重庆高压绝缘陶瓷厂家

高铝瓷制造工艺：1.原料的选用。生产高铝瓷所用的原料是工业氧化铝，它是将矿产铝矾土用碱法或酸法处理而得。工业氧化铝含量大于98.6%。为防止瓷件电性能的降低，Na2O杂质的含量应小于0.5%~0.6%，Fe2O3杂质的含量应小于0.04 %。2.粉碎及配料。将粉料加水进行湿法球磨，以获得细的颗粒，粒度为0.15~1.2μm。球磨后真空吸滤脱水，再过筛。然后，引人少量添加剂(氧化镁)，以降低烧结温度。较后，加以搅拌。使之获得更为均匀的粉粒。3. 添加粘结剂。为提高配料粉粒间的粘结能力，必须添加少量的粘结剂，以提高粉粒间的结合力。常用的粘结剂有甘油、石蜡、二油脂酸等。4.成型。将加有粘结剂的粉料加工成一定几何形状的半成品。一般采用注浆法，压力成型法或塑性料团成型法。高频绝缘陶瓷具有较高的介电强度、绝缘电阻和热导率等。重庆高压绝缘陶瓷厂家

Si3N4 陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料，较能发挥优势的是其在高温领域中的应用。Si3N4 今后的发展方向是：⑴充分发挥和利用Si3N4 本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4 粉末烧结时，开发一些新的助熔剂，研究和控制现有助熔剂的较佳成分；⑶改善制粉、成型和烧结工艺； ⑷研制Si3N4 与SiC等材料的复合化，以便制取更多的高性能复合材料。Si3N4 陶瓷等在汽车发动机上的应用，为新型高温结构材料的发展开创了新局面。汽车工业本身就是一项集各种科技之大成的多学科性工业，中国是具有悠久历史的文明古国，曾在陶瓷发展史上做出过辉煌的业绩，随着创新开放的进程，有朝一日，中国也必然跻身于世界汽车工业大国之列，为陶瓷事业的发展再创辉煌。哈尔滨高温绝缘陶瓷报价高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99．9%以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达1650—1990℃。

氮化硅陶瓷制备方法：Si3N4 陶瓷的制备技术在过去几年发展很快，制备工艺主要集中在反应烧结法、热压烧结法和常压烧结法、气压烧结法等类型. 由于制备工艺不同，各类型氮化硅陶瓷具有不同的微观结构（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶间形貌以及晶间第二相含量等）。因而各项性能差别很大 。要得到性能优良的Si3N4 陶瓷材料，首先应制备高质量的Si3N4 粉末. 用不同方法制备的Si3N4 粉质量不完全相同，这就导致了其在用途上的差异，许多陶瓷材料应用的失败，往往归咎于开发者不了解各种陶瓷粉末之间的差别，对其性质认识不足。一般来说，高质量的Si3N4 粉应具有α相含量高，组成均匀，杂质少且在陶瓷中分布均匀，粒径小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的Si3N4 粉中α相至少应占90%，这是由于Si3N4 在烧结过程中,部分α相会转变成β相，而没有足够的α相含量，就会降低陶瓷材料的强度。

氧化铝陶瓷制品的成形方法有干式冲压、浆料注入、冲压、冷等静压、注射、流延、热压、热等静压成形等多种方法。近年来，国内外开发了压力过滤器成形、直接凝固注射成形、凝胶注射成形、离心注射成形和固体自由成形等成形技术方法。产品根据形状、尺寸、复杂形状和精度的产品需要不同的成形方法。成型氧化铝陶瓷方法多种多样，例如有挤压、注射、干式冲压、热压等多种成型方法，近年来国内外开发了很多新的成型技术，根据产品的形状和尺寸这里介绍两种较常用的成形技术。注浆成型法​：这是氧化铝陶瓷的靠前种成形技术，适用于比较便宜、外形复杂、尺寸大的工件。这种成型方法的氧化铝浆通常以水为介质添加粘合剂和反絮凝剂，研磨后排气，较终导入石膏模体内。对于中空浆料，在使模壁吸附足够厚度的浆料时，需要排出多馀的浆料，减少坯料的收缩量，因此选择浓度尽可能高的浆料。氧化铝瓷的特点是高温下仍具有良好的绝缘性能。

氧化铝陶瓷分为高纯型与普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99．9%以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达1650—1990℃，透射波长为1～6μm，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚；利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；85瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属封接，有的用作电真空装置器件。高铝瓷也可用来制造真空电容器的陶瓷管壳、微波管输能窗的陶瓷组件和多种陶瓷基片等。芜湖真空绝缘陶瓷销售厂家

高铝瓷材料由于其优良性能，在真空断路器灭弧室作壳体材料。重庆高压绝缘陶瓷厂家

氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上较坚硬的物质之一。具有**度、低密度、耐高温等性质。Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物，基本结构单元为[ SiN4 ]四面体，硅原子位于四面体的中心，在其周围有四个氮原子，分别位于四面体的四个顶点，然后以每三个四面体共用一个原子的形式，在三维空间形成连续而又坚固的网络结构。它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种高性能电绝缘材料。重庆高压绝缘陶瓷厂家