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    主要参数—额定功耗由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mW。5.α—温度系数如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：%/℃）。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高。对电源要求比较高的场合，可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大减小，可使温度系数达到℃。 稳压二极管正确接线法？STF5N95K3其他被动元件

    二极管是双端子电子元件，传导电流主要在一个方向（非对称电导）;它在一个方向上具有低电阻（理想情况下为零），在另一个方向上具有高电阻（理想情况下为无限）。二极管真空管或热电子二极管是一种具有两个电极，一个加热的阴极和一个板的真空管，其中电子只能沿一个方向从阴极到板流动。甲半导体二极管，**常用的类型的***，是一个晶体具有连接到两个电气端子的pn结的半导体材料。半导体二极管是**早的半导体电子设备。1874年，德国物理学家费迪南德·布劳恩（FerdinandBraun）发现了晶体矿物与金属之间不对称导电的现象。如今，大多数二极管是由硅制成的，但也使用了砷化镓和锗等其他半导体材料。主要功能编辑二极管**常见的功能是允许电流沿一个方向（称为二极管的正向）通过，而沿相反的方向（反向）阻止电流通过。这样，二极管可以被视为止回阀的电子版本。这种单向行为称为整流，用于将交流电（ac）转换为直流电（dc）。整流器、二极管的形式可用于诸如从无线电接收机中的无线电信号提取调制之类的任务。 STPS1L40 肖特基二极管低频整流二级管能否使用高频整流二级管替代？

    什么是二极管的反向饱和电流？什么是二极管的最高反向工作电压？二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。最高反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的比较高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，最高反向工作电压也就是二极管的最高工作电压。反向电流达到饱和,不随外加电压(反向电压)变化。这是因为反向饱和电流是由少数载流子漂移运动而成的，小数载流子的数量很少，稍加反向电压就全部过去了。当温度升高，本征激增加，少数载流子增多，反向饱和电流也增大。声望SW系列阻抗管的设计符合标准GB/10534-2:1998中传递函数法的描述，与采用驻波比法的驻波管相比，双传声器的阻抗管能够一次测量出整个测试频段的吸声系数和声阻抗率。

    二极管压降测量法，日常维修**常用方法之一。这个方法就是通过测量二极管的正向导通，反向截止的性能来判断其好坏的。操作方法：数字万用表打到二极管档，黑表笔接-，红表笔接+，二极管正向导通，导通数值一般在，不同性能的二极管正向压降电压不同。反过来，黑表笔接+，红表笔接-，如出现测量数值∞，**二极管性能正常。无论正反向，测量结果不能出现0，0**击穿短路。好坏判断：测量常用二极管正向导通电压时（特殊二极管除外），如果电压大于1v，可判断为正向导通性能不好，无论正反向，测量出现0，此二极管不能使用。极管是用半导体材料制成的一种电子器件，是世界上第一种半导体器件，具有单向导电性能、整流功能。二极管的作用有哪些呢？下面我们来聊聊这个话题。二极管的作用是稳压，在电流瞬间增大时，二极管可以保护电流不会经过与二极管并联的负载上，可以起到保护其他并联器件的作用。二极管还有钳位作用，可以使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内。 整流二极管选型,现货,供应保障,快速样品,选型支持。

    随着时间的推移，变容二极管被开发出来，其电容范围很大，100-500pF，反向偏压变化相对较小：0-5V或0-12V。这些较新的设备也允许实现电子调谐AM广播接收器作为许多其他功能，需要在较低频率（通常低于10MHz）下进行较大的电容变化。零售店中使用的一些电子安全标签阅读器设计需要在其压控振荡器中使用这些高电容变容二极管。页面顶部描述的三个引线器件通常是单个封装中的两个共阴极连接的变容二极管。在右图所示的消费类AM/FM调谐器中，单个双封装变容二极管可同时调整谐振电路（主站选择器）的通带，以及每个带有单个变容二极管的本地振荡器。这样做是为了降低成本——本可以使用两个双封装，一个用于槽路，一个用于振荡器，总共四个二极管，这就是LA1851NAM无线电芯片的应用数据中所描述的。FM部分中使用的两个低电容双变容二极管（其工作频率大约高出一百倍）用红色箭头突出显示。在这种情况下，使用了四个二极管，通过一个用于槽路/带通滤波器的双封装和一个用于本地振荡器的双封装。 桥式整流器、稳流二极管、稳压二极管都是用的二极管。肇庆30KPA78CA二极管达林顿晶体管

整流二极管的选择和代换？STF5N95K3其他被动元件

    高压整流二极管的主要参数：1.比较大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的比较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。2.最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V3.比较大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。4.击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。5.比较高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的比较高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。 STF5N95K3其他被动元件

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