常州铟靶公司
磁控溅射制备非晶硅薄膜 本实验采用石英玻璃为衬底，实验前先将玻璃衬底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超声波清洗机清洗30 min;然后用分析乙醇同样在超声波清洗机中清洗30 min; 放入装有去离子水的烧杯中在超声波清洗器中清洗约30 min 后晾干。然后以高纯硅为靶材在JGP500型超高真空磁控溅射设备上，分别采用直流和射频方式制备了两块样品。在溅射前，预溅射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 样品采用直流磁控溅射方式， 溅射功率为100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 溅射时间20 min，溅射气压0.5 Pa，衬底温度为室温。2#样品采用射频磁控溅射方式，溅射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，溅射时间120 min，溅射气压2.0 Pa，衬底温度为室温。样品1# 和2# 均切为3 小块，其中各保留一小块不做退火处理，其他的小块样品处理情况为1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在马弗炉中退火1h。将1# 和2#未处理样品用拉曼激光诱导方法，研究非晶硅薄膜的晶化过程。更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。 换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。常州铟靶公司
靶材安装及注意事项有哪些？
溅射靶材安装过程中**重要的注意事项是一定要确保在靶材和溅射***冷却壁之间建立很好的导热连接。如果用冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲，背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响，导致在溅射过程中热量无法散发**终会造成靶材开裂或脱靶。
为确保足够的导热性，可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。请注意一定要仔细检查和明确所使用溅射***冷却壁的平整度，同时确保O型密封圈始终在位置上。
由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内，所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理，确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。 苏州铝铜靶公司1. 靶材安装准确否? 2. 靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。
高纯金属的概念： 任何金属都不能达到纯。“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于技术的发展，也常使“超纯”的标准升级。例如过去高纯金属的杂质为 ppm级（即百万分之几）,而超纯半导体材料的杂质达ppb级（十亿分之几）,并将逐步发展到以ppt级（一万亿分之几）表示。实际上纯度以几个“9”(N)来表示（如杂质总含量为百万分之一，即称为6个“9”或6N），是不完整概念，如电子器件用的超纯硅以金属杂质计算，其纯度相当于9 个“9”。 但如计入碳，则可能不到6个“9”。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”，后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度 9N 以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的， 因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
溅射靶材的制备
溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类，除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外，对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。
一、粉末冶金法
粉末冶金法制备靶材时，其关键在于：(1)选择高纯、超细粉末作为原料；(2)选择能实现快速致密化的成形烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制备过程严格控制杂质元素的引入。
二、熔融铸造法
熔融铸造法是制作溅射靶材的基本方法之一。为保证铸锭中杂质元素含量尽可能低，通常其冶炼和浇注在真空或保护性气氛下进行。但铸造过程中，材料组织内部难免存在一定的孔隙率，这些孔隙会导致溅射过程中的微粒飞溅，从而影响溅射薄膜的质量。为此，需要后续热加工和热处理工艺降低其孔隙率。 一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物。
溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质，所以如果是表面容易变质的靶材，如果不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。
有一部分靶材在安装之前需要抛光，比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮，在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。
一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。
所以结论就是，活性金属靶材要求表面抛光，不活泼金属靶材不一定非要求表面抛光。其他非金属的靶材不需要抛光。 所以如果是表面容易变质的靶材，如果不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。盐城五氧化三钛靶作用
磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？常州铟靶公司
气体压强对靶溅射电压的影响 在磁控溅射或反应磁控溅射镀膜的工艺过程中，工作气体或反应气体压强对磁控靶溅射电压能够造成一定的影响。 1.工作气体压强对靶溅射电压的影响 一般的规律是：在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时，随着工作气体(如氩气)压强(0.1~10Pa)的逐步增加，气体放电等离子体的密度也会同步增加，致使等离子体等效阻抗减小，磁控靶的溅射电流会逐步上升，溅射工作电压亦会同步下降。 2. 反应气体压强对靶溅射电压的影响 在反应磁控溅射镀膜的工艺过程中，在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时，随着反应气体(如氮气、氧气)压强(或流量)的逐步增加(一般应注意不要超过工艺设定值的上限值)，随着磁控靶面和基片(工件)表面逐步被绝缘膜层覆盖，阴-阳极间放电的等效阻抗也会同步增高，磁控靶的溅射电流会逐步下降(直至“阴极中毒”和“阳极消失”为止)，溅射工作电压亦会同步上升。常州铟靶公司
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外知名研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。