吉林CeYAG晶体供应

Ce3+离子的光谱是由不同宇称的5d－4f跃迁所产生的，所以晶场对光谱具有重要的影响。YAP晶体具有畸变的钙钛矿型结构，属于正交晶系（晶胞参数分别为a=5.176Å, b=7.355Å，c=5.307Å），空间群为－Pnma[66]。在YAP晶格中，Al3+离子占据着钙钛矿型结构中C1格位对称性的B位置，其配位数为8；Y3+离子占据着该结构中C1h对称性的A位置，其配位数为12[73]。当Ce3+离子进入YAP晶格中，Ce3+离子取代具有C1h对称性的Y3+离子。4f1电子组态的Ce3+离子的基态由2F7/2和2F5/2两重态组成，在室温下，1个电子占据基态2F5/2；其5d态在低对称晶场（C1h）作用下分裂成5个子能级。Ce3+离子在YAP晶体中的能级图如1-4所示[67]，其能级重心约为38300cm-1，f-d吸收和发射的斯托克斯频移约为4500cm-1。当电子在5d－4f能级之间跃迁时形成宽带吸收激发以及发射光谱。在180－300nm范围内对应5个吸收带，峰值波长分别为220nm，238nm，275nm，290nm和303nm（一般在图谱上只能观察到后面4个峰值波长），但在其激发光谱上5个激发带都可以分辨（对应370nm发射）。YAP晶体的基本吸收边（禁带宽度）约为7.6eV[73]。Ce：YAG晶体有<111>晶向的吗？吉林CeYAG晶体供应

ce:YAG晶体属于无机闪烁晶体，无机闪烁晶体机理2：电子空穴对的产生。由于原子内层电子能级之间的跃迁，会产生X射线，可能被闪烁体重新吸收，产生新的空穴和自由电子；另一方面，具有较高能量的初级光电子和次级俄歇电子主要通过下式(1.2)的级联电离过程弛豫以耗散它们的能量。

A  + e   A  2 e

A  + 2 e   A  3 e

另外，在电子－电子驰豫过程中，电子还可以通过在晶体中形成F、H以及其它的点缺陷而损失其能量。0终将在无机闪烁晶体中形成大量的导带电子、价带空穴以及芯价激子等。在闪烁的第二阶段，一些快速电子还会与原子的价电子相互作用而引起电子连续的集体振荡，形成元激子(Plasmons)，其能量一般为10到20eV，寿命为10-15秒。闪烁晶体中的元激子会衰减为电子空穴对。 湖北CeYAG晶体生产厂家Ce: YAP和Ce: YAG是较为典型的两种高光输出快衰减高温无机闪烁晶体，已经在很多场合获得应用.

（2）能量分辨率高，γ/α射线响应好[75] [77][82]。Ce:YAP晶体在662kev的γ-射线(137Cs源)辐照下，其能量分辨率达到4.38-5.5%，如果扣除光电子统计涨落对其影响，Ce:YAP晶体的本征能量分辨率约为1.3-3.4%，这是现有闪烁材料中具有比较好能量分辨率的材料之一[77][82]，另外，对于22Na及241Am作为辐射源，YAP:Ce同样对其发出的γ-射线有很好的能量分辨率[77]。由于Ce:YAP闪烁晶体具有较大的康普顿吸收截面和较低的K吸收边能量（如图1－8所示[75]），使得在20-3,000KeV能量范围内晶体对能量依赖性小[75]，低γ能量处比例性好[82]。

在能量E=7687kev的α-粒子（226Ra源）辐射下，Ce:YAP晶体的能量分辨率为2.5%。在其它几个峰也低于3%，因此YAP:Ce对于α-粒子的探测在一个相当大的能量范围内线性响应。同时，Ce:YAP闪烁晶体区分α粒子和γ射线能力强（光输出比α/γ约为0.3），可以广泛应用于轻重粒子的探测领域中[77]。

当光线与闪烁晶体相互作用时，晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关)，可以得出：

无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(，Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关。

NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48，000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。

光衰减(衰减时间常数)

通常，在闪烁晶体中，闪烁光的强度从零瞬开始增加，并达到比较大值I0(t=0)，然后闪烁光将指数衰减(当用一阶动力学处理时) Ce：YAG晶体常规尺寸是多少？

（3）时间分辨率高[77]，辐照强度大[74]。闪烁晶体的时间分辨率正比于(τ/LR)1/2，τ为衰减常数，LR为光产额。因为Ce:YAP闪烁晶体具有高光输出快衰减，所以其时间分辨率高。对于60Co的γ-射线（能量限值为1Mev），其时间分辨率为160±8ps，对于22Na源其时间分辨率为230±14ps，这些值都与Ce:LuAP高温闪烁晶体的时间分辨率相当[77]。

Baccaro等[74]采用不同剂量60Co射线研究了Ce:YAP闪烁晶体的辐照强度，结果表明在较低剂量（10Gy）辐照前后晶体透过率几乎没有任何变化，但在较高剂量（3.5~100kGy），辐照后晶体透过谱的吸收边红移了约100nm。同时，由于晶体截至能量和光衰减的特性，尺寸为Φ25×15mm的Ce:YAP在5μR/h－1R/h曝光剂量下可以使用长达50年之久[75]。 有Ce:YAG晶体的光致荧光谱吗？重庆111方向CeYAG晶体

Ce:YAG闪烁晶体有什么光学性能？吉林CeYAG晶体供应

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