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单面板（Single-SidedBoards）我们刚刚提到过，在基本的PCB上，零件集中在其中一面，导线则集中在另一面上。因为导线只出现在其中一面，所以我们就称这种PCB叫作单面板（Single-sided）。因为单面板在设计线路上有许多严格的限制（因为只有一面，布线间不能交叉而必须绕独自的路径），所以只有早期的电路才使用这类的板子。双面板（Double-SidedBoards）这种电路板的两面都有布线。不过要用上两面的导线，必须要在两面间有适当的电路连接才行。这种电路间的「桥梁」叫做导孔（via）。导孔是在PCB上，充满或涂上金属的小洞，它可以与两面的导线相连接。因为双面板的面积比单面板大了一倍，而且因为布线可以互相交错（可以绕到另一面），它更适合用在比单面板更复杂的电路上。相同结构电路部分，尽可能采用“对称式”标准布局；湖北打造PCB培训批发

泪滴的作用主要有如下几点：1、增大焊盘机械强度，避免电路板受到巨大外力的冲撞时，导线与焊盘或者导线与导孔的接触点断开，也可使PCB电路板显得更加美观；2、焊接上，可以保护焊盘，避免多次焊接时焊盘的脱落，生产时可以避免蚀刻不均，或者钻孔偏向导线时，避免出现连接处的裂缝而开路，且易于清洗蚀刻药水，不留清洗死角；3、信号传输时平滑阻抗，减少阻抗的急剧跳变，避免高频信号传输时由于线宽突然变小而造成反射，可使走线与元件焊盘之间的连接趋于平稳过渡化；武汉专业PCB培训多少钱·机内可调元件要靠PCB 的边沿布局,以便于调节;机外可调元件、接插件和开关件要和外壳一起设计布局。

工艺方面注意事项（1）质量较大、体积较大的SMD器件不要两面放置；（2）质量较大的元器件放在板的中心；（3）可调元器件的布局要方便调试（如跳线、可变电容、电位器等）；（4）电解电容、钽电容极性方向不超过2个；（5）SMD器件原点应在器件中心，布局过程中如发现异常，通知客户或封装工程师更新PCB封装。布局子流程为：模块布局→整体布局→层叠方案→规则设置→整板扇出。模块布局模块布局子流程：模块划分→主芯片放置并扇出→RLC电路放置→时钟电路放置。常见模块布局参考5典型电路设计指导。

孔径和焊盘尺寸元件安装孔的直径应该与元件的引线直径较好的匹配，使安装孔的直径略大于元件引线直径的(0.15~0.3)mm。通常DIL封装的管脚和绝大多数的小型元件使用0.8mm的孔径，焊盘直径大约为2mm。对于大孔径焊盘为了获得较好的附着能力，焊盘的直径与孔径之比，对于环氧玻璃板基大约为2，而对于苯酚纸板基应为(2.5~3)。过孔，一般被使用在多层PCB中，它的小可用直径是与板基的厚度相关，通常板基的厚度与过孔直径比是6:1。高速信号时，过孔产生(1~4)nH的电感和(0.3~0.8)pF的电容的路径。因此，当铺设高速信号通道时，过孔应该被保持到小。对于高速的并行线(例如地址和数据线)，如果层的改变是不可避免，应该确保每根信号线的过孔数一样。并且应尽量减少过孔数量，必要时需设置印制导线保护环或保护线，以防止振荡和改善电路性能。石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。

整体布局整体布局子流程：接口模块摆放→中心芯片模块摆放→电源模块摆放→其它器件摆放◆接口模块摆放接口模块主要包括：常见接口模块、电源接口模块、射频接口模块、板间连接器模块等。（1）常见接口模块：常用外设接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信号流向将各接口模块电路靠近其所对应的接口摆放，采用“先防护后滤波”的思路摆放接口保护器件，常用接口模块参考5典型电路设计指导。（2）电源接口模块：根据信号流向依次摆放保险丝、稳压器件和滤波器件，按照附表4-8，留足够的空间以满足载流要求。高低电压区域要留有足够间距，参考附表4-8。（3）射频接口模块：靠近射频接口摆放，留出安装屏蔽罩的间距一般为2-3mm，器件离屏蔽罩间距至少0.5mm。具体摆放参考5典型电路设计指导。（5）连接器模块：驱动芯片靠近连接器放置。高频元器件的间隔要充分。打造PCB培训功能

布局应尽量满足以下要求:总的连线尽可能短，关键信号线短；湖北打造PCB培训批发

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。湖北打造PCB培训批发