成都硅靶图片

溅射靶材的分类有哪些？

金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材 ，氮化物陶瓷溅射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物

陶瓷溅射靶材 ，硅化物陶瓷溅射靶材 ，硫化物陶瓷溅射靶材 ，碲化物陶瓷溅射靶材 ，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化铟靶材(InP)，砷化铅靶材(PbAs)，砷化铟靶材(InAs)。

1. 金属靶材：

镍靶、Ni、钛靶、T溅射靶材i、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、溅射靶材不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。 比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮。成都硅靶图片

阴-阳极间距对靶溅射电压的影响：真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时，等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定，反之，在阴-阳极间距偏小时，将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时，如果阴-阳极间距过小，由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性，就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时，靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。   1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距   对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时，建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸;   2. 单磁控靶阴-阳极间距   靶电源带单磁控靶运行时，一般都不存在这方面问题;但是，在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题，磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。武汉铝硅靶功能溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质。

2、钯 靶材 99.99%‍  常规尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、电镜钯片常规尺寸：φ57*0.1mm；φ57*0.2mm；φ58*0.1mm；φ58*0.2mm 4、钯 箔片 99.99% 常规尺寸：100*100*0.2mm等，尺寸可定做 二、其他服务： 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工服务。 回收流程如下： 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 供应高纯靶,钯靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Au-G5034 金 颗粒 99.999% φ3*4mm 热蒸发、电子束镀膜 Pt-G4028 铂 颗粒 99.99% φ2*8mm 热蒸发、电子束镀膜 Ag-G4025 银 颗粒 99.99% φ2*5mm 热蒸发、电子束镀膜 Pd-G3536 钯 颗粒 99.95% φ3*6mm 热蒸发、电子束镀膜 Al-G5033 铝 颗粒 99.999% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 Cr-G3501 铬 颗粒 99.95% 1-3mm 热蒸发、电子束镀膜 Ti-G4533 钛 颗粒 99.995% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 Ni-G4533 镍 颗粒 99.995% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 S-G5002 硫 颗粒 99.999% 1-6mm 热蒸发、

纯度

 纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”、 8”发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

2.杂质含量

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。 由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内。

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外，还受靶面的功率密度，亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中，当靶材、溅射气体等业已选定之后，比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说，在磁控溅射正常工艺范围内，放电电压越高，磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比，因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个：一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说，磁控靶的溅射功率增高时，薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件，就是：加在磁控靶的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量，足以大过靶材的“溅射能量阀值”。起辉电源是否正常------------检查靶电源。钛铌靶作用

有一部分靶材在安装之前需要抛光。成都硅靶图片

等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成，其中电子和离子的电荷总数基本相等，故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前，通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的凹陷，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使镀铝基材薄膜的表面自由能提高，达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同，如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理，美国Applied Material公司称之为辉光放电，英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外，不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同，多数公司使用氧气和氩气的组合，也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%，且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。成都硅靶图片

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。