福建CeYAP晶体供应

不同厚度的Ce: YAP晶体样品的透过谱。不同厚度Ce: YAP晶体的透过性能有很大差别，随厚度增加，样品的透过边发生明显红移。由图4-3 为不同厚度Ce: YAP 晶体样品的X射线激发发射谱，随样品的厚度增加，X射线激发发射谱强度明显降低, 且峰位发生红移。考虑到样品具有相同浓度和发光面积，光致荧光强度基本相同，我们对365nm激发的发射谱作了归一化处理并与透过谱进行对比。把样品归一化后365nm处的发射峰与其透过谱相乘并进行积分，可反映自吸收对样品发光效率的影响。CeYAG晶体的吸收光谱是？福建CeYAP晶体供应

我们比较了Ce, YAP 和 Ce, Mn: YAP 的 XEL 谱（图 4-50），从曲线可见，掺杂 Mn 离子后，Ce3+ 在 YAP 中的发光强度明显减弱，且发光峰与荧光激发峰有相似的红移。530nm 波段出现一较强的宽带发光峰，属于 Mn2+ 离子的 4T1→6A1 跃迁[105]。由于 Ce3+ 发光和 Mn4+ 发光在 320 - 420nm 波段激发峰存在重叠，说明 Ce3+ 和 Mn4+ 之间可能存在能量转移过程。XEL 中 Ce, YAP 和 Ce, Mn: YAP 在 530nm 波段的发光强度相似，但 Ce, Mn: YAP 在 714nm 的发光明显增强。样品中 Mn 的掺杂浓度相同，由于存在 Mn4+ 离子夺取 Ce3+ 离子电子的过程：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+ [114]，因此 Ce, Mn: YAP 中 Mn4+ 发光强度本应该偏低。因此在样品尺寸和测试条件均相同的情况下，可以认为 Ce, Mn: YAP 中 Ce3+ 离子把能量传给了 Mn4+ 离子。上海专业加工CeYAP晶体Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体具有良好的物化性能，是无机闪烁晶体中较有优势的晶体.

快电子不仅能和内壳层电子相互作用而且也能和价电子相互作用，这种相互作用产生电子统一体也就是等离子体的集体振荡。这种振荡出现的原因是离化过程中产生的自由电子的附加场和固体中的电子互相排斥引起的。这种集体的振荡表现为在晶体体积范围内的纵向电荷密度波动，可以认为是一些具有能量Ep = hωp的准粒子在运动，ωp是等离子体的频率。在绝缘体和半导体中，典型的等离子体能量Ep为10到20 eV，寿命约为10-15 s。一个快电子在通过晶体时，将在它身后留下一团等离子体，这些等离子体将衰减成电子－空穴对。

在上式(1.3)中，c为光速，me为电子质量，e为电子电荷，λ为发光波长，f为发光跃迁的振子强度，n为闪烁体的折射率。显然，发射波长处于紫外范围的闪烁体和折射率较高的基质可能具有较快的衰减时间，这和一些实验结果相符合。通过上述公式进行计算，对于电偶极允许跃迁，其**快的衰减时间是几个ns。

实际上，对于大多数的无机闪烁晶体，具有两个甚至更多的衰减时间常数。对于具有两个衰减时间常数的晶体，其发光强度随时间的变化可以表示如下：

J(t) = exp(-t/τ1) ＋ exp(-t/τ2)   无机闪烁晶体的闪烁机理是什么？

新生长的Ce: YAP 晶体中Ce3+ 浓度与原来样品的Ce3+ 浓度基本相同，说明还原气氛生长对Ce3+ 数量的影响不是很大，可基本排除价态变化引起的Ce3+ 离子增加造成荧光增强的可能性。其中Ce3+ 数量变化不大可能与还原气氛生长时Ce4+ 减少和Ce2+ 增加造成的相互抵消有关。Ce: YAP晶体的XEL谱，由于自吸收的减弱以及样品本身发光的增强，还原气氛下生长的Ce: YAP晶体不但发光增强，而峰位发生明显蓝移。从图4-34可见，还原气氛下生长Ce: YAP晶体衰减时间的快慢成分分别为34.1ns和 91.0ns，较惰性气氛生长晶体均有所增大。衰减时间增大可能与晶体在还原气氛生长时氧空位等其他电荷捕获缺陷增加相关，因此氢气的比例等具体生长条件还需要进一步优化同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。河北CeYAP晶体哪里买

Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。福建CeYAP晶体供应

（4）生长参数：根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件，通过观察YAP熔体对流状态，本论文选择晶体转速为10-20RPM；考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大（约为0.5）和晶体的尺寸（Φ55mm），实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。

（5）生长流程：装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。

在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。

为了保护铱坩埚，减少铱金损耗，我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa，然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛，炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后，仔细观察熔体液流状态，准备下种。条件允许情况下，可适当提高炉内温度，使原料保持过热状态一段时间，通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率，使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右)，并保持恒温，同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况，并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后，将籽晶与熔体接触，并连续观察籽晶变化，使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右，并且光圈亮度保持稳定。 福建CeYAP晶体供应