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发光中心的激发和发射
闪烁过程的第四阶段可以称为迁移阶段，因为迁移的电子激发并向发光中心转移能量。通过电子空穴对与激子转移能量是可能的。在第一种情况下，通过依次捕获一个空穴和一个电子(电子复合发光)或者依次捕获一个电子和空穴(空穴复合发光)来激发发光中心。比如碱卤晶体中的Tl和Ag主要是通过电子复合发光。
Tl h Tl2，Tl2 e h
但是空穴复合发光也是可能的
Tl e Tl0，Tl0 h h
在无机晶体中，能量通过激子转移到发光中心的几率小于复合发光的几率。一般认为，在辐照过程中，低能激子数小于电子空穴对数。为了形成激子，入射电子(光子)的能量应该正好等于激子的能量 同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。专业生长CeYAP晶体量大从优
Ce: YAP晶体自吸收机制分析
从以上实验可以看出，存在自吸收的累积效应，随着厚度和浓度的增加而增加。在氧气氛中退火后，自吸收增加，而在还原气氛中，自吸收减少。自吸收随ce离子浓度的增加而增加，与Ce离子有明显的相关性，说明杂质离子引起自吸收有两种可能：一种可能是Ce原料附带的；另一种可能是其他原料中的杂质可以与Ce离子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有杂质附着，CeO2原料纯度为5N，Ce离子的熔体浓度小于0.6%，两者之间的倍增为0.1ppm数量级，那么这种杂质的可能性很小。 陕西CeYAP晶体成本价有Ce离子之间的能量转移过程介绍吗？
发光是一种能量被物体吸收并转化为光辐射(不平衡辐射)的过程，具有普遍的应用领域。闪烁体作为高能粒子探测和核医学成像，是目前发光领域的重要研究内容。闪烁现象是指粒子束或射线作用于某种物质产生的脉冲光。它更重要的特点是发出的光具有极快的衰减时间。具有这种性质的材料称为闪烁体或闪烁材料。利用荧光物质的发光现象来记录核辐射早就开始了。长期以来，闪烁体作为一种非常重要的电磁量热仪材料，在高能物理、核医学成像、核技术和工程中得到了普遍的应用。自从我们使用闪烁材料探测辐射以来，已经将近一个世纪了。在本世纪，一些重要的闪烁材料因其商业应用前景而得到广泛应用，或者因其优异的性能而在科学研究中得到普遍关注和发展。
不同退火条件下Ce: YAP晶体自吸收的比较
为了比较不同退火条件下退火对自吸收的影响，我们测量了相同厚度(2mm)和浓度(0.3%)的Ce: YAP晶体在不同温度和气氛下退火后的透射光谱、荧光光谱和XEL光谱。从图4-8可以看出，直拉法生长的Ce: YAP晶体经氢退火后透射边蓝移，自吸收减弱。当进行氧退火时，通过边缘红移增强了自吸收。氢的退火温度越高，自吸收越弱。氧的退火温度越高，自吸收越强。然而，退火温度的上限约为1600。如果温度太高，晶体容易起雾，导致几乎不渗透。 不同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。
当强度为J0的入射辐射穿过厚度为为x,的材料时，出射辐射的强度可以近似表示为：
J=J0exp(-x) (1.8)
其中为线性吸收系数。就伽马射线而言，它们主要与固体中的电子相互作用。此时主要取决于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面e，所以线性吸收系数也可以表示为：
==(1.9)
上式中的z袋表闪烁体的有效原子序数。闪烁晶体通常要求对入射辐射有较大的吸收系数。例如，对于层析成像技术，使用吸收系数大的材料不只可以使探测器尺寸紧凑，还可以提高其空间分辨率。空间分辨率对于核物理和高能物理实验中使用的探测器尤为重要。
有时线性吸收系数被质量吸收系数微米=/d (d袋表密度)代替。因为质量吸收系数与材料的晶体结构和相态无关。 过渡金属掺杂对YAP晶体透过边有哪些影响？甘肃CeYAP晶体市场价格
Ce:YAP晶体如何退火？专业生长CeYAP晶体量大从优
上式(1.10)中的Wi是构成晶体的原子I的重量百分比，Zi是构成晶体的原子I的原子序数。
入射到晶体中的光子和电子(或正电子)在晶体中经过一定距离后能量下降到1/e。这个距离称为晶体的辐射长度(通常表示为X0)。它袋表闪烁体对辐射的截止能力。从上面的定义可以得出结论：
X0=1/ (1.11)
可以看出，辐射长度(X0)与吸收系数()成反比，所以吸收系数越大。辐射长度越短。辐射长度可由以下公式近似表示：
X0=180A/(Z2) (1.12)
其中a为原子量，z为有效原子数，为密度。从这个公式可以看出，有效原子序数和密度越高，晶体的辐射长度越短。由于电磁量热仪用闪烁晶体的长度一般为20 X0，因此使用辐射长度较小的晶体有利于减小探测器的尺寸。另一方面，辐射长度越长，所需的材料越长，很难保证材料的均匀性。 专业生长CeYAP晶体量大从优
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