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9、稳压二极管的基本知识
a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。
b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:
型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761
稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动)。超快恢复二极管直销

MOS管
现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异,N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。
IXFK38N80是一款大功率MOS管,称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为:击穿电压Vds = 800V,工作电流:38A。
下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线,它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。
IXFK38N80击穿电压电流曲线
通常情况下,MOS管耐压越高,导通电阻就越大,使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合,就形成IGBT功率管,它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。
G40N60是手边的一款IGBT,手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。
G40N60击穿电压电流曲线
IGBT中由于存在双极性三极管,它是利用少数载流子完成电流导通,所以IGBT的截止时间较长,无法工作在高频电路中。
近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题,在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。
C2M008012是一款碳化硅MOS管,在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。
C2M008012碳化硅MOS管
但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题,主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。
整流桥二极管哪种好按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

三极管的三种工作状态是非常重要的,是无线电基础中的基础。对此我是这样理解的。无论是NPN型三极管还是PNP型三极管,当发射结加正向偏置电压,而集电结加反向偏置电压时,那么该三极管就工作在放大模式;而当其发射结和集电结都加正向偏置电压时,该三极管就工作在饱和模式;而当发射结和集电结同时加反向偏置电压时,那么该三极管就工作在截止模式。为此我编了一句顺口溜:发正集反是放大;全正饱和全反截,希望对大家理解有用。
二极管的特性
通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

三极管的特殊用途:
半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外,还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件。
1. 扩流。
把一只小功率可控硅(晶闸管)和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。
2. 代换。
图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时,三极管的基极均不使用。
双极结型晶体管(BJT)p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成,具有三个端子,即基极,发射极和集电极。惠州二极管
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。超快恢复二极管直销
肖特基二极管(Schottky Diodes): 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(至);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用常见的DO-41 DO-15 DO-27 TO-220封装形式,贴片的则有SOD123 S0D323 SMA SMB SMC SMAF SMBF SMCF等封装形式。超快恢复二极管直销
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