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真空离子镀耐高温性能：   航空零件，特别是许多发动机零件往往需要在高温下工作。例如涡轮叶片及导向叶片工作温度通常在摄氏一千度左右，有的甚至达摄氏一千四百度。神话小说《西游记》里孙悟空被太上老君放在炉内烧炼时，恐怕也达不到这么高的温度吧。现代航空发动机零件在这样高的温度下工作，依赖零件基体材料本身的性能是很难满足要求的。那么，发动机零件怎样才能不怕高温烧蚀呢?目前除在零件结构上采取措施(如采用空心冷却叶片、发散冷却叶片等)以外，大都需用耐热镀层进行保护。离子镀对于沉积耐热膜有相当多的优点，能镀各种高熔点材料，如氧化铝、氧化硅、氧化铍、铪合金等。合金镀层的成份也比较容易控制，适合于镀成分较复杂的耐热合金，如铁铬铝钇，钴铬铝钇或镍铬铝钇合金等。   目前涡轮叶片是试图采用离子镀耐热镀层的主要对象。据悉，有一种叶片用此法镀复一种镍铬铝钇合金后，其高温工作寿命比镀铝提高了三倍。适于采用离子镀耐热镀层的发动机零件还有涡轮盘、气缸活塞零件等。有些零件经过这种先进工艺处理后，可在高温下工作上千小时。磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？镇江锡锌靶功能

电子束镀膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控溅射镀膜 Pt-T4034 铂 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控溅射镀膜 Pd-T3575 钯 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控溅射镀膜 Ag-T4043 银 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Al-T5015 铝 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控溅射镀膜 Ti-T4543 钛 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Ni-T4562 镍 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控溅射镀膜 Cr-T4554 铬 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控溅射镀膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控溅射镀膜 Au-W5004 金 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Al-W5004 铝 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Ag-W4004 银 丝 99.99% φ1mm 热蒸发镀膜 W-W4011 镀铬钨丝 99.99% φ1*130mm 热蒸发镀膜 Au-W5002 键合金丝 φ25μm 500m/轴 耗材配件 W-B35310P 钼舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 钨舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型钨舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩埚 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 铜 坩埚 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 钨 坩埚 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 铂 坩埚 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨边 表面抛光  耗材配件 G-S4002 GGG衬底镇江铂靶收费溅射的时候会先溅射凸起，溅射时间长了，靶材自己就平了。

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能，是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的质量材料。多晶硅薄膜被公认为是制备低耗、理想的薄膜太阳能电池的材料。因此，如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法，它是在高温退火的条件下，使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光谱，对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。   在硅薄膜太阳能电池材料中，非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺相对简单，但是存在光电转换效率低，寿命短，稳定性不好，并且存在光致衰退效应(S-W 效应)等缺点。单晶硅薄膜太阳能电池因为制作工艺和制作成本等原因始终得不到推广，而多晶硅薄膜材料在长波段具有光敏性，能有效的吸收可见光并且具有光照稳定性。

一．靶材磁控溅射的原理是什么？磁控溅射原理：在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，溅射靶材在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气)，永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。

在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。 磁控溅射一般分为二种：直流溅射和射频溅射，其中直流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。 溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质。

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点：   (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。起辉电源是否正常------------检查靶电源。杭州铈靶价钱

多弧离子镀或其他类型的镀膜设备在适当工艺条件下溅射沉积在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。镇江锡锌靶功能

PECVD制备氢化非晶硅薄膜本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120Pa，射频功率100W，气体流量SiH4/H2=15/5sccm，沉积时间30min，制备得到a-Si：H薄膜样品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;(4)随着溅射时间的增加,膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;(5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。镇江锡锌靶功能

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