美国膜厚仪推荐型号

  其可测量薄膜厚度在1nm到1mm之间，测量精度高达1埃，测量稳定性高达，测量时间只需一到二秒,并有手动及自动机型可选。可应用领域包括：生物医学（Biomedical）,液晶显示(Displays),硬涂层(Hardcoats),金属膜(Metal),眼镜涂层(Ophthalmic),聚对二甲笨(Parylene),电路板(PCBs&PWBs),多孔硅(PorousSilicon),光阻材料(ThickResist),半导体材料(Semiconductors),太阳光伏(Solarphotovoltaics),真空镀层(VacuumCoatings),圈筒检查(Webinspectionapplications)等。通过Filmetrics膜厚测量仪*新反射式光谱测量技术,*多4层透明薄膜厚度、n、k值及粗糙度能在数秒钟测得。其应用光泛，例如:半导体工业:光阻、氧化物、氮化物。LCD工业:间距(cellgaps)，ito电极、polyimide保护膜。光电镀膜应用:硬化镀膜、抗反射镀膜、过滤片。极易操作、快速、准确、机身轻巧及价格便宜为其主要优点，Filmetrics提供以下型号以供选择:F20:这简单入门型号有三种不同波长选择(由220nm紫外线区至1700nm近红外线区)为任意携带型，可以实现反射、膜厚、n、k值测量。F30:这型号可安装在任何真空镀膜机腔体外的窗口。可实时监控长晶速度、实时提供膜厚、n、k值。并可切定某一波长或固定测量时间间距。F20-EXR测厚范围：15nm - 250µm；波长：380-1700nm。美国膜厚仪推荐型号

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度有机发光膜厚仪现场服务适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。

铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。

F60系列包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F60-t:20nm-70µm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40µm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250µm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250µm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250µm190-1700nmF60-t-XT0:2µm-450µm1440-1690nmF60-t-s980:4µm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7µm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10µm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。

TotalThicknessVariation(TTV)应用规格:测量方式:红外干涉(非接触式)样本尺寸:50、75、100、200、300mm，也可以订做客户需要的产品尺寸测量厚度:15—780μm(单探头)3mm(双探头总厚度测量)扫瞄方式:半自动及全自动型号,另2D/3D扫瞄(Mapping)可选衬底厚度测量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可选粗糙度:20—1000Å(RMS)重复性:0.1μm(1sigma)单探头*0.8μm(1sigma)双探头*分辨率:10nm请访问我们的中文官网了解更多关于本产品的信息。可见光可测试的深度，良好的厚样以及多层样品的局部应力。原装进口膜厚仪有哪些应用

F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。美国膜厚仪推荐型号

非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数，并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。美国膜厚仪推荐型号

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