镇江ZrCu靶材贴合

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：本发明提供的靶材抛光装置的技术方案中，所述靶材抛光装置包括：固定板，所述固定板包括顶板和位于所述顶板一侧的侧板；抛光片，位于所述固定板内侧面上，其中位于固定板弯折处的抛光片呈弧状。位于固定板弯折处的抛光片表面适于对靶材经圆角处理的侧棱进行抛光，位于侧板上的所述抛光片表面适于对靶材侧壁表面进行抛光。所述靶材抛光装置能够对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱同时进行抛光，因此所述靶材抛光装置有助于提高对靶材表面进行抛光的作业效率。可选方案中，所述防护层为弹性材料，所述防护层的质地软，能够在所述固定板及靶材间提供缓冲，避免所述固定板触撞靶材导致靶材受损。因为用处不一样，所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。镇江ZrCu靶材贴合

高纯金属的纯度分析原则： 高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质，不包括C ,O ,N ,H等间隙元素，但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标，一般单独提出。依应用背景的不同，要求进行分析的杂质元素种类少则十几种, 多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九) 并不能真正的表达其纯度, 只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。 高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准，例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99 % ,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/ T25522000)要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 个杂质元素, Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02，但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。无锡VNi靶材厂家晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。

一种靶材抛光装置100，包括：固定板200，所述固定板200包括顶板210和位于所述顶板210一侧的侧板220；抛光片300，位于所述固定板200内侧面上，其中位于固定板200弯折处的抛光片300呈弧状。

所述固定板200能够起到支架的作用，以固定支撑所述抛光片300，便于操作人员使用所述靶材抛光装置100。

顶板210呈矩形状，所述侧板220也呈矩形状。

述固定板200内侧面弯折处形成夹角。具体的，所述侧板220表面垂直于所述顶板210表面，即所述夹角为90°。在其他实施例中，所述夹角还可以大于90°且小于180°。

顶板210与所述侧板220为一体成型。在其他实施例中，所述顶板与所述侧板还可以采用焊接、螺接或紧密配合方式固定连接。

固定板200的材料为合金，具体的，所述固定板200的材料为不锈钢。在其他实施例中，所述固定板的材料还可以为金属。

抛光片第二部分320呈弧状，与经圆角处理的靶材侧棱相匹配，可对靶材侧棱进行抛光。所述抛光片第三部分330表面为平整的平面，能够对靶材侧壁表面进行抛光。因此所述靶材抛光装置100能够同时对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱进行抛光，有助于提高抛光作业效率。由于操作人员同时对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱进行抛光，因此操作人员施加在靶材侧壁表面及侧棱上的力度差异小，抛光工艺结束后，靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得抛光表面具有良好的均一性，有助于改善溅射镀膜质量。若分步骤对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱表面进行抛光，操作人员在两个步骤中施加的力度容易差别较大，造成抛光处理后，靶材侧壁表面与侧棱表面粗糙度差异大，使得靶材侧壁表面与侧棱表面交接处具有台阶。在溅射镀膜过程中，所述台阶容易导致前列放电，影响溅射镀膜的均一性，造成镀膜质量差。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。

  磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围   (1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。   (2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。   (3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率   磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外，主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同，分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。   考虑到溅射靶长期使用老化后，其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同，磁控靶的使用时的承载功率，直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。   磁控靶材(主要是Cu，Ag，黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时，一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率，均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。无锡VNi靶材厂家

在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高空间的导通能力，降低等离子体阻抗，导致溅射电压降低。镇江ZrCu靶材贴合

与实施例1的区别 在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为8mm；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。对比例3与实施例1的区别 在于所述靶材表面的硬度为10hv；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。对比例4与实施例1的区别 在于所述靶材表面的硬度为35hv；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。通过上述实施例和对比例的结果可知，本发明中，通过调整靶材表面的高度差及硬度，保证溅射强度，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。镇江ZrCu靶材贴合

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