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不同温度退火的Fe: YAP样品的吸收光谱和差分吸收光谱

是Fe: YAP样品在不同温度退火后的吸收光谱和微分吸收光谱。Fe: YAP晶体的吸收光谱在203纳米、246纳米、270纳米和325纳米附近有吸收峰。差示吸收光谱显示，氢退火后264 ~ 270纳米波长范围内的吸收明显减弱，氧退火后321纳米出现差示吸收峰。可以认为246 nm和270 nm处的吸收与Fe3有关，即Fe3和Fe2之间存在跃迁[102]。除了321nm处的吸收，YAP: Fe的几个吸收峰与纯YAP晶体的吸收峰有一定距离，这不能解释纯YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰与铁有关。 CeYAP晶体一般常规浓度是多少？江苏加工CeYAP晶体

掺杂浓度为3at%的YAP:Mn晶体呈多晶形态，单晶生长未获成功，我们认为这与Mn4+在YAP晶体中分凝系数较小有关。Mn4+进入YAP晶格取代Al3+离子所必需的电荷补偿除一部分由Mn2+离子提供外，主要由YAP晶体中本身存在的大量Y3+离子空位(VY)提供。由于电荷补偿，离子半径与电负性的差异，YAP晶体中掺杂的Mn离子浓度不能过高。根据文献[27]Mn离子在YAP中的分凝系数约为0.1～0.12,分凝系数低说明Mn离子不易进入YAP晶格。M. A. Noginov等成功生长了YAP:Mn(2at%)晶体[184][185]，这是目前为止报道的比较高Mn离子掺杂浓度的YAP晶体。YAP:Mn(3at.%)单晶生长失败可能是因为Mn离子浓度过高，熔融中大量Mn离子无法进入YAP晶格，导致单晶生长失败。上海CeYAP晶体现货Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？

另一个类似于辐射长度的物理量叫做摩尔半径(RM):RMX0 (Z  1.2)/37.74(1.13)

小摩尔半径有利于减少其他粒子对能量测量的污染。吸收系数、辐射长度和摩尔半径与晶体密度直接或间接成反比。因此，寻找高密度闪烁晶体已成为未来闪烁晶体的一个重要研究方向。为了减小探测器的尺寸和成本，希望探测器越紧凑越好。因此，要求闪烁晶体在防止辐射方面尽可能强，表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。

晶体中e3的电子结构、能级结构和发光特性

表1-3给出了镧系元素的电子壳层结构和离子半径。从表中可以看出，Ce元素的电子结构为[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的电子结构以[Xe]4f1为特征，Ce3的内部电子结构为惰性原子结构，0外层只有一个电子结构，所以Ce3在晶体中具有独特的能级结构和发光特性[10-12]:

(1)Ce3离子的一个电子在4f能级上L=3，在5d能级上L=2，它们的宇称不同，所以Ce3离子的5d-4f跃迁是允许的电偶极子跃迁。在这个允许的5d-4f跃迁中，电子在5d能级的寿命很短，一般在低5d能级的30~100ns，所以作为闪烁晶体的发光中心，它的衰变时间很短。

与卤素化合物晶体相比，氧化物晶体具有优异的热力学性质和稳定的化学性质。因此，铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体，包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐和磷酸盐，已经引起了极大的关注和光泛的研究[29，30]。下表总结了铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体的基本闪烁特性[30]。由表可知，大多数掺铈离子的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快速衰减的特性，尤其是掺铈离子的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁特性，如Ce:YAP、Ce3360YAG、Ce:LSO和Ce3360Lyso，被认为是新一代高性能无机闪烁晶体[18-28][30]。

硫化物闪烁晶体的带隙较小，铈离子掺杂的硫化物闪烁晶体也具有光衰减快、密度大的特点。例如Ce:Lu2S3晶体具有高光输出(约30000光子/兆电子伏)、快速光衰减(约32纳秒)、重密度(约6.25克/立方厘米)和高有效原子序数(Zeff=66.8)的特点。但是硫化物晶体也很难生长，不受人青睐[31]。 无机闪烁晶体的闪烁机理是什么？

可以假设这种情况存在于NaI: Tl闪烁体中，因为其中Vk中心的迁移时间小于10-7s。另一个模型假设空穴与Vk中心分离，从价带向发光中心移动。由于非局域空穴的高迁移率，这是一种将能量转移到发光中心的快速方法。

闪烁过程的后面一个阶段，即发光中心的发射，已经得到了彻底的研究。我们上面已经提到了一些启动过程。目前发光中心一般分为内在和外在两类。卤化物和氧化物的本征发光主要受自陷激子效应的制约。非本征发光主要取决于激发剂本身的电子跃迁(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基质与激发剂之间的跃迁(znse3360te，zns:ag)。而一些所谓的自激闪烁晶体(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)处于本征发光和非本征发光的中间状态。 闪烁材料的发展历史可以大致分为几个阶段？。天津CeYAP晶体供应

Ca2+离子和Si4+离子掺杂对Ce : YAP晶体有哪些影响？江苏加工CeYAP晶体

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