AlTiSi靶材图片

抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均，即所述抛光片第二部分320的厚度不均。

抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等，均为2mm～3mm。

抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中，所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。

靶材抛光装置100还包括：防护层400，所述防护层400位于所述固定板200与所述抛光片300之间。

所述防护层400为弹性材料，能够在所述固定板200及靶材间提供缓冲，避免所述固定板200触撞靶材导致靶材受损。

本实施例中，所述防护层400的厚度为30mm～35mm。若所述防护层400的厚度过小，所述防护层400起到的缓冲效果差，难以有效的保护靶材。若所述防护层400的厚度过大，使得所述防护层400的体积过大，进而造成所述靶材抛光装置100的体积过大，对操作者使用所述靶材抛光装置100带来不必要的困难。 当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。AlTiSi靶材图片

磁控溅射镀膜中出现膜层不良的表现有哪些，如何改善？ 1.脱膜主要表现：点状/片状膜层脱落 原因分析：杂质附着，清洗残留，真空室脏，脏污、油斑、灰点、口水点， 膜层局部附着不良等。 改善：加强清洗，加强烘烤，环境管控（清洁干燥），对于多层膜系，底层须与基材匹配（吸附力、硬度、热膨胀）。 2.裂纹/暴膜主要表现： 网状裂痕/龟裂/起泡脱膜，出炉外观OK，放置一段时间后爆裂/起泡脱膜。 原因分析：镀膜过程基材加热不充分，成膜后及出炉后降温过快，膜层应力累积， 膜层与基材不匹配，多层膜之间参数不匹配。 改善： 基材充分预热加热；增加离子辅助，减小应力；镀膜缓慢降温；底层须与基材匹配；多层膜之间参数不突变。 3，色差主要表现：同炉产品颜色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布气；磁场；遮挡。AlTiSi靶材图片一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会降低。

本实施例提供一种长寿命靶材组件，所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.78mm；所述靶材表面的硬度为26hv；

其中，所述靶材的比较大厚度为22mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角为4°；所述斜面位于所述平面和第二平面之间；所述平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括钛；所述背板的材质包括铝。

所得靶材组件溅射强度好，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。

对比例1

与实施例1的区别仅在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.5mm；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。

对比例2

与实施例1的区别仅在于所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为8mm；所得靶材组件溅射强度差，使得溅射过程中薄膜厚度不均匀，使用寿命减少。

电解锰 片状  99.7% 1-10mm 真空熔炼 Co-F3501 电解钴 片状 99.95% 1-10mm 真空熔炼 Co-I3504 电积钴 块状 99.95% 40*40*5mm 真空熔炼 Co-G3533 钴 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 W-G3536 m 真空熔炼 Ta-G3533 钽 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Nb-G3533 铌 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Mo-G3533 m 真空熔炼 Si-I5011 多晶硅 块状 99.999% 不规则块状 真空熔炼 In-G4501 铟 颗粒 99.995% 1-3mm 真空熔炼 Zr-I2402 海绵锆 块状 99.4% 3-25mm 真空熔炼 Hf-I2402 海 m 真空熔炼 Ge-G5006 锗 颗粒 99.999% 3-5mm 真空熔炼 La-I3011 镧 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Er-I3011 铒 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Dy-I3011 镝 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 W-P3504 钨 粉末 99.95% 325目 粉末冶金 Al-P3504 &nbs 5目 粉末冶金 TiC-P2514 碳化钛 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 HfC-P2514 碳化铪 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 ZrB2-P2519 二硼化锆 粉末 99.5% 10μm 粉末冶金 Ti-F2612 .2*L 耗材配件 Ta-F3513 钽 0*0.2mm 耗材配件 Nb-F3513 *100*0.2mm 耗材配件 合金定制 流程：1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求；如果下降太多，需要更换磁钢。

磁控溅射一定要求靶材表面要抛光吗？磁控溅射过程中，等离子体的离子撞击靶材，溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等，原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。

溅射发生在靶材表面，靶材表面物理状态不均匀也没有关系，溅射的时候会先溅射凸起，溅射时间长了，靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。

溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质，所以如果是表面容易变质的靶材，如果不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。 反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。苏州YbF3靶材型号

贵金属靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。AlTiSi靶材图片

磁控溅射制备非晶硅薄膜   本实验采用石英玻璃为衬底，实验前先将玻璃衬底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超声波清洗机清洗30 min;然后用分析乙醇同样在超声波清洗机中清洗30 min; 放入装有去离子水的烧杯中在超声波清洗器中清洗约30 min 后晾干。然后以高纯硅为靶材在JGP500型超高真空磁控溅射设备上，分别采用直流和射频方式制备了两块样品。在溅射前，预溅射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 样品采用直流磁控溅射方式， 溅射功率为100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 溅射时间20 min，溅射气压0.5 Pa，衬底温度为室温。2#样品采用射频磁控溅射方式，溅射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，溅射时间120 min，溅射气压2.0 Pa，衬底温度为室温。样品1# 和2# 均切为3 小块，其中各保留一小块不做退火处理，其他的小块样品处理情况为1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在马弗炉中退火1h。将1# 和2#未处理样品用拉曼激光诱导方法，研究非晶硅薄膜的晶化过程。AlTiSi靶材图片

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外知名研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。