芯片纳米压印一级代理
HERCULES®NIL：完全集成的纳米压印光刻解决方案，可实现300 mm的大批量生产
■批量生产低至40 nm的结构或更小尺寸（分辨率取决于过程和模板）
■结合了预处理（清洁/涂布/烘烤/冷却）和SmartNIL®技术
■全自动压印和受控的低力分离，可最 大程 度地重复使用工作印章
■具备工作印章制造能力
EVG®770：连续重复的纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作
■用于晶圆级光学器件的微透镜的高 效母模制造，直至SmartNIL®的纳米结构
■不同类型的母版的简单实现
■可变的光刻胶分配模式
■分配，压印和脱模过程中的实时图像
■用于压印和脱模的原位力控制
高 效，强大的SmartNIL工艺提供高图案保真度，拥有高度均匀图案层和最少残留层，易于扩展的晶圆尺寸和产量。芯片纳米压印一级代理
客户示范
■工艺开发
■材料测试
■与合作伙伴共同研发
■资助项目
■小批量试生产
■IP管理
■过程技术许可证
■流程培训
→世界一 流的洁净室基础设施
→最 先 进的设备
→技术专家
→专用计量
→工艺知识
→应用知识
→与NIL的工作印模材料和表面化学有关的化学专业知识
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。
岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。
芯片纳米压印一级代理SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现无与伦比的吞吐量。
它为晶圆级光学元件开发、原型设计和制造提供了一种独特的方法，可以方便地接触最 新研发技术与材料。晶圆级纳米压印光刻和透镜注塑成型技术确保在如3D感应的应用中使用小尺寸的高 分辨率光学传感器供应链合作推动晶圆级光学元件应用要在下一代光学传感器的大众化市场中推广晶圆级生产，先进的粘合剂与抗蚀材料发挥着不可取代的作用。开发先进的光学材料，需要充分地研究化学、机械与光学特性，以及已被证实的大规模生产（HVM）的可扩展性。拥有在NIL图形压印和抗蚀工艺方面的材料兼容性，以及自动化模制和脱模的专业知识，才能在已验证的大规模生产中，以最小的形状因子达到晶圆级光学元件的比较好性能。材料供应商与加工设备制造商之间的密切合作，促成了工艺流程的研发与改善，确保晶圆级光学元件的高质量和制造的可靠性。EVG和DELO的合作将支持双方改善工艺流程与产品，并增强双方的专业技能，从而适应当前与未来市场的要求。双方的合作提供了成熟的材料与专业的工艺技术，并将加快新产品设计与原型制造的速度，为双方的客户保驾护航。“NILPhotonics解决方案支援中心的独特之处是：它解决了行业内部需要用更短时间研发产品的需求，同时保障比较高的保密性。
EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。
用UV纳米压印能力为特色的EVG's专有SmartNIL通用掩模对准系统®技术，在100毫米范围内。
EVG620 NT以其灵活性和可靠性而闻名，它以最小的占位面积提供了最 新的掩模对准技术。操作员友好型软件，最短的掩模和模具更换时间以及有效的全球服务支持使它们成为任何研发环境（半自动批量生产）的理想解决方案。该工具支持多种标准光刻工艺，例如真空，软，硬和接近曝光模式，以及背面对准选项。此外，该系统还为多功能配置提供了附加功能，包括键对准和纳米压印光刻。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
SmartNIL 非常适合对具有复杂纳米结构微流控芯片进行高精度图案化，用在下一代药 物研究和医学诊断设备生产。
首先准备一块柔性薄膜作为弹性基底层，然后将巯基-烯预聚物旋涂在具有表面结构的母板上，弹性薄膜压印在巯基-烯层上，与材料均匀接触。巯基-烯材料可以在自然环境中固化通过“点击反应”形成交联聚合物，不受氧气和水的阻聚作用。顺利分离开母板后，弹性薄膜与固化后的巯基-烯层紧密连接在一起，获得双层结构的复合柔性模板。由于良好的材料特性，刚性巯基-烯结构层可以实现较高的分辨率。因此，利用该方法可以制备高 分辨的复合柔性模板，经过表面防粘处理后可以作为软压印模板使用。该研究利用新方法制备了以PDMS和PET为弹性基底的亚100nm线宽的光栅结构复合软压印模板。相关研究成果发表于《纳米科技与纳米技术杂志》（JournalofNanoscienceandNanotechnology）。（来自网络。EVG的纳米压印光刻（NIL） - SmartNIL ® 是用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺。中科院纳米压印质量怎么样
EVG620 NT是以其灵活性和可靠性而闻名的，因为它以最小的占位面积提供了最 新的掩模对准技术。芯片纳米压印一级代理
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。芯片纳米压印一级代理