浙江质量IGBT模块品牌

    若u参照图2，保护电路4包括依次相连接的电阻r1、高压二极管d2、电阻r2、限幅电路和比较器，限幅电路包括二极管vd1和二极管vd2，限幅电路中二极管vd1输入端分别接+15v电源和电阻r2，二极管vd1输出端与二极管vd2输入端相连接，二极管vd2输出端接地，高压二极管d2输出端与二极管vd2输入端相连接，二极管vd1输出端与比较器输入端相连接，放大滤波电路3与电阻r1相连接。放大滤波电路将采集到的流过电阻r7的电流放大后输入保护电路，该电流经电阻r1形成电压，高压二极管d2防止功率侧的高压对前端比较器造成干扰，二极管vd1和二极管vd2组成限幅电路，可防止二极管vd1和二极管vd2中间的电压，即a点电压u超过比较器的输入允许范围，阈值电压uref采用两个精值电阻分压产生，若a点电压u驱动电路5包括相连接的驱动选择电路和功率放大模块，比较器输出端与驱动选择电路输入端相连接，功率放大模块输出端与ipm模块1的栅极端子相连接，ipm模块是电压驱动型的功率模块，其开关行为相当于向栅极注入或抽走很大的瞬时峰值电流，控制栅极电容充放电。功率放大模块即功率放大器，能将接收的信号功率放大至**大值，即将ipm模块的开通、关断信号功率放大至**大值，来驱动ipm模块的开通与关断。 本模块长宽高分别为：25cmx8.9cmx3.8cm。浙江质量IGBT模块品牌

    本实用新型属于智能功率模块保护电路技术领域，涉及一种ipm模块短路检测电路。背景技术：ipm(intelligentpowermodule)，即智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且其内部还集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到cpu。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证ipm自身不受损坏。近年来，ipm模块已经在汽车电子、机车牵引和新能源等各个领域获得广泛的应用。随着ipm模块在各个领域的进一步应用，对ipm模块的及其应用的要求也进一步提高，由于大功率ipm模块通常工作在高压大电流的条件下，在系统运行的过程中，ipm模块会出现短路损坏的问题，严重影响其应用。因此，ipm模块的短路检测是其中的一项关键技术。由于ipm模块的开关速度越来越快，ipm模块发生短路时的电流是额定电流的4-6倍，如果不能快速的检测到短路故障,保护电路不能***时间进行器件保护，这将不可避免的导致ipm模块发生损坏，所以对ipm模块进行短路监测的精度要求肯定越来越高，而传统的ipm模块退饱和检测法的劣势将会越来越明显，由于设置的基准电压不准确更有可能导致退饱和短路检测方法下的误动作。 云南进口IGBT模块代理商IGBT模块的底部是散热基板，主要目的是快速传递IGBT开关过程中产生的热量。

    这主要是因为使用vce退饱和检测时，检测盲区(1-8微秒)相对较长，发射极电压检测阈值设置的相对较高，使检测效果并不理想。技术实现要素：本实用新型的目的是提供一种ipm模块短路检测电路，解决了现有ipm模块退饱和短路检测因检测盲区时间长，使ipm模块发生损坏的问题。本实用新型所采用的技术方案是，一种ipm模块短路检测电路，包括连接在ipm模块发射极端子与栅极端子之间的低阻值电阻r、放大滤波电路、保护电路和驱动电路，放大滤波电路采集放大电阻r的电流，保护电路将放大的电流信号转换为电压信号u，并与阈值电压uref进行比较，若u本实用新型的技术特征还在于，电阻r的阻值为～。保护电路包括依次相连接的电阻r1、高压二极管d2、电阻r2、限幅电路和比较器，限幅电路包括二极管vd1和二极管vd2，所述限幅电路中二极管vd1输入端分别接+15v电源和电阻r2，二极管vd1输出端与二极管vd2输入端相连接，二极管vd2输出端接地，高压二极管d2输出端与二极管vd2输入端相连接，二极管vd1输出端与比较器输入端相连接，所述放大滤波电路与电阻r1相连接。驱动电路包括功率放大模块。放大滤波电路的放大倍数为20倍。本实用新型的有益效果是。

    并通过所述第二门极压接式组件对所述第三导电片、钼片、银片、铝片施加压合作用力，所述第三导电片、钼片、银片、铝片依次设置于所述铜底板上。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，任一所述接头包括：螺栓和螺母，所述螺栓与螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的***导电片、第二导电片、瓷板进行固定。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的第三导电片、钼片、银片、铝片进行固定。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述***压块和第二压块上还设置有绝缘套管。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述外壳上还设置有门极铜排安装座。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的立式晶闸管模块通过设置***接头、第二接头和第三接头、封装于外壳内部的***晶闸管单元和第二晶闸管单元能够实现电力系统的多路控制，有效保证了电力系统的正常运行。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地。 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。

    它具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力，因而被应用于高压直流输电(HVDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。其研制水平大约为8000V/3600A。逆变晶闸因具有较短的关断时间(10～15s)而主要用于中频感应加热。在逆变电路中，它已让位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范围之内。5非对称晶闸是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例，是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比，它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点，主要用于逆变器和整流器中。目前，国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。 其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。云南进口IGBT模块代理商

从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件。浙江质量IGBT模块品牌

    下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。如图1所示，本发明的立式晶闸管模块包括：外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的***接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的***晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中，任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接，并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述***晶闸管单元包括：***压块7、***门极压接式组件8、***导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中，所述***压块7设置于所述***门极压接式组件8上，并通过所述***门极压接式组件8对所述***导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力，所述***导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。 浙江质量IGBT模块品牌