南京真空烘箱腔体设计

真空腔体几种表面处理方法：

磁研磨抛光：磁研磨抛光是利用磁性磨料在磁场作用下形成磨料刷，对工件磨削加工。这种方法加工效率高、质量好，加工条件容易控制，工作条件好。采用合适的磨料，表面粗糙度可以达到Ra0.1μm。在塑料模具加工中所说的抛光与其他行业中所要求的表面抛光有很大的不同，严格来说，模具的抛光应该称为镜面加工。它不仅对抛光本身有很高的要求并且对表面平整度、光滑度以及几何精确度也有很高的标准。表面抛光一般只要求获得光亮的表面即可。镜面加工的标准分为四级：AO=Ra0.008μm，A1=Ra0.016μm，A3=Ra0.032μm，A4=Ra0.063μm，由于电解抛光、流体抛光等方法很难精确控制零件的几何精确度，而化学抛光、超声波抛光、磁研磨抛光等方法的表面质量又达不到要求，所以精密模具的镜面加工还是以机械抛光为主。 真空腔体是可以让物料在真空状态下进行相关物化反应的综合反应工具。南京真空烘箱腔体设计

真空腔体的使用条件及操作流程：

1、使用前须了解真空腔体的使用范围，实际使用不得大于范围的2/3，并且也不能大于表头量程的2/3。

2、将内衬放入釜之前，需注意搅拌磁子是否已放入，物料总体积不能大于装置体积的2/3。

3、加料时，物料尽量加到釜底，尤其催化剂应被原料或溶剂覆盖。

4、加料完毕，擦干净真空腔体及釜盖密封面，不能粘附其他杂质，避免密封不紧。

5、盖上釜盖，用扭力扳手按对角线方向多次逐步将螺母旋紧，严防用力不均，产生偏斜，损伤密封面。

6、上紧釜盖后，氨气或反应所用气体置换釜内空气，一般用10公斤压力需置换3次。置换时，注意要缓慢充放，避免反应物带出或飞溅。

7、置换好后，充入反应气至反应所需压力。开始搅拌，用听诊器原理听磁子转动情况，调整搅拌和压力釜，使转动适宜。带压工作的高压釜，严禁敲击和拧动螺母及接头。

8、反应结束后，取出釜，放置冷却。为了降低釜内温度，可以用冷水冷却。

9、反应结束后，一般需待压力降到常压后，再打开釜盖，开釜前须缓慢放空釜内气体，开釜螺栓时，在松动后，撬起釜盖，避免釜内剩余压力冲起釜盖。

10、整个反应过程，尽量保持真空腔体垂直，避免倾倒，一旦倾倒，须重新装料。 江西镀膜机腔体定制氩弧焊是指在焊接过程中向钨电极周围喷射保护气体氩气，以防止熔化后的高温金属发生氧化反应。

真空腔体检修过程中的要求：真空腔体工作时间久了，总会出现点问题，因此它在操作过程中需要注意的问题有很多。同时，还需要定期对其进行检修，检修过程中应满足以下要求：

一、要定期检查下揽拌轴的摆动里，如果发现摆动里较大，应及时拆开按照结构图拆换轴承及轴套。它所采用复合轴套或石墨轴套设计寿命为1—2年。为保障设备正常运转，厂家建议每年拆换1次。

二、拆卸以前应排尽真空腔体内的反应物料，并用对人无害的气波介质清洗干净。

三、高温高转速磁力揽拌器上部留有注油孔，是在停车时为轴承注入油脂设置的。只有待设备内卸去压力后才能使用，每次加入30—50CC。

四、检修真空腔体时，则不需打开釜盖，只要松开与釜盖联接的螺母。拆卸时应尽里避免铁及磁性材料等杂质进入内外磁钢的间隙。并保障内外磷钢与密封罩的同心度。安装时将螺栓均匀对称地上紧螺栓，且分2—3次扩紧，以免螺栓上偏，损坏密封垫片影响密封效果。

真空腔体几种表面处理方法：

化学抛光：化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解，从而得到平滑面。这种方法的主要优点是不需复杂设备，可以抛光形状复杂的工件,可以同时抛光很多工件，效率高。化学抛光的问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。

电解抛光：电解抛光基本原理与化学抛光相同,即靠选择性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。与化学抛光相比，可以消除阴极反应的影响，效果较好。

电化学抛光过程分为两步：（1）宏观整平溶解产物向电解液中扩散，材料表面几何粗糙下降，Ra>1μm。（2）微光平整阳极极化，表面光亮度提高，Ra＜1μm。 真空腔体由腔体、釜盖、夹套、搅拌器、传动装置、轴封装置、支承等组成。

高能电子衍射敏RHEED）高能电子衍射是常用的判断衬底及薄膜样品单晶程度的方法。高能电子衍射元件发出电子沿着需要观察的薄膜晶向掠入射在高能电子衍射屏涂有荧光粉）上形成电子衍射条纹。高能电子衍射元件和屏夹角约180度，连线经过中心点。因为薄膜为二维结构，所以其单晶晶格在倒易空间中表现为一系列的倒易棒，高能电子在倒易空间中表现为一个半径很大的球面。两者相切，即得到一系列平行的衍射条纹，间距由薄膜的晶格常数决定。这样的高能电子衍射条纹，就可以证明样品的单晶程度是否良好。真空系统是一种非常特殊的系统，其可以通过将系统中的气体抽出以及添加吸附剂等方式创建真空环境。武汉镀膜机腔体制造

在生物科技领域中，真空技术也具有重要的应用。南京真空烘箱腔体设计

不锈钢真空腔体功能划分集中，主要为生长区，传样测量区，抽气区三个部分。对于分子束外延生长腔，重要的参数是其中心点A的位置，即样品在生长过程中所处的位置。所以蒸发源，高能电子衍射（RHEED）元件，高能电子衍射屏，晶体振荡器，生长挡板，CCD，生长观察视窗的法兰口均对准中心点。蒸发源：由钨丝加热盛放生长物质的堆塌，通过热偶丝测量温度，堆锅中的物质被加热蒸发出来，在处于不锈钢真空腔体中心点的衬底上外延形成薄膜。每个蒸发源都有其各自的蒸发源挡板控制源的开闭，可以长出多成分或成分连续变化的薄膜样品。南京真空烘箱腔体设计

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