陕西抛光CeYAP晶体

时间:2021年03月17日 来源:

需要注意的是,在高活化剂浓度的晶体中,也有可能是热电子碰撞激发了发光中心。电子和空穴在迁移阶段的能量损失取决于电子和空穴相对于发光中心的空间分布。如果激发路径中产生的电子空穴对位于发光中心附近,复合过程将是有效的;否则,这些电子或空穴将被俘获。在无机晶体中,各种杂质和晶格缺陷可以用作电子和空穴的陷阱。例如,离子晶体中的阴离子空位是电子的有效俘获中心。捕获电子的阴离子空位是稳定的电子缺陷,即F中心(如图1-3所示)。如果电子或空穴被深陷阱俘获,这些俘获的载流子将不会参与闪烁过程。掺杂到晶体中的活化剂也会导致陷阱的形成。当CsI和NaI含有超过0.02%的Tl时,将在晶体中形成复合活化剂中心(聚集体)。这些聚集体也是晶体中的深陷阱。因此,Tl掺杂浓度为0.02%至0.03%的NaI和CsI显示出比较大光输出怎样才能把CeYAP晶体抛亮?陕西抛光CeYAP晶体

闪烁过程的第二阶段0为复杂多变。空穴和电子的弛豫过程是不同的。内壳被电离的原子(A)可以通过辐射跃迁发射光子来弛豫,或者通过产生二次电子(俄歇电子)在没有辐射的情况下弛豫。一般没有辐射衰减的概率远大于辐射衰减的概率。像初级电子一样,俄歇电子通过散射电子和发射声子来损失能量。原子内壳层电子能级之间的辐射跃迁能一般等于X射线的能级这第二个X射线光子可以被另一个原子吸收产生新的深空穴和自由电子。结果,空穴从原子(a)的k层跑到l或m层,然后参与下一步的弛豫过程。因此,内壳含空穴原子(a)的弛豫过程是无辐射跃迁和辐射跃迁的叠加过程,所需时间一般为10-13 ~ 10-15s天津CeYAP晶体成本价不同退火条件Ce:YAP晶体自吸收比较。

(Ce3离子从5d态跃迁到2F7/2和2F5/2产生的两个发射带通常位于紫外和蓝社区域。当5d能级受到外场影响时,其能级位置降低很多,发射带延伸到红区,因此Ce3离子的发射带位置差别很大,可以从紫外区延伸到可见光区,覆盖范围> 20000 cm-1。如此大范围的变化超出了其他三价稀土离子的能力。该外场的影响与基质的结构及其结合键有关

(Ce3离子的单个4f电子由于自旋方向不同,有两个能级,2F7/2和2F5/2,2F5/2在较低的2F7/2上,两者的能量差为2000 cm-1。根据气态Ce3离子的光谱,它们的能量差为2257 cm-1。室温下,2F5/2能级有一个电子,2F7/2能级基本上是空的。2F5/2和2F7/2之间的跃迁一般在红外波段。

不同温度退火的Fe: YAP样品的吸收光谱和差分吸收光谱

是Fe: YAP样品在不同温度退火后的吸收光谱和微分吸收光谱。Fe: YAP晶体的吸收光谱在203纳米、246纳米、270纳米和325纳米附近有吸收峰。差示吸收光谱显示,氢退火后264 ~ 270纳米波长范围内的吸收明显减弱,氧退火后321纳米出现差示吸收峰。可以认为246 nm和270 nm处的吸收与Fe3有关,即Fe3和Fe2之间存在跃迁[102]。除了321nm处的吸收,YAP: Fe的几个吸收峰与纯YAP晶体的吸收峰有一定距离,这不能解释纯YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰与铁有关。 CeYAG晶体应该如何退火?

Ce: YAP晶体的退火

刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大,在加工过程中容易开裂,提拉法生长的晶体明显,同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心,因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。

对于空气退火,退火温度为1000 ~ 1600,恒温时间为20 ~ 30小时,1200以下升温/降温速率为50 ~ 100,1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉

流动氢退火,退火温度1200-1600,恒温时间20-36小时,1200以下升温/降温速率50-100/小时,1200升温/降温速率30-50/小时。 不同浓度Ce:YAP晶体自吸收比较。吉林专业生长CeYAP晶体

YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.陕西抛光CeYAP晶体

钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶是一种优良的激光基质材料和光学衬底材料,其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体得到了普遍的应用。Ce:YAG晶体作为闪烁材料在1992年引起了人们的注意[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]分别于1994年和1997年系统地研究了Ce:YAG晶体的闪烁特性,指出Ce:YAG晶体具有优异的闪烁特性。Ce:YAG衰减快(80ns),在530nm处发出荧光,其发射波长与硅光电二极管的探测敏感区相匹配,因此可应用于低能射线粒子的探测等领域[33]。目前Ce:YAG高温闪烁晶体已经商业化,主要用于扫描电子显微镜(SEM)的显示元件,其生长方法主要有直拉法和温度梯度法。近年来,Ce:YAG单晶薄膜[84]和Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体以其独特的优势引起了人们的关注。陕西抛光CeYAP晶体

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