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非晶硅薄膜的制备方法 非晶硅薄膜的制备方法有很多，如低压化学气相沉积(LPCVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有：化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下，使固态非晶硅薄膜的硅原子被、重组，从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高温退火和激光诱导晶化的方式，利用X- 射线衍射及拉曼光谱，对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。南通镝靶功能
靶材材质对靶溅射电压的影响 1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。 2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。 3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。 4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。南京磁控溅射靶型号溅射靶材射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。
什么是真空镀铝膜，应用在哪些领域？ 真空镀铝薄膜是在薄膜基材的表面附着而形成复合薄膜的一种工艺，我国镀铝膜产能已达到40万吨。主要用于风味食品、日用品、农产品、药品、化妆品的包装。 真空镀铝薄膜是在高真空条件下，以电阻、高频或电子束等加热方式使铝熔化蒸发，在薄膜基材的表面附着而形成复合薄膜的一种工艺。在塑料薄膜或纸张表面镀上一层极薄的金属铝即成为镀铝薄膜或镀铝纸。 用于包装上的真空镀铝薄膜具有铝材用量少、耐折叠性高、阻隔性能高、抗静电等特点，使镀铝薄膜成为一种性能优良、经济美观的新型复合薄膜，在许多方面已取代了铝箔复合材料。主要用于风味食品、日用品、农产品、药品、化妆品等的包装。
磁控溅射镀膜中出现膜层不良的表现有哪些，如何改善？ 1.脱膜主要表现：点状/片状膜层脱落 原因分析：杂质附着，清洗残留，真空室脏，脏污、油斑、灰点、口水点， 膜层局部附着不良等。 改善：加强清洗，加强烘烤，环境管控（清洁干燥），对于多层膜系，底层须与基材匹配（吸附力、硬度、热膨胀）。 2.裂纹/暴膜主要表现： 网状裂痕/龟裂/起泡脱膜，出炉外观OK，放置一段时间后爆裂/起泡脱膜。 原因分析：镀膜过程基材加热不充分，成膜后及出炉后降温过快，膜层应力累积， 膜层与基材不匹配，多层膜之间参数不匹配。 改善： 基材充分预热加热；增加离子辅助，减小应力；镀膜缓慢降温；底层须与基材匹配；多层膜之间参数不突变。 3，色差主要表现：同炉产品颜色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布气；磁场；遮挡。靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面。
目前市场上常见的合金靶材有哪些？ 钛铝靶材,TiAl靶材，钛硅靶材,TiSi靶材，钛钨靶材,TiW靶材，钨钛靶材WTi靶材，钛铝硅靶材,TiAlSi靶材，铬铝靶材,CrAl靶材，铬硅靶材,CrSi靶材，硅铝靶材,SiAl靶材，锌锡靶材,ZnSn靶材，锌铝靶材,ZnAl靶材，铝铜靶材,AlCu靶材，镍铬靶材,NiCr靶材，镍钒靶材,NiV靶材，镍铁靶材,NiFe靶材，镍铜靶材,NiCu靶材，铁钴靶材,FeCo靶材，钛铌靶材,TiNb靶材，钛锆靶材,TiZr靶材，铟锡靶材,InSn靶材，铜锆靶材,CuZr靶材，镁锌钙靶材,MgZnCa靶材，镍铬铜靶材,NiCrCu靶材，钼铌靶材,MoNb靶材，铝钕靶材,AlNd靶材，铝钪靶材,AlSc靶材，银铝靶材,AgAl靶材， 铬铝硅靶材,CrAlSi靶材，镝铝靶材,DyAl靶材，铌锆靶材,NbZr靶材等等。在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。苏州氧化钇靶有几种
在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。南通镝靶功能
ITO薄膜制作过程中的影响因素 ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性，有时候表面光洁度比较低，出现“麻点”的现象，有时候会出现高蚀间隔带，在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带，有时候会出现微晶沟缝。 常用的ITO靶材是通过烧结法生产的，就是由氧化铟（In2O3）和氧化锡（SnO2）粉末按照一定的比例进行混合，通常质量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半导体（氧化铟锡，ITO）。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量，深灰色是好的，相反越黑质量越差，我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。 研究显示，在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中，使用磁控溅射的方式，基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下，电阻率达到低，而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高，晶粒尺寸也逐渐增大，超过200℃后透射率趋于减弱；使用电子束蒸镀的方式，随着退火温度升高，晶粒尺寸变大，表面形貌均一稳定，超过600℃后颗粒变得大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜表面形貌破坏。南通镝靶功能
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外知名研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。