铟锡氧化物膜厚仪科研应用

样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件，但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台，具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移，包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜（15倍反射式物镜）及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台，包括光纤，和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。铟锡氧化物膜厚仪科研应用

非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数，并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。工艺薄膜膜厚仪高性价比选择可选的厚度和折射率模块让您能够充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯

参考材料备用BK7和二氧化硅参考材料。BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-BK71½"x1½"BK7反射基准。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。REF-Si-22"单晶硅晶圆REF-Si-44"单晶硅晶圆REF-Si-66"单晶硅晶圆REF-Si-88"单晶硅晶圆REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。

自动厚度测量系统几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。在线厚度测量系统监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100Hz的采样率可以在多个测量位置得到。附件Filmetrics提供各种附件以满足您的应用需要。F20系列世界上蕞畅销的台式薄膜厚度测量系统只需按下一个按钮，您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。设置同样简单,只需插上设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口,并连接样品平台,F20已在世界各地有成千上万的应用被使用.事实上，我们每天从我们的客户学习更多的应用.选择您的F20主要取决於您需要测量的薄膜的厚度（确定所需的波长范围）测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。单层膜膜厚仪实际价格

F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行蕞低、蕞高和平均反射测试。铟锡氧化物膜厚仪科研应用

厚度标准：所有Filmetrics厚度标准都是得到验证可追溯的NIST标准。S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的NIST厚度校准。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约3100A，4"晶圆。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约10000A，4"晶圆。TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约7200A，4"晶圆。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度标准。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准:125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為8000A。铟锡氧化物膜厚仪科研应用

岱美仪器技术服务（上海）有限公司是一家集研发、生产、咨询、规划、销售、服务于一体的贸易型企业。公司成立于2002-02-07，多年来在半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪行业形成了成熟、可靠的研发、生产体系。主要经营半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等产品服务，现在公司拥有一支经验丰富的研发设计团队，对于产品研发和生产要求极为严格，完全按照行业标准研发和生产。岱美仪器技术服务（上海）有限公司每年将部分收入投入到半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪产品开发工作中，也为公司的技术创新和人材培养起到了很好的推动作用。公司在长期的生产运营中形成了一套完善的科技激励政策，以激励在技术研发、产品改进等。岱美仪器技术服务（上海）有限公司以市场为导向，以创新为动力。不断提升管理水平及半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪产品质量。本公司以良好的商品品质、诚信的经营理念期待您的到来！