高压二极管批发

8550参数是一款PNP型的三极管，它的数据手册给出的各极性击穿电压为：

Vcbo:40V；Vceo:25V；Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。

8550的不同极之间的击穿电压曲线

C1815是一款NPN型双极型三极管，数据手册给出的耐压数据为：Vcbo:60V; Vceo:50V；Vebo: 5V。下面是对应的测量耐压曲线。

C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线

2SC2383是NPN型**率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为：

Vcbo:160V；Vceo: 160V；Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线：

2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线

如果三极管的耐压不够，往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件，串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。

电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。高压二极管批发

二极管的特性

通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1. 正向特性。

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为，硅管约为）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为，硅管约为），称为二极管的“正向压降”。

2. 反向特性。

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

高压二极管批发所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.

三极管有三个区域，发射区和集电区是同一个类型，而中间的基区是另外一个类型。

发射区发射电荷，集电区收集电荷，基区用于控制发射和收集电荷的数量，即电流大小。

以NPN为例，发射区的电荷（自由电子）要想到达集电区，需要穿过两个PN结：发射结和集电结。在发射区，自由电子是多子，所以需要在发射结上加正偏电压，让PN结消失，作为多子扩散到基区。

到达基区后，极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流，从基极流出（电流方向是从基极流入），但基区空穴极少，故大部分电荷没有复合的机会，堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子（但是***数量较多，基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子），需要在集电结反偏时，作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压，而集电结加反偏电压。

发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目，也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目，极电流的大小。

集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。

半导体三极管

1半导体三极管的结构.

半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中**常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用

定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类

晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域

集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，

2半导体三极管的电流分配及放大作用

一、三极管的放大作用

1.外部条件：发射结正偏，集电结反偏

2.内部条件：基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度

3.IE、IB、Ic之间关系＇：IE＝IB+Ic.

发射结正向偏置、使电结反向偏置。

包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极 管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。

高压硅堆的检测

  高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。

变阻二极管的检测

  用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。

二极管可以想成电子版的逆止阀。可变三极管哪种好

二极管是由半导体组成的器件。高压二极管批发

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