珠海进口电流传感器

标准磁通门电流传感器实际与闭环霍尔电流传感器结构相似，由相同带缝隙的磁 路和用来得到零磁通的次级线圈构成。霍尔电流传感器与磁通门电流传感器主要的区别在于气隙磁场检测方式的不同：前者是通过一个霍尔元件获得电压信息进而得到被测电流；后者则是通过一个所谓的饱和电感来测量电流的。饱和电感的电感数值依赖于磁芯的磁导率，磁通密度高的时候磁芯饱和，电感值较低。低磁通密度时，电感值则较高。外部磁场的变化影响磁芯的饱和水平，进而改变磁芯导磁系数，然后影响电感值。因此，当存在外界磁场时将会改变场测量的电感值。如果饱和电感设计充分，这种改变非常明显。提出了基于自激振荡磁通门原理结合磁积分器原理的交直流电流检测方法。珠海进口电流传感器

（1）交流电流对直流电流测量精度的影响测试交流分量对直流测量的影响时，在交直流传感器上均匀绕制直流绕组，其匝数Nd=30，分别测试在25A交流和250A交流时，交直流电流传感器对于直流电流的测量误差。红色曲线为0.05级直流电流互感器比差限值曲线，黄色曲线为250A交流下直流误差曲线，黑色曲线为25A交流下直流误差曲线。由图5－6可知，在25A及250A交流分量下，直流测量仍满足0.05级直流误差限值。交流分量大小对新型交直流电流传感器直流测量误差无明显影响。因此，本文设计的新型交直流电流传感器可完成不同交流分量下直流电流高精度测量。（2）直流分量对交流电流测量精度的影响在实验过程中，受限于传感器样机内径尺寸及直流绕组匝数限制，分别施加20A和50A直流电流，测试直流分量对交直流电流传感器的交流电流测量精度的影响。长沙霍尔电流传感器定制激磁电流出现直流分量及偶次谐波这一特征，研制出基于单铁芯电压型磁调制式交直流电流传感器。

时间差型磁通门(Residence Time Difference Fluxgate RTD)原理的获得来源于实验：磁通门调峰法。调峰法实验的具体过程如下：被测磁场通过磁通门轴向分量，这时磁通门信号的输出便会发生一定的偏移。记录下磁通门输出信号在这一时刻的偏移位置，然后再将被测磁场移除。将通电线圈放置在与被测磁场相同的磁通门轴向方向上，从零增大通电线圈电流幅值直到使磁通门信号的输出重新移动到刚才记录的位置。通过通电电流的大小以及磁芯上线圈匝数，被测磁场的大小便可以计算出来。但是由于当时的频率计值等数字化器件的发展程度不高，因此磁通门调峰法实验只是作为一个实验现象来研究而未做更深入的探讨。

（b）根据式（2－33）选取低磁饱和强度BS，降低铁芯C1截面面积或增大激磁绕组匝数N1，可有效降低铁芯C1激磁饱和电流阈值Ith，以便于满足假设1、3中Ith<<IC。（c）可增大激磁电压峰值Vout或降低采样电阻Rs的阻值，以提高铁芯回路稳态充电电流IC，便于满足假设1、3中Ith<<IC。（4）稳定性由式（2－34），（2－39）可知，激磁电流iex平均值与一次电流Ip之间的线性关系，且这种线性关系只是与一次绕组匝数Np及激磁绕组匝数N1有关。但是激磁电流信号较小，因此实际电路中取采样电阻RS上的电压信号作为终检测信号。采样电阻RS上一个周波内平均电压Vav满足：人们发现一些半导体的霍尔效应很明显。伴随着半导体的发展，霍尔效应在磁场测量中的应用也随之迅速发展。

在t1≤t≤t2期间，电路初始条件iex(t1)仍满足式（2－7），且此时铁芯C1工作在线性区A，激磁电感为L，铁芯C1回路电压满足：vex=VOH=Vout。此时回路电压方程为：Vout=iex(t)*Rsum+L根据式(2－7)、(2－9)，可得t1≤t≤t2内，激磁电流iex表达式为：t-t1iex(t)=IC(1-eτ1)-（Ith-βIp1)eτ2（2－9）（2－10）此阶段激磁电感由l变为L，因此铁芯C1回路放放电时间常数τ2满足τ2=L/Rsum。在t2时刻，铁芯C1激磁电流iex达到正向饱和阈值电流I+th1，其满足I+th1=I+th+βIp1，可得t2时刻激磁电流终值iex(t2)满足：通过持续振荡的激励磁场，磁通门传感器有效地降低了被测导体中的磁滞效应。济南磁通门电流传感器设计标准

它在高速电流测量、电力电子变换器监测、电机控制、电磁兼容性测试等领域有着很多的应用前景。珠海进口电流传感器

已知交流工频为f=50Hz，假设自激振荡磁通门电路激磁电压频率fex>>f，且为50Hz的整数倍，即满足fex=kf(k为整数)。设一次电流中交流分量为iac，直流分量为Id。此时可以将一次电流iP表示为为：iP(t)=iac(t)+Id（2－35）由于激磁电压频率远大于一次交流频率，因此可以将一次交流在每个极短的激磁电压周期内，看作缓慢变化的直流信号。假设按照自激振荡磁通门电路频率fex将一次电流ip进行分段，共分为k段，并取每段取间的电流左端点值作为该段区间电流值，则在分段区间内可将一次电流ip表示为：iP(t)=iac(t1k)+Id,t1k<t<t2k其中每段区间时间间隔Δt为自激振荡磁通门电路周期，即满足：Δt=1/fex=t2k一t1k=t3k一t2k=...,keN*（2－36）（2－37）此时在t1k～t2k期间，可以将一次电流看作近似直流分量，其大小为t1k时刻交流瞬时值大小iac(t1k)与直流分量Id之和。按照前述对自激振荡磁通门直流分量测量原理推导可得，此时在t1k～t2k时刻，珠海进口电流传感器