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二极管正负极判断：二极管是一种*简单的电子器件，具有正负极的区分。正极也称为阳极，负极也称为阴极。正负极的判别对于二极管的正确使用和连接至关重要。在二极管中，正极是指电流流入的一端，也是电子从P型半导体流向N型半导体的一端。而负极则是指电流流出的一端,也是电子从N型半导体流向P型半导体的一端。在二极管的外观上，可以通过以下几种方式来判别正负极:1.观察标记:很多二极管在外观上会标记正负极，例如在正极一端标记”+"号或者箭头符号，而负极一端没有标记。这种标记通常印在二极管的外壳上，容易辨认。2.观察外形:二极管的正负极也可以通过外形来判断。通常，正极一端的外形会与负极不同。例如，正极一端可能会有一个长一点的引脚，而负极一端的引脚则较短3,观察颜色:某些二极管的正负极也可以通过颜色来判断。例，LED二极管的正极会被标记为长一点的引脚，并目通常是红色。常用整流二极管 现货直供-原装现货-提供样品。NXPS20H100CX

    要理解二极管的工作原理，必须从二极管的结构说起。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。ACS108-5SN其他被动元件什么二极管适合小电压大电流整流。

    二极管常见种类：一、TVS二极管：TVS二极管全称瞬态电压抑制二极管，TVS是一种保护器件，常用在连接器接口，测试点，开关电源等地方，与被保护负载并联使用。二、稳压二极管：利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。三、肖特基二极管：肖特基简称SBD，有正向压降低和反向恢复时间小的特点，常用来作大电流整流。四、快回复二极管：简称FRD，与肖特基类似，但是功耗更大。五、发光二极管：简称LED，LED由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以发光。六、变容二极管：是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的二极管。

    二极管PN结单向导电性：在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。主要分类：点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大[5]。稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的。 高频整流用什么二极管？

    用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。二极管主要参数：是指二极管长期连续工作时，允许通过的**正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管**整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 220v用什么二极管整流？江西SP720ABG二极管稳压二极管

低频整流二级管能否使用高频整流二级管替代？NXPS20H100CX

    二极管PN结形成原理：P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。[6]因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。 NXPS20H100CX