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集成电路发展对策建议:创新性效率超越传统的成本性静态效率,从理论上讲,商务成本属于成本性的静态效率范畴,在产业发展的初级阶段作用明显。外部商务成本的上升实际上是产业升级、创新驱动的外部动力。作为高新技术产业的上海集成电路产业,需要积极利用产业链完备、内部结网度较高、与全球生产网络有机衔接等集群优势,实现企业之间的互动共生的高科技产业机体的生态关系,有效保障并促进产业创业、创新的步伐。事实表明,20世纪80年代,虽然硅谷的土地成本要远高于128公路地区,但在硅谷建立的半导体公司比美国其他地方的公司开发新产品的速度快60%,交运产品的速度快40%。具体而言,就是硅谷地区的硬件和软件制造商结成了紧密的联盟,能至大限度地降低从创意到制造出产品等相关过程的成本,即通过技术密集关联为基本的动态创业联盟,降低了创业成本,从而弥补了静态的商务成本劣势。数字集成电路的发展已经使得计算机、手机等现代社会中不可或缺的数字电子设备普及起来。NCP5359DR

尽管随机存取存储器结构非常复杂,几十年来芯片宽度一直减少,但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层,因为他们太大了。高频光子(通常是紫外线)被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小,对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说,电子显微镜是必要工具。在使用自动测试设备(ATE)包装前,每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块,每个被称为“die”。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线,连接到封装内,pads通常在die的边上。封装之后,设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25%,但是对于低产出,大型和/或高成本的设备,可以忽略不计。在2005年,一个制造厂(通常称为半导体工厂,常简称fab,指fabrication facility)建设费用要超过10亿美金,因为大部分操作是自动化的。NCP5359DR集成电路的制造涉及多个工艺步骤,如氧化、光刻、扩散、外延和蒸铝等,以确保电路的可靠性和功能完整性。

为什么会产生集成电路?我们知道任何发明创造背后都是有驱动力的,而驱动力往往来源于问题。那么集成电路产生之前的问题是什么呢?我们看一下1946年在美国诞生的世界上第1台电子计算机,它是一个占地150平方米、重达30吨的庞然大物,里面的电路使用了17468只电子管、7200只电阻、10000只电容、50万条线,耗电量150千瓦。显然,占用面积大、无法移动是它直观和突出的问题;如果能把这些电子元件和连线集成在一小块载体上该有多好!我们相信,有很多人思考过这个问题,也提出过各种想法。
集成电路是指将多个电子元器件集成在一起,形成一个完整的电路系统。它的高集成度是指在一个芯片上集成了大量的电子元器件,从而实现了高度的集成化。这种高度的集成化不仅可以很大程度上减小电路的体积,还可以提高电路的可靠性和稳定性。此外,高集成度还可以降低电路的功耗,提高电路的效率。因此,集成电路的高集成度是现代半导体工业主流技术的重要特点之一。集成电路的高集成度可以带来许多好处。首先,它可以很大程度上减小电路的体积,从而使得电子设备更加轻便、便携。其次,高集成度可以提高电路的可靠性和稳定性,减少故障率,延长电子设备的使用寿命。此外,高集成度还可以降低电路的功耗,提高电路的效率,从而使得电子设备更加节能环保。因此,集成电路的高集成度是现代半导体工业主流技术的重要特点之一。集成电路的设计需要结合电子器件特性和电路运行要求,以实现优良性能和可靠性。

制作工艺:集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,他们都是数字集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,按用途:集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种集成电路。微处理器、数字信号处理器和单片机等数字IC以二进制信号处理为特点,普遍应用于数字信号处理和数据计算。MMBD1503A
集成电路的发明者基尔比和诺伊斯为半导体工业带来了技术革新,推动了电子元件微型化的进程。NCP5359DR
第1个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器。根据一个芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路可以分为以下几类:1.小规模集成电路:SSI英文全名为Small Scale Integration,逻辑门10个以下或晶体管100个以下。2.中规模集成电路:MSI英文全名为Medium Scale Integration,逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。3.大规模集成电路:LSI英文全名为Large Scale Integration,逻辑门101~1k个或晶体管1,001~10k个。4.超大规模集成电路:VLSI英文全名为Very large scale integration,逻辑门1,001~10k个或晶体管10,001~100k个。5.甚大规模集成电路:ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration,逻辑门10,001~1M个或晶体管100,001~10M个。GLSI英文全名为Giga Scale Integration,逻辑门1,000,001个以上或晶体管10,000,001个以上。NCP5359DR
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