青海TmYAP
2000年，Budni P A等人用120W光纤耦合二极管泵浦3% TM3360 ylF，获得36W激光输出[54]。然后Dergachev A报道了3.5%的Tm:YLF 1905-2067nm宽调谐CW激光输出，多纵模输出功率大于18W，斜率效率37%，单纵模输出功率12W[55]。在CaF2晶体中，Tm3吸收系数小，辐照后容易转变为Tm2，因此对Tm:CaF2晶体2m波段激光的研究很少。2004年，Camy P等人用767nm Ti:蓝宝石激光器泵浦1.34%的Tm:CaF2晶体，获得调谐范围1835~1970nm、斜率效率41% [56]的激光输出。BaY2F8是一种性能优良的激光晶体，近年来研究较多。Cornacchia F的工作组对比分析了一系列掺杂了一系列浓度的Tm3离子[58][59]，得到了12% Tm: BaY2F8，泵浦源为780nm二极管，输出峰值在1923nm，最大输出功率为645mW，斜率效率为32%的比较好激光输出。Tm:YAP晶体的激光实验研究。青海TmYAP
1993年，李等用800纳米的钛宝石激光器和5%的泵浦tm: yso在室温下获得了2.05米的连续激光输出。激光输出范围可扩展至2.01 ~ 2.07米，斜率效率为18%[38]。1998年，Jean-paul Foing等人报道了以二极管为泵浦光源的5%Tm:YSO、10%Tm:CAS和5%Tm:SYS激光器的实验研究[36]。除了5%的Tm:SYS晶体由于其热力学性质不能产生激光振荡外，5%的Tm:YSO和10%的Tm:CAS晶体分别获得了110mW和39mW的激光输出，斜效率分别为26%和8.6%。指出TM3360YSO可实现1.93~2.07m范围内的宽调谐激光输出，其调谐范围为掺TM3的(1.93 ~ 2.07 m) (3)钒酸盐晶体山东抛光TmYAPTm:YAP晶体的激光性能？
钒酸盐晶体一般是单光轴的四方晶体。激光输出是定向的，可以输出线偏振光。由于其低对称性，掺杂钒酸盐一般具有相对较大的吸收截面和发射截面。例如，Tm:YVO4的吸收截面是Tm:YAG的5倍以上，发射截面略大于tm3360 YAG。但其激光上能级寿命比掺杂YAG短得多，而Tm:YVO4只有Tm:YAG的十分之一，这是有限制的，从热力学性质来说，Tm:YVO4热导率低，在激光工作时容易爆裂，虽然Tm:GdVO4的热导率与Tm:YAG相近，但比Tm:YVO4更难生长，法皇冠生长的Tm:GdVO4存在色心等缺陷。Higuchi M等利用浮区法种植不同浓度的Tm:GdVO4。虽然这种晶体有很高的光学质量，但它的尺寸很小，所以它经常被用来开发微芯片激光器。2m激光对Tm:YVO4的实验研究大多集中在90年代。1992年，Saito H .等人在平行于c轴泵浦a方向5%Tm:YVO4晶体的797nm处取ti: sapphire的偏振方向，获得了1.94m的激光输出，输出功率为48mW，斜率效率为25% [42]。1998年，Bourdet G L等人对Tm:YVO4微芯片激光器进行了一系列的理论和实验研究，获得了高效率的激光输出，并在1mm厚的晶体中实现了单模输出[44]。近年来，掺入Tm3360YVO4的Tm3360YVO4激光晶体由于具有相似的光谱特性和优异的热性能，成为另一个主要研究对象。
Tm:YAP
Tm:YAP晶体能量转移参数计算:
将WEE及多声子弛豫几率、辐射跃迁几率代入速率方程3-21，3-25求解（设泵浦源功率5W），并利用式3-26可得3F4→3H6与3H4→3F4跃迁强度比h，h与Tm3+掺杂浓度关系如图4-22，可见泵浦效率随浓度增加而增加。但事实上，随浓度增加，能量传递速率WEE的增加必将增大3F4+3F4→3H4+3H6能量反交叉弛豫几率，并且容易使能量在Tm3+间传递过程增长而发生浓度淬灭，因此将存在一个比较好化的掺杂浓度。............ Tm:YAP晶体能级结构图有吗？
Tm:YAP晶体在800nm左右吸收峰，峰值在796nm，与商用二极管的发射波长匹配良好，图4-5 (b)给出了796nm吸收峰峰值及半高宽随浓度的变化情况，可见随浓度增加，吸收系数基本呈线性增加，5at%Tm:YAP在此处吸收系数达4.85cm-1，而吸收半高宽（FWHM）随浓度变化基本保持不变，约为16nm。由于YAP具有各向异性，我们测试了4at%Tm:YAP的偏振吸收特性，如图4-6所示。当偏振方向平行于b轴时，样品具有比较大吸收6.23cm-1，吸收峰值位于795nm，而当偏振方向平行c轴时，样品在800nm具有较大吸收系数3.99cm-1。Tm:YAP晶体的热导率应该是多少？圆棒TmYAP市场价格
Tm:YAP晶体能量转移参数计算方法是？青海TmYAP
电子元器件产业作为电子信息制造业的基础产业，其自身市场的开放及格局形成与国内电子信息产业的高速发展有着密切关联，目前在不断增长的新电子产品市场需求、全球电子产品制造业向中国转移、中美贸易战加速国产品牌替代等内外多重作用下，国内电子元器件分销行业会长期处在活跃期，与此同时，在市场已出现的境内外电子分销商共存竞争格局中，也诞生了一批具有新商业模式的电子元器件分销企业，并受到了资本市场青睐。回顾过去一年国内激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工产业运行情况，上半年市场低迷、部分外资企业产线转移、中小企业经营困难，开工不足等都是显而易见的消极影响。但随着激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工产业受到相关部门高度重视、下游企业与元器件产业的黏性增强、下游 5G 产业发展前景明朗等利好因素的驱使下，我国电子元器件行业下半年形势逐渐好转。随着我们过经济的飞速发展，脱贫致富，实现小康之路触手可及。值得注意的是有限责任公司（自然）企业的发展，特别是近几年，我国的电子企业实现了质的飞跃。从电子元器件的外国采购在出售。电子元器件几乎覆盖了我们生活的各个方面，既包括电力、机械、交通、化工等传统工业，也涵盖航天、激光、通信、机器人、新能源等新兴产业。据统计，目前，我国电子元器件加工产业总产值已占电子信息行业的五分之一，是我国电子信息行业发展的根本。青海TmYAP