高频绝缘陶瓷批发厂家

现代微电子高新技术的关键是解决微电子封装技术材料。计算机系统对高性能封装要求越来越高，陶瓷基片面临新的需求。由于高性能封装的陶瓷材料的介电常数被要求很低．封装尺寸大时，密度越高，对陶瓷材料要求愈高，低的介电常数可导致信号迅速传递。纯莫来石材料信号传递时间比Al 陶瓷基板约低14% 如采用莫来石一玻璃及堇青石复合材料，传递时间会进一步降低。日本的日立公司研制的超级计算机中即采用了这种奠来石～玻璃复合材料。在AIN(氮化铝)基片中奠来石陶瓷材料曾成功用作其外罩用封装材料。滑石瓷普遍用于制造波段开关、插座、可调电容器的定片和轴、瓷板、线圈骨架、可变电感骨架等。高频绝缘陶瓷批发厂家

氮化硅陶瓷制备方法——热压烧结法（ HPS)：是将Si3N4 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结Si3N4 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在Si3N4 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的Si3N4系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对Si3N4 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能明显提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的Si3N4 陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4 要优异，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。绝缘陶瓷报价有些氧化铝陶瓷材料在完成烧结后，尚需进行精加工。

美国在九十年代初研制低热膨胀、低热损耗的先进陶瓷发动机时，曾把莫来石列为主要候选材料。我国研制的莫来石陶瓷缸盖底板在沙漠车上试用成功，初步显示该材料较好的应用前景。德国采用铝硅酸盐长纤维增韧的莫来石复合材料曾在螺旋桨飞机的排气装置上测试使用获得成功；日本曾用莫来石陶瓷材料制成传送带以取代隧道窑中的不锈钢传送带。莫来石陶瓷还普遍应用于金属熔融坩埚、高温防护管以及热电偶保护管等耐热材料，证明其对高温气体抗腐蚀性优于氧化铝陶瓷，而且气密性好，作为高温工程材料，特别适用于制作高温保护管。

莫来石陶瓷与氧化铝陶瓷有什么区别：莫来石陶瓷(mullite Ceramic)，指主晶相为莫来石的陶瓷。莫来石是A12O3一SiO2系中较少稳定的二元化合物，组成可在3 A12O3·SiO2至2 A12O3·SiO2间变化， 即A1203含量可在71 .8一77.3wt%范围内波动。A12O·2SiO2是莫来石的化学计量成分和含量。莫来石陶瓷主要有普通莫来石瓷和高纯莫来石瓷。氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。主要区别在于： 硬度：氧化铝要比莫来石硬，不过二者都足够硬了，都不容易坏。 耐腐蚀性：莫来石耐酸不耐碱。常见绝缘陶瓷：氮化硅陶瓷，氮化铝陶瓷，硼酸铅玻璃陶瓷，硼酸锡钡陶瓷，氧化铍陶瓷。

氮化铝陶瓷 （Aluminum Nitride Ceramic）是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。结构：AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。性能指标：(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；(5)光传输特性好；(6)无毒。氧化铝陶瓷是一种以氧化铝（Al2O3）为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。芜湖电器绝缘陶瓷厂家定制

氧化铍瓷较大特点是热导率高。高频绝缘陶瓷批发厂家

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