北京内阻测试仪电压传感器厂家

基于移相全桥的工作原理，变压器副边占空比的丢失是其固有的特性。副边占空比丢失是指变压器副边的占空比比原边的占空比小。不同于其他全桥的桥臂开关管的导通过程，移相全桥的对称桥臂上的开关管导通和关断过程始终是不同步的，并且在实际的调整输出的大小就是通过调整不同步的程度。只要存在不同步，则变压器副边输出电压就会在不同步的时段内变为零，从占空比的角度来说是变压器副边占空比的丢失，并且原边不同步的程度直接影响变压器副边占空比的丢失程度。我们知道一个电容器由两个导体(或两个板)组成。北京内阻测试仪电压传感器厂家

若设定比较器周期值为T1PR，当启动计数器计数时，计数寄存器T1CNT的值在每个周期由0增加至T1PR然后再减为0，如此循环。在每个周期中当出现T1CNT=T1CMPR和T1CNT=T2CMPR时，则相应的PWM波就会发生电平转换。每一个周期中，当T1CNT=0时会产生下溢中断，当T1CNT=T1PR时会产生周期中断。由此，当发生下溢中断和周期中断时我们分别进入中断重新设置比较寄存器T1CMPR和T2CMPR的值就可以改变PWM波发生电平转换的时间，通过改变T1CMPR和T2CMPR之间的差值大小就可以改变两对PWM波的相位差，如此便实现了移相。在试验中我们是固定比较寄存器T1CMPR的值，在每一次周期中断和下溢中断时改变T2CMPR的值来实现移相。北京内阻测试仪电压传感器厂家其大致原理是原边电压通过外置或内置电阻。

对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。

输出滤波电容 C 和输出电压中的交流分量关系很大。由于 C 和负载并联，再加 上容抗的频率特性， 频率较高的电流成分主要通过 C，负载中流过的很少。C 两端的 电压Vc 除直流分量Vo 外,还有交流分量，与输出电压纹波大小对应。为了减小纹波， 加大 C 是有好处的，但过分加大没有必要。Lf是输出滤波电感量，fs是开关频率，Vpp是输入直流电压比较大，脉动值，Vo(min)是输出电压最小值，Vin(max)是输入电压最小值，K是高频变压器变比，VL是输出滤波电感纹波压降，VD是输出整流二极管的通态管压降。代入各个参数值计算可得cf=9.4UF。在电压传感器中，测量是基于分压器的。

在科学实验中， 产生强磁场的磁体实际是一个大电感线圈，由大容量的电源系 统瞬时放电， 通过给磁体提供瞬间的大电流，在磁体中产生响应的强磁场。实验中磁体可以等效为电阻Rm和大电感Lm串联，产生的磁场强度和通过电感的电流时呈线性关系的，要想得到高稳定度的脉冲平顶磁场，我们相应的给磁体提供脉冲平顶的大电流。然而上述只是建立在理想的物理模型上得到的理想结果。在工程实践中， 提供 给磁体的大电流实际是给磁体提供一个脉冲式高稳定度的直流电压。LCCL滤波器相对于LCL滤波器具有稳定的优点。循环测试电压传感器出厂价

接下来，我们可以讨论两个串联电容器的电压划分。北京内阻测试仪电压传感器厂家

储能电容的计算：1）根据工程经验估算：根据工程实践经验，装置的功率与前端储能电容有对应的关系。整个装置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦对应储能电容容量1μF，则可选用电容至少1200μF。2）根据能量关系式计算：储能电容为后续的DC/DC变换提供直流电压，其本身的电压波动反应在电容上可以认为是电容器电能的补充和释放过程。要保持电容器端电压不变，每个周期中储能电容器对电路提供的能量和其本身充电所得的能量相等。储能电容在整流桥输出端，同时也须承担滤波的任务。为了保证对整个装置提供足够的能量，我们所选用的储能电容最小值为1200UF。北京内阻测试仪电压传感器厂家