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纯度

 纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”、 8”发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

2.杂质含量

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。 磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因。成都铝掺杂锰酸镧靶型号

为什么需在真空中镀膜？ 在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜，事实上，如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果， 比如在10 2托数量级下蒸镀铝，得到的膜层不但不光亮，甚至发灰、发黑，而且机械强度极差，用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏。 蒸镀必须在一定的真空条件下进行，这是因为： （1）较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。 由于气体分子的热运动，分子之间的碰撞也是极其频繁的，所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) 。 （2）在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下， 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ，它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短；它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应； 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜；它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命；它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行……。南京硒化铅靶价钱所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理，确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。

电子束镀膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控溅射镀膜 Pt-T4034 铂 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控溅射镀膜 Pd-T3575 钯 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控溅射镀膜 Ag-T4043 银 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Al-T5015 铝 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控溅射镀膜 Ti-T4543 钛 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控溅射镀膜 Ni-T4562 镍 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控溅射镀膜 Cr-T4554 铬 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控溅射镀膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控溅射镀膜 Au-W5004 金 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Al-W5004 铝 丝 99.999% φ1mm 热蒸发镀膜 Ag-W4004 银 丝 99.99% φ1mm 热蒸发镀膜 W-W4011 镀铬钨丝 99.99% φ1*130mm 热蒸发镀膜 Au-W5002 键合金丝 φ25μm 500m/轴 耗材配件 W-B35310P 钼舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 钨舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型钨舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩埚 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 铜 坩埚 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 钨 坩埚 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 铂 坩埚 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨边 表面抛光  耗材配件 G-S4002 GGG衬底

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点：   (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

真空熔炼 Mn-F2701 电解锰 片状  99.7% 1-10mm 真空熔炼 Co-F3501 电解钴 片状 99.95% 1-10mm 真空熔炼 Co-I3504 电积钴 块状 99.95% 40*40*5mm 真空熔炼 Co-G3533 钴 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 W-G3536 m 真空熔炼 Ta-G3533 钽 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Nb-G3533 铌 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Mo-G3533 m 真空熔炼 Si-I5011 多晶硅 块状 99.999% 不规则块状 真空熔炼 In-G4501 铟 颗粒 99.995% 1-3mm 真空熔炼 Zr-I2402 海绵锆 块状 99.4% 3-25mm 真空熔炼 Hf-I2402 海 m 真空熔炼 Ge-G5006 锗 颗粒 99.999% 3-5mm 真空熔炼 La-I3011 镧 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Er-I3011 铒 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Dy-I3011 镝 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 W-P3504 钨 粉末 99.95% 325目 粉末冶金 Al-P3504 &nbs 5目 粉末冶金 TiC-P2514 碳化钛 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 HfC-P2514 碳化铪 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 ZrB2-P2519 二硼化锆 粉末 99.5% 10μm 粉末冶金 Ti-F2612 .2*L 耗材配件 Ta-F3513 钽 0*0.2mm 耗材配件 Nb-F3513 *100*0.2mm 耗材配件 合金定制 流程：1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求；靶与地线之间短路 ----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下。武汉氧化亚铜靶费用

如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖。成都铝掺杂锰酸镧靶型号

真空镀膜设备替代电镀设备是发展的必然     2012年全国化学电镀产生的污水和重金属排放量达到3.5亿吨，固体废物达到4.1万吨，酸性气体达到2.3万立方米，由于真空镀膜设备逐渐应用到市场上，污染排放量比2011年有所下降，但仍是一个不可忽视的数据，为处理这大量的污染，大部分企业已投放了共5868.1亿元在污水治理方面，464.8亿元在固体废物治理方面，974.9亿元在酸性气体治理方面，但仍然有部分企业没有完善治理措施，造成大量污染。         使用真空镀膜设备进行电镀可以有效改善污染情况，它不像化学电镀需要使用重金属溶液和酸性溶液进行镀膜，而是在真空环境下利用蒸发或溅射方式进行镀膜，完全没有污染产生，是一种绿色低碳、符合可持续发展战略的产业，已经越来越多企业淘汰了旧方式化学电镀而转用真空电镀，但还有很多企业没意识到环保的重要性，不懂得绿色生产其实是为自己和后代创建美好生存环境的道理。         绿色环保产业是必然的发展趋势，造成严重污染的化学电镀终会退出历史舞台，取而代之的是真空电镀，利用真空镀膜机镀膜成为主流是不可质疑的。成都铝掺杂锰酸镧靶型号

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。