广州整流二极管
电路中，用字母VT表示三极管，图形符号中的箭头表示发射结导通时的电流方向。由于PN结导通时，电流从P区流向N区，因此，NPN型箭头向外，PNP型箭头向里。
了解了三极管的结构，那它是怎样放大信号的呢？
下面来看三极管的工作特性。
俗话说：人往高处走，水往低处流。电流和水流类似，从高电位流向低电位。
如果用水流类比电流，那么三极管就类似于一个T形水管，水管的三个口相当于三极管的三个极，对应集电极和基极位置上有控制出水量大小的联动阀门。小阀门靠水流冲击打开，大阀门在联动杆的带动下动作，三个极的电流就相当于水管三个口流过的水流。
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一：二极管的分类
1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
1） 整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。
2）检波二极管
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
10、半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.
11、半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.
图三 硅和锗管的伏安特性曲线
12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
桥堆的检测
1．全桥的检测 大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。
检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
2．半桥的检测 半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。
晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。
三极管基极偏置电路分析**为困难，掌握一些电路分析方法可以方便基极偏置电路的分析。
1、电路分析的***步是在电路中找出三极管的电路符号，如图所示，然后在三极管电路符号中后找出基极，这是分析基极偏置电路的关键一步。
2、第二步从基极出发，将与基极和电源端相连的所有元器件找出来，如图所示，电路中的RB1，再将基极与地端相连的所有元器件找出来，如电路中的RB2，这些元器件构成基极偏置电路的主体电路。
上述与基极相连的元器件中，要区别哪些元器件可能是偏置电路中的元器件。电阻器有可能构成偏置电路，电容器具有隔直作用而视为开路，所以在分析基极直流偏置电路时，不必考虑电容器。
3、第三步确定偏置电路中的元器件后，进行基极电流回路的分析，如图所示。基极电流回路是：直流工作电压VCC→偏置电阻RB1→VT1基极→VT1发射极→VT1发射极电阻RE→地端。
一旦确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。贴片三极管直销
二极管是一种具有单向导电的二端器件。广州整流二极管
稳压二极管的基本知识
a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：
型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761
稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
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