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绝缘陶瓷又称装置陶瓷，用于在电子设备上安装、固定、保护元件，是通电导体的绝缘支撑和各种集成电路板的陶瓷。 介电常数小，介电损耗低，机械强度高，介电强度高，绝缘电阻和导热系数等。常用的绝缘陶瓷有氧化铝陶瓷、滑石陶瓷等。随着电子工业的发展，特别是随着厚膜、薄膜电路和微波集成电路的出现，对封装陶瓷和衬底提出了更高的要求，已有很多新品种，如氧化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化硼陶瓷等。目前正在研究氮化铝瓷和碳化硅瓷的发展，其共同特点是导热系数高。在许多工业领域，氧化铝绝缘陶瓷的应用较广。①氧化铝瓷器以α-氧化铝为主晶相，含有75%以上氧化铝的各种陶瓷。 具有优良的机电性能，是绝缘陶瓷应用较普遍的一种。也可用于制造超高频、大功率电气真空装置的绝缘部件、真空电容器的陶瓷封装、微波管的输出窗的陶瓷封装和各种陶瓷基板等。②滑石瓷以天然矿物滑石为主原料，以顽辉石为主结晶相的陶瓷。 介电性能优良，价格便宜。 缺点是热膨胀系数大，热稳定性差，强度低于氧化铝瓷。滑石瓷器普遍应用于带式开关、插座、可变电容器的接头和轴、瓷板、线圈骨架、可变电感骨架等的制造。滑石瓷缺点是热膨胀系数较大，热稳定性较差，强度比高铝瓷低。芜湖悬式绝缘陶瓷厂家推荐

莫来石陶瓷具有高熔点、抗蠕变性、低膨胀系数、抗热震性及抗腐蚀性优良的特点 莫来石耐火砖可用作各种高温窑炉的内衬，包括熔炉窑、鼓风炉，炽热铁浇槽及连续铸炉等内衬材料。口本已将奠来石耐材用在控制熔融钢水流动的旋转阀出口的 下部位内衬。据说富铝莫来石中硅含有10-40%的富铝莫来石，较大改善了抗热震性能。此外，它还普遍用于水泥高温煅烧区域的内衬。莫来石吸光性能高于尖晶石、蓝宝石等材料。在用于化学条件苛刻的且承受高温机械应用环境下的窗口材料中，莫来石是优良的透过红外线的材料 。青岛高温绝缘陶瓷供应商氧化铝含量越多，越能发挥氧化铝的固有特性，性能愈好，但制造上也随氧化铝含量增加而变得困难。

氮化铝陶瓷 （Aluminum Nitride Ceramic）是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。结构：AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。性能指标：(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；(5)光传输特性好；(6)无毒。

高铝瓷制造工艺：1.原料的选用。生产高铝瓷所用的原料是工业氧化铝，它是将矿产铝矾土用碱法或酸法处理而得。工业氧化铝含量大于98.6%。为防止瓷件电性能的降低，Na2O杂质的含量应小于0.5%~0.6%，Fe2O3杂质的含量应小于0.04 %。2.粉碎及配料。将粉料加水进行湿法球磨，以获得细的颗粒，粒度为0.15~1.2μm。球磨后真空吸滤脱水，再过筛。然后，引人少量添加剂(氧化镁)，以降低烧结温度。较后，加以搅拌。使之获得更为均匀的粉粒。3. 添加粘结剂。为提高配料粉粒间的粘结能力，必须添加少量的粘结剂，以提高粉粒间的结合力。常用的粘结剂有甘油、石蜡、二油脂酸等。4.成型。将加有粘结剂的粉料加工成一定几何形状的半成品。一般采用注浆法，压力成型法或塑性料团成型法。由于氧化铝陶瓷材料硬度较高，需用更硬的研磨抛光砖材料对其作精加工。

氧化铝陶瓷作为先进陶瓷中应用较广的一种材料，伴随着整个行业的发展呈现以下发展趋势：（1）技术装备水平将快速提高： 计算机技术和数字化控制技术的发展促进了先进陶瓷材料工业的技术进步和快速发展，诸如自动控制连续烧结窑炉、大功率大容量研磨设备、高性能制粉造粒设备等净压成型设备等先进的成套设备有利地推动了行业整体水平的提高，同时在生产效率、产品质量等方面也都明显改善；（2）产品质量水平不断提高：国内微晶氧化铝陶瓷制品从无到有，产业规模从小到大，产品质量从低到较高，经历了一个快速发展的历程；（3）产业规模将迅速扩大：微晶氧化铝陶瓷制品作为其它行业或领域的基础材料，受着其它行业发展水平的影响和限制。从氧化铝陶瓷的应用情况看，应用范围越来越宽，用量越来越大，特别是在防磨工程和建筑陶瓷生产方面的用量增加将更为明显。氮化物绝缘陶瓷指氮化硅结合碳化硅材料。武汉电器绝缘陶瓷

高频绝缘陶瓷在电子设备中用于安装、固定、保护元件，作为载流导体的绝缘支撑以及各种集成电路基片的陶瓷。芜湖悬式绝缘陶瓷厂家推荐

氮化硅陶瓷工艺方法：它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，这时整个坯体已经具有一定的强度。然后在1350℃～1450℃的高温炉中进行第二次氮化，反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度99%的氮化硅。对于Si3N4以及Sialon陶瓷烧结体，现已提供了一种不用形成复合材料而保持单一状态的、利用超塑性进行成型的工艺，并提供了一种根据该工艺成型出的烧结体。把相对密度在95%以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小于10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成型。成型后的烧结体特别在常温下具有优异的机械性能。芜湖悬式绝缘陶瓷厂家推荐