110方向CeYAG晶体技术指导

时间:2021年05月27日 来源:

Ce:YAG晶体-无机闪烁晶体-无机闪烁晶体的性能特征。表征无机闪烁晶体的物理量主要包括:光产额或光输出、光衰减时间、有效原子序数和密度、光学性质(发射波长、透射特性和折射率)、辐照强度和晶体的热力学性质。此外,晶体成分的均匀性、生长大尺寸晶体的难度以及晶体的价格也是衡量无机闪烁晶体性能的常用参数。在大多数应用领域,主要与闪烁机理有关的无机闪烁晶体的基本性质有:闪烁效率和光输出、光衰减、有效原子序数和密度等。[7][8][9][14][24].Ce: YAG(TGT)的切片样品 吗?110方向CeYAG晶体技术指导

在大多数无机闪烁晶体中,经常显示两个或更多的光衰减时间常数,它们分别对应于快成分和慢成分。BaF2晶体是目前所有无机闪烁晶体中光衰减常数0快(约0.8ns)的闪烁材料。此外,BaF2还具有约600毫微秒的慢分量[5][52][21]。

在许多闪烁计数应用中,不只无机闪烁晶体的光衰减性能特别重要,其光输出性能也同样重要。因此,品质因数(M)通常用于表征无机闪烁晶体的性能,M指光输出与光衰减的比率[13]

一般来说,m值越大意味着检波器的信噪比越好。 贵州CeYAG晶体服务电话Ce:YAG闪烁晶体在使用过程中有什么缺陷?

研究Ce:YAG闪烁晶体中Ce离子分布特征,对研究YAG闪烁晶体的性能及其应用具有重要的现实意义。值得注意的是,优良高温闪烁晶体Ce:LSO和Ce:LuAP也同样遭遇铈离子发光中心分布不均匀的问题。所以,研究Ce离子在YAG晶体中的分凝问题对其它高温闪烁晶体的研究具有借鉴作用。

另外,由于Ce离子分凝系数小,通常在提拉法生长Ce:YAG晶体的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。因此,探索其它的高温闪烁晶体的制备方法也具有重要的意义。

Ce:YAP晶体中Ce3+离子5d→4f跃迁对应的荧光谱是一个在330nm~400nm之间的谱带,其峰值约为365-370nm;Ce3+光致激发荧光强度以单指数形式衰减,在室温下其衰减常数约为16ns[73]。当高能射线和粒子激发所产生的闪烁光的衰减常数远大于16ns,一般在22-38ns之间,而且还有慢成分以及较强的背景存在[8][70],如图1-5所示[8]所示。这主要是由于电荷载流子在Ce3+离子中心的延迟复合所致。

另外,不同生长方法以及不同的后热处理工艺对Ce:YAP晶体的吸收及荧光谱有较大影响。这主要是由于不同生长方法的晶体中存在不同性质的色心以及存在的Ce离子价态(Ce4+对Ce3+有猝灭作用[59])所致。因此,不同生长方法所获得的Ce:YAP晶体的闪烁性能将不同。Baryshevsky等[72]研究了提拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特征,提出了这两种方法晶体中存在的色心模型,如图1-6所示[72]。真空气氛获生长的晶体中的色心为电子捕获型色心,即F(VO+2e)和F+(VO+e)等;提拉法中色心类型主要为空穴捕获型色心,即Vc2-(Vc+h)和Vc-(Vc+2h)等,而且以(F+-Vc-)组态出现 Ce:YAG晶体的密度是多少?

快衰落闪烁机制

在几乎所有的闪烁计数领域,都要求无机闪烁晶体具有快速的时间衰减常数。光衰减时间小于50ns的闪烁体通常称为快闪烁体,光衰减时间小于3n的闪烁体称为超快闪烁体。文献[21]总结了三种主要的快速光衰减机制,即:

(1)中心价跃迁。对应于这种跃迁的闪烁荧光也称为交叉荧光或俄自由荧光,简称CVL。这种发光机制的光衰减通常只有0.6-3 ns超快荧光,没有温度猝灭效应[21]。这种荧光0早发现于BaF2晶体(=220 nm,0.8ns),是由外中心带(5pBa)的空穴和价带(2pF)的电子复合而发出的超快荧光[14] Ce:YAG晶体抛光难度大吗?湖北***CeYAG晶体

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