南通二硼化锆靶选型
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。4..密度为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。磁控溅射金属靶时,无法起辉的原因有很多,常见主要原因。南通二硼化锆靶选型
阴-阳极间距对靶溅射电压的影响:真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时,等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定,反之,在阴-阳极间距偏小时,将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时,如果阴-阳极间距过小,由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性,就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时,靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。 1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距 对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时,建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸; 2. 单磁控靶阴-阳极间距 靶电源带单磁控靶运行时,一般都不存在这方面问题;但是,在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题,磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。无锡硅铝靶工厂靶中毒的解决办法:采用闭环控制反应气体的通入量。
靶材安装及注意事项有哪些?溅射靶材安装过程中**重要的注意事项是一定要确保在靶材和溅射***冷却壁之间建立很好的导热连接。如果用冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲,背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响,导致在溅射过程中热量无法散发**终会造成靶材开裂或脱靶。为确保足够的导热性,可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。请注意一定要仔细检查和明确所使用溅射***冷却壁的平整度,同时确保O型密封圈始终在位置上。由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内,所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理,确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。
磁控溅射制备非晶硅薄膜 本实验采用石英玻璃为衬底,实验前先将玻璃衬底浸泡在溶液中,放到JHN- 4F(200 W)超声波清洗机清洗30 min;然后用分析乙醇同样在超声波清洗机中清洗30 min; 放入装有去离子水的烧杯中在超声波清洗器中清洗约30 min 后晾干。然后以高纯硅为靶材在JGP500型超高真空磁控溅射设备上,分别采用直流和射频方式制备了两块样品。在溅射前,预溅射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 样品采用直流磁控溅射方式, 溅射功率为100 W, 本底真空度6×10- 4 Pa , 溅射时间20 min,溅射气压0.5 Pa,衬底温度为室温。2#样品采用射频磁控溅射方式,溅射功率150 W,本底真空度6×10- 4 Pa,溅射时间120 min,溅射气压2.0 Pa,衬底温度为室温。样品1# 和2# 均切为3 小块,其中各保留一小块不做退火处理,其他的小块样品处理情况为1#750℃、1#850℃,2#750℃、2#850℃在马弗炉中退火1h。将1# 和2#未处理样品用拉曼激光诱导方法,研究非晶硅薄膜的晶化过程。5. 永磁靶表面场强是否下降太多? ---------如果下降太多,需要更换磁钢。
块状金属钯能吸收大量氢气,使体积胀大,变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼,常温下在空气和潮湿环境中稳定,加热至 800℃,钯表面形成一氧化钯薄膜。 二、主要产品: 1、钯 颗粒 99.99% 常规尺寸:φ3*6mm;量大可定做 2、钯 靶材 99.99% 常规尺寸:φ50*1mm;φ60*3mm;φ76.2*4mm等,尺寸可定做 3、电镜钯片常规尺寸:φ57*0.1mm *0.2mm 4、钯 箔片 99.9 2mm等,尺寸可定做 二、其他 : 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工 。 回收流程如下: 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Sc-I4006 钪 x 真空熔炼 Li-G30610 锂 颗粒 99.9% φ6*10mm 真空熔炼 Sr-I2011 锶 块状 99% 氮气包装 真空熔炼 Mg-G3514 镁 颗粒 99.93% 4mm类球形 真空熔炼 Mg-I3503 镁 块状 99.95% 200g/块 真空熔炼 Fe-G3533 铁 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Cr-G3501 mm 真空熔炼 Al-G4066 铝 颗粒 99.99% φ6*6mm 真空熔炼 Cu-G5033 铜 颗粒 99.999% φ3*3mm 真空熔炼 Cu-G3533 铜 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Ti-G3033 钛 颗粒 99.9% φ3*3mm 真空熔炼 Ni-G3025 镍 颗粒 99.9% φ2*5mm 真空熔炼 V-G3015 钒 颗粒 99.9% 树枝状
多弧离子镀或其他类型的镀膜设备在适当工艺条件下溅射沉积在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。南通二硼化锆靶选型
溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类。南通二硼化锆靶选型
溅射靶材的制备溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类,除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外,对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。一、粉末冶金法粉末冶金法制备靶材时,其关键在于:(1)选择高纯、超细粉末作为原料;(2)选择能实现快速致密化的成形烧结技术,以保证靶材的低孔隙率,并控制晶粒度;(3)制备过程严格控制杂质元素的引入。二、熔融铸造法熔融铸造法是制作溅射靶材的基本方法之一。为保证铸锭中杂质元素含量尽可能低,通常其冶炼和浇注在真空或保护性气氛下进行。但铸造过程中,材料组织内部难免存在一定的孔隙率,这些孔隙会导致溅射过程中的微粒飞溅,从而影响溅射薄膜的质量。为此,需要后续热加工和热处理工艺降低其孔隙率。
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江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市,是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司,溅射靶材充分借鉴国外的先进技术,并通过与国内外知名研发机构合作,整合各行业资源优势,生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属,合金,陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累,已经拥有:真空热压,冷压烧结,真空熔炼,热等静压,等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材:平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台,冷压烧结炉一台,真空熔炼设备两台,等静压设备一台,等离子喷涂两套,绑定平台两套,各类机加工设备七台,检验设备若干,确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承:“一切以客户的需求为导向,客户的所有需求一次做好。”的发展理念。
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