常州VC靶材

钯，是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。   原 子 量:106.4   密 度（20℃）/g•cm-3:12.02   熔 点/℃:1552   蒸发温度/℃:1460   沸 点/℃:3140   汽化温度/℃:1317   比 热 容（25℃）J•（g•K）-1:0.2443   电 阻 率（0℃）/uΩ•cm:10.6   熔 化 热/kJ•mol-1:16.7   汽 化 热/ kJ•mol-1:361.7   热 导 率（0～100℃）/J•（cm•s•℃）-1:0.753   电阻温度系数（0～100℃）/℃-1:0.0038   外 观:银白色   蒸 发 源（丝、片）:W（镀Al2O3）   坩 埚:Al2O3   性 质:与难溶金属形成合金，闪烁蒸发，在EB***内激烈飞溅，钯是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼，常温下在空气和潮湿环境中稳定，加热至 800℃，钯表面形成一氧化钯薄膜。  一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。常州VC靶材

由于操作人员同时对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱进行抛光，因此操作人员施加在靶材侧壁表面及侧棱上的力度差异小，抛光工艺结束后，靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得抛光表面具有良好的均一性，有助于改善溅射镀膜质量。若分步骤对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱表面进行抛光，操作人员在两个步骤中施加的力度容易差别较大，造成抛光处理后，靶材侧壁表面与侧棱表面粗糙度差异大，使得靶材侧壁表面与侧棱表面交接处具有台阶。在溅射镀膜过程中，所述台阶容易导致前列放电，影响溅射镀膜的均一性，造成镀膜质量差。

抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均，即所述抛光片第二部分320的厚度不均。

抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等，均为2mm～3mm。抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中，所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。 常州碲化锗锑靶材不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。

抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均，即所述抛光片第二部分320的厚度不均。

抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等，均为2mm～3mm。

抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中，所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。

靶材抛光装置100还包括：防护层400，所述防护层400位于所述固定板200与所述抛光片300之间。

所述防护层400为弹性材料，能够在所述固定板200及靶材间提供缓冲，避免所述固定板200触撞靶材导致靶材受损。

本实施例中，所述防护层400的厚度为30mm～35mm。若所述防护层400的厚度过小，所述防护层400起到的缓冲效果差，难以有效的保护靶材。若所述防护层400的厚度过大，使得所述防护层400的体积过大，进而造成所述靶材抛光装置100的体积过大，对操作者使用所述靶材抛光装置100带来不必要的困难。

靶材抛光装置还包括：防护层，所述防护层位于所述固定板与所述抛光片之间。

防护层为弹性材料。

靶材抛光装置还包括：把手，所述把手设置于所述固定板的外表面上。

把手的数量为两个，其中一个所述把手设置于所述固定板的顶部，另一个所述把手设置于所述固定板的侧壁上。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

提供的靶材抛光装置的技术方案中，所述靶材抛光装置包括：固定板，所述固定板包括顶板和位于所述顶板一侧的侧板；抛光片，位于所述固定板内侧面上，其中位于固定板弯折处的抛光片呈弧状。位于固定板弯折处的抛光片表面适于对靶材经圆角处理的侧棱进行抛光，位于侧板上的所述抛光片表面适于对靶材侧壁表面进行抛光。所述靶材抛光装置能够对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱同时进行抛光，因此所述靶材抛光装置有助于提高对靶材表面进行抛光的作业效率。 溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类。

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)，对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征，研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大，而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪，对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明：不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化，并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通过拉曼激光诱导晶化，结果表明：拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化，具有晶化速度快的特点;晶化过程中，需要控制激光强度，过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。常州碲化锗锑靶材

选择高纯、超细粉末作为原料。常州VC靶材

固定板200的厚度为10mm～15mm。若所述固定板200的厚度过大，使得所述固定板200的重量过大，不便于使用，影响操作的灵活性。若所述固定板200的厚度过小，导致所述固定板200的强度和韧性较差，影响所述靶材抛光装置100的使用寿命。

所述抛光片300表面与靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱相匹配。所述抛光片300表面具有磨砂颗粒，用于增加所述抛光片300与靶材表面间的摩擦力，以提高抛光效率。

抛光片300包括抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330。所述抛光片部分310设置于所述顶板210的底部。所述抛光片第二部分320设置于所述顶板210与所述侧板220的拐角处，且在所述抛光片部分310及抛光片第三部分330间平滑的过渡。所述抛光片第三部分330设置于所述侧板220的内侧面上，所述抛光片第三部分330表面与抛光片部分310表面垂直。 常州VC靶材

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外知名研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。