北京高科技CeYAG晶体

铈离子掺杂氯溴化物闪烁晶体铈离子掺杂氯溴化合物闪烁晶体的主要闪烁性能见下表1-7所示[9]。和铈离子掺杂的氟化物闪烁晶体相比，大多数氯溴化物闪烁晶体具有更小的γ射线探测效率，而且这些晶体的光衰减较长，慢成分较强。但是，值得注意的是表1-7中的5mol%和10mol%掺杂的Ce:RbGd2Br7闪烁晶体具有非常好的闪烁性能，首先，它比NaI:Tl晶体有更高的闪烁探测效率和光输出；发射90%的闪烁光所用的时间与NaI:Tl晶体相当，并且其相应上升时间短；另外，在已知闪烁晶体中，它在662KeV处具有比较好的能量分辨率（约为4%）[9]。但是，与其它卤素化合物闪烁晶体一样，Ce:RbGd2Br7晶体易潮解而且非常脆，热力学性能差Ce：YAG晶体有<111>晶向的吗？北京高科技CeYAG晶体

温度梯度法生长Ce:YAG高温闪烁晶体的优点是：(1)温度梯度法生长过程中，坩埚、晶体和加热区不移动，消除了机械运动引起的熔体涡流。晶体生长在稳定的温度梯度场中，在一定程度上压迫了熔体涡旋和对流，可以消除固液界面的温度和浓度波动，避免过多的缺陷；(2)新生长的晶体被熔体包围，从而可以控制其冷却速率，以降低晶体的热应力和由此产生的缺陷，如裂纹和位错；(3)与通常的直拉法相比，温度梯度法采用Mo坩埚，不但可以生长更大的单晶，而且降低了成本；(4)温度梯度法的整个生长体系处于弱还原气氛中，对于生长掺Ce3的高温闪烁晶体具有一定的优势。

当然，为了获得高质量、大尺寸的Ce:YAG高温闪烁晶体，需要根据YAG晶体的特性优化生长系统的温度场，即采取必要的措施调整生长系统，使晶体的固液界面平整，从而克服YAG晶体刻面生长严重的问题。

云南CeYAG晶体现货Ce:YAG闪烁晶体有哪些缺陷?

无机闪烁晶体可用于安全检查和反恐斗争

安全检查和反恐斗争不但关系到人民生命财产的安全，也关系到国家和社会的利益，甚至关系到全世界的利益。美国“9.11”事件向世界爱好和平的人民证明了这一点。核探测技术在国际安全检查和反恐斗争中发挥着重要作用。例如，利用核技术检测机场列车中的行李和邮件，检测爆破和火灾等安全隐患，以及由公安和海关等部门检查BaF2和BGO等无机闪烁晶体是一种安全、可靠、快速、方便的有效方法，在该领域具有很大的应用潜力[37]。据统计，如果高效高密度无机闪烁晶体的价格能够控制在3美元/cm3的范围内，那么近十年在行李检查中的应用将超过10亿美元[[39]。因此，这是一个非常有吸引力的应用领域。

根据出现的顺序，无机闪烁晶体的闪烁机制可分为以下五个阶段：

1.电离辐射的吸收和初级电子和空穴的产生；

2.一次电子和空穴的弛豫，即产生大量的二次电子、空穴、光子、激子等电子激发；

3.低能二次电子和空穴的弛豫(热化)，即形成能约为能隙宽度Eg的热化电子-空穴对；

4.电子和空穴向发光中心的热传递和发光中心的激发；

5.激发态的发光中心发出紫外或可见荧光，即闪烁光。

为了研究方便，人们往往将上述五个闪烁步骤分为两部分：(1)电子-空穴对的产生(前三个阶段)和(2)发光中心的激发和发射(后两个阶段)。

Cz-Ce:YAP晶体的光学性能?

工业CT的在线检测,无机闪烁晶体与光电倍增管或硅光电二极管耦合构成的探测器是工业XCT的重要组成部分，也是工业CT的中心技术之一。工业CT需要密度大、衰减快、光输出高的闪烁晶体，就像医用XCT一样。目前，CsI:Tl、BGO、CdWO4等无机闪烁晶体在工业CT在线检测领域具有潜力和巨大的应用前景[。

油井勘探，石油钻井有几千米深，伽马探头可以遥测地层特征，从而判断资源。世界石油勘探的三分之一是核测井的贡献。利用核测井技术可以快速准确地勘探和反映不同生产井的情况。核测井的经济效益0突出，年营业额估计几十亿美元。闪烁晶体作为油井探测器的探头，要求具有良好的能量分辨率(高光输出)，更重要的是要求具有良好的温度特性(耐高温)、抗振动等力学特性。到目前为止，NaI:Tl仍被很广使用，但随着计数率和探测效率的提高，需要快速、高原子数的闪烁体。BGO的z值高于NaI:Tl，但温度特性较差，即BGO的输出光强随温度的升高而急剧下降。GSO:Ce似乎很有前途，因为该检测器无需冷却即可保持高检测效率

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上海Ce：YAG晶体厂家有吗？北京高科技CeYAG晶体

深度剖析Ce:YAG晶体。Ce:YAG晶体属于无机闪烁晶体。发光中心的激发与发射之无机闪烁晶体中的发光中心，可分为本征发光中心和非本征发光中心。本征中心包括：，自陷激子(STE)、基质的组成原子，或原子团以及晶格中的杂质，或其他点缺陷。非本征发光中心，主要包括人工诱导的激发中心。发光中心主要通过依次捕获电子和空穴，或者依次捕获空穴和电子来激发。终，被激发的发光中心发出紫外或可见光子，即闪烁光的发射。

C ＋ h → A+      C+ ＋ e → (C)*       (C)* → hν   

上式表示了发光中心激发与发射过程：上式中发光中心C表示，空穴、电子：h、e表示，(C)*表示处于激发态的发光中心。 北京高科技CeYAG晶体

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