江苏专业生长CeYAP晶体订做价格

红外光谱采用Perkin Elmer公司的Spectrum GX Optica傅立叶红外光谱仪。测试范围为400-40000 cm-1。采用吸收光谱可以测试晶体中发光中心的浓度，尤其对低掺杂的发光材料。对铈离子掺杂的高温闪烁晶体而言，由于f-d跃迁强度极高，吸收截面很大，常常要求晶体具有很薄的厚度 (0.3mm左右) 才可以测试其吸收光谱，这对测试浓度来说比较不利。但是，如果采用Ce离子的f－f跃迁(对应的红外吸收光谱)来测试其浓度，可采用较厚的样品(2-5mm)进行测试。同时红外谱测得的吸收峰对应于Ce3+ 离子基态2F5/2到基态2F7/2的Stark子能级之间的跃迁，属于禁戒跃迁，强度低，受晶场作用弱，因此可以方便地用来表征晶体中Ce3+ 离子的浓度。  有CeYAG晶体的成品卖吗？江苏专业生长CeYAP晶体订做价格

热释光是物质预先吸收了辐射能之后的热激发光。产生热释光的三个基本要素是：***，材料必须是绝缘体或半导体；第二，该材料在受辐照的同时必须吸收能量；第三，用加热该材料的方法可以激发光发射[96]。热释光对分析闪烁晶体中存在的缺陷和及其对发光和时间特性的影响有很大帮助。我们测试主要用北京核仪器厂的 FJ427A1型微机热释光剂量仪。

吸收辐射能之后，光的发射显示出一个特征时间，我们把小于10-8 s的发光叫荧光，把大于10-8 s的发光叫磷光。小于10-8 s的值给出了荧光发射基本过程的定义，把荧光发射描绘成与辐射吸收同时发生并随辐射停止而立即消失的过程。磷光的特征是在辐射吸收与发光达到**强的时间之间有一个时间延迟，而且在激发停止后磷光会持续一段时间。通常都用辐射与固体电子之间的能量转换来解释光发射现象，图2-6是热释光产生过程中的能级跃迁简单示意图。例如把电子从基态激发到激发态，单受激电子返回基态时就引起光子发射。这种荧光跃迁之间的时间间隔小于10-8 s，而且过程与温度无关。可以假设在电子的基态g和激发态e之间存在亚稳态m，从g激发到e的电子可能被束缚在m内，直到获得足够的能量E使之从m返回到e，然后返回到g并伴随光发射。 天津CeYAP晶体哪里买。Ce:YAP晶体在662 kev-射线(137 cs源)辐照下的能量分辨率为4.38-5.5%。

不同退火条件的的荧光发射谱峰形基本相同（图4-9），强度随退火条件有所变化。氢退火温度越高，Ce: YAP发光强度越大；氧气退火则相反，温度越高发光强度越低，其中强度变化在氢退火时表现得更为明显。

XEL谱（图4-10）综合了荧光和退火的结果。从退火实验可知，氢退火温度越高，Ce: YAP发光强度越大，且峰位越往短波方向移动；氧气退火则相反，温度越高发光强度越低。XEL 峰位移动与透过谱中吸收带的移动直接相关，其中峰位和强度的变化充分说明退火气氛和温度对Ce: YAP发光的影响

不同厚度的Ce: YAP晶体样品的透过谱。不同厚度Ce: YAP晶体的透过性能有很大差别，随厚度增加，样品的透过边发生明显红移。由图4-3 为不同厚度Ce: YAP 晶体样品的X射线激发发射谱，随样品的厚度增加，X射线激发发射谱强度明显降低, 且峰位发生红移。考虑到样品具有相同浓度和发光面积，光致荧光强度基本相同，我们对365nm激发的发射谱作了归一化处理并与透过谱进行对比。把样品归一化后365nm处的发射峰与其透过谱相乘并进行积分，可反映自吸收对样品发光效率的影响。同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。

不同浓度Ce: YAP的荧光光谱，在可见光激发下（300nm），不同浓度Ce: YAP 的荧光强度先随浓度增加直到0.5at%，当浓度为1.0at% 时，已出现浓度淬灭，发光强度开始下降。如4-7所示，在X射线激发下相同厚度（5mm）的Ce: YAP晶体随浓度增加发光强度先增加后减小，且峰位也存在红移，其中0.3at% 发光强度比较大。由于光致激发时受激和发射过程都发生在样品表面，自吸收对光致发光基本没有影响。在高能射线激发下，晶体在多次离化过程后，在内部产生大量电子空穴对，电子空穴对再把能量传给发光中心，发光过程基本在晶体内部发生。联系Ce: YAP晶体透过谱的结果，由于吸收峰与发光峰存在重叠，高能射线激发发光受自吸收的影响会比较明显。把晶体的透过谱和光致激发谱相乘，发现不同样品的结果均与对应的X射线激发发射谱相重合，表明Ce: YAP样品在X射线激发下发射峰随厚度或浓度增加产生的红移基本是由自吸收造成的。    Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？北京质量好CeYAP晶体订做价格

Ce:YAP一种典型的无机闪烁晶体，具有高光输出和快速衰减特性，可广泛应用于各种闪烁检测领域。江苏专业生长CeYAP晶体订做价格

为了***籽晶中的缺陷向晶体中延伸，可采取必要的缩颈工艺。主要通过手动慢升温生长工艺来实现，也可以使用适当的升温程序。当提拉的晶体缩颈到所需尺寸(约Φ4-5mm)并维持一段时间后，启动生长程序进入生长过程。晶体放肩到合适的尺寸后(约Φ55~60mm)，自动进入等径生长阶段。晶体等径生长的长度约为100mm，加液面下降部分，等径全长在120mm左右。提拉后再用设定的降温程序冷却至室温，生长结束。下图为部分我们用提拉法生长的大尺寸Ce:YAP晶体。

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