸设置,使所述固定卡块427可在所述水平槽424和所述竖直槽425内自由移动。在本实施方式中,两所述竖直平板421中一所述竖直平板421上设置有所述侧支撑件44,同一所述水平槽424多只设置一个所述固定卡块427。哪里可以买到玻璃清洗剂;

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    本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。苏州哪家公司的减薄用清洗剂的价格比较划算?南通中芯国际用减薄用清洗剂销售价格

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    图1为本发明实施例提供的一种抛光减薄装置的结构示意图;图2为本发明实施例提供的一种托盘和待加工部件的键合固定方式示意图;图3为本发明实施例提供的一种磁转子的结构示意图;图4为本发明实施例提供一种磁转子的旋转方式的示意图;图5为本发明实施例提供的一种抛光减薄方法的流程示意图。具体实施方式以上是本发明的思想,为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。本发明实施例提供了一种抛光减薄装置,用于对inp基晶圆等部件进行抛光减薄,如图1所示,包括托盘10、喷头11和磁转子12,当然,本发明实施例中的抛光减薄装置还包括反应室13等,托盘10、喷头11和磁转子12等在反应室13内进行抛光和减薄反应。其中,托盘10,可选为石英托盘,用于固定待加工部件20,待加工部件20包括inp基晶圆。喷头11用于向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110,以对待加工表面进行抛光。嘉兴清洗效果好的减薄用清洗剂价格

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