高效硅异质结吸杂设备

时间:2023年12月18日 来源:

异质结电池为对称的双面结构,主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中,本征非晶硅层起到表面钝化作用,P型掺杂非晶硅层为发射层,N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT电池转换效率高,拓展潜力大,工艺简单并且降本路线清晰,契合了光伏产业发展的规律,是有潜力的下一代电池技术。HJT电池为对称的双面结构,主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中,本征非晶硅层起到表面钝化作用,P型掺杂非晶硅层为发射层,N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。零界高效异质结电池整线设备,可延伸至钙钛矿叠层及IBC等技术。高效硅异质结吸杂设备

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异质结太阳能电池使用晶体硅片进行载流子传输和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅层进行钝化和结的形成。顶部电极由透明导电氧化物(TCO)层和金属网格组成。异质结硅太阳能电池已经吸引了很多人的注意,因为它们可以达到很高的转换效率,可达26.3%,相关团队对HJT极限效率进行更新为28.5%,同时使用低温度加工,通常整个过程低于200℃。低加工温度允许处理厚度小于100微米的硅晶圆,同时保持高产量。异质结电池转换效率高,拓展潜力大,工艺简单并且降本路线清晰,契合了光伏产业发展的规律,是有潜力的下一代电池技术。广州光伏异质结光伏异质结电池PECVD是制备PIN层的主流设备,其结构和工艺机理复杂,影响因素众多,需要专业公司制备。

太阳能异质结是一种由两种不同材料组成的结构,其中一种材料是n型半导体,另一种是p型半导体。这两种半导体材料的结合形成了一个p-n结,也称为异质结。在太阳能异质结中,n型半导体的电子浓度比空穴浓度高,而p型半导体的空穴浓度比电子浓度高。当这两种材料结合在一起时,电子和空穴会在p-n结处相遇并重新组合,从而产生一个电势差。这个电势差可以用来驱动电子流,从而产生电能。太阳能异质结的结构通常包括一个p型半导体层和一个n型半导体层,它们之间有一个p-n结。在太阳能电池中,这个结构通常被放置在一个透明的玻璃或塑料表面下,以便太阳光可以穿过并照射到p-n结上。当太阳光照射到p-n结上时,它会激发电子和空穴的运动,从而产生电流。总之,太阳能异质结的结构是由一个p型半导体层和一个n型半导体层组成,它们之间有一个p-n结。这个结构可以将太阳光转化为电能,是太阳能电池的主要组成部分。

异质结电池生产流程与常规晶硅工艺的区别。常规晶硅工艺:1、清洗制绒。通过腐蚀去除表面损伤层,并且在表面进行制绒,以形成绒面结构达到陷光效果,减少反射损失;2、扩散制结。通过热扩散等方法在硅片上形成不同导电类型的扩散层,以形成p-n结;3、刻蚀去边。去除扩散后硅片周边的边缘结;4、去磷硅玻璃。扩散过程中,在硅片表面会形成一层含磷的氧化硅,称为磷硅玻璃(PSG),需要用氢氟酸腐蚀去掉;5、镀减反射膜。为进行一步提高对光的吸收,在硅片表面覆盖一层减反射膜。常用PECVD进行SiNx薄膜沉积,同时起到钝化的作用;6、栅线电极。在电池正面用丝网印刷进行栅线电极制作,在背面印刷背场(BSF)和背电极,并且进行干燥和烧结;7、电池测试及分选。光伏异质结技术可以应用于各种类型的太阳能电池,包括晶体硅、薄膜和多结太阳能电池。

质结电池TCO薄膜的方法主要有两种:RPD(特指空心阴极离子镀)和PVD(特指磁控溅射镀膜);l该工艺主要是在电池正背面上沉积一层透明导电膜层,通过该层薄膜实现导电、减反射、保护非晶硅薄膜的作用,同时可以有效地增加载流子的收集;l目前常用于HJT电池TCO薄膜为In2O3系列,如ITO(锡掺杂In2O3,@PVD溅射法)、IWO(钨掺杂In2O3,@RPD方法沉积)等。HJT电池具备光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间。零界高效异质结电池整线解决方案,实现设备国产化,高效高产PVD DD CVD。异质结电池的出色性能和广泛的应用前景使其成为未来太阳能产业的明星技术。苏州光伏异质结PVD

异质结电池具有环保、可持续的特点,能够为未来的可持续发展做出重要贡献。高效硅异质结吸杂设备

异质结电池的清洗制绒:在沉积a-Si:H之前的晶圆清洗有两个作用。一个是去除晶圆表面的颗粒和金属污染。另一个是用氢气使表面上的悬空键部分钝化。清洁是降低a-Si:H/c-Si界面状态密度的关键步。不同清洁程序的效果可以通过测量清洁过的晶圆的载流子寿命来研究,这些晶圆已经用相同的a-Si:H薄膜进行了钝化。在高质量硅片的块状区域的载流子重组可以被认为是可以忽略的,因此对载流子寿命的测量表明了表面重组,因此也表明了清洁过程的质量。下图显示了在代尔夫特理工大学进行的三种不同清洗方法的比较。在晶圆两面沉积本征a-Si:H层之前,以三种不同的方式处理(100)取向的FZ c-Si晶圆。晶圆使用标准的RCA清洗,第二个晶圆使用涉及浓硝酸的标准DIMES清洗程序进行清洗。所有三个晶圆都被浸泡在HF中,以去除原生氧化层,这是对第三个晶圆进行的处理。在预处理之后,在晶圆的两面都沉积了120纳米厚的本征a-Si:H层,每次运行都使用相同的沉积条件。使用Sinton寿命测试器测量载流子寿命,以评估钝化质量。使用标准RCA工艺清洁的晶圆载流子寿命,因此钝化效果也。只接受HF浸渍处理的晶圆观察到的载流子寿命。高效硅异质结吸杂设备

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