武汉PCB制版布线

常用的拓扑结构

常用的拓扑结构包括点对点、菊花链、远端簇型、星型等。

1、点对点拓扑point-to-pointscheduling：该拓扑结构简单，整个网络的阻抗特性容易控制，时序关系也容易控制，常见于高速双向传输信号线。

2、菊花链结构 daisy-chain scheduling：菊花链结构也比较简单，阻抗也比较容易控制。

3、fly-byscheduling：该结构是特殊的菊花链结构，stub线为0的菊花链。不同于DDR2的T型分支拓扑结构，DDR3采用了fly-by拓扑结构，以更高的速度提供更好的信号完整性。fly-by信号是命令、地址，控制和时钟信号。

4、星形结构starscheduling：该结构布线比较复杂，阻抗不容易控制，但是由于星形堆成，所以时序比较容易控制。

5、远端簇结构far-endclusterscheduling：远端簇结构可以算是星形结构的变种，要求是D到中心点的长度要远远长于各个R到中心连接点的长度。各个R到中心连接点的距离要尽量等长，匹配电阻放置在D附近，常用语DDR的地址、数据线的拓扑结构。

在实际的PCB设计过程中，对于关键信号，应通过信号完整性分析来决定采用哪一种拓扑结构。 PCB制版是按预定的设计，在共同的基材上形成点与印刷元件之间的连接的印制板。武汉PCB制版布线

层压这里需要一个新的原料叫做半固化片，是芯板与芯板(PCB层数>4)，以及芯板与外层铜箔之间的粘合剂，同时也起到绝缘的作用。下层的铜箔和两层半固化片已经提前通过对位孔和下层的铁板固定好位置，然后将制作好的芯板也放入对位孔中，依次将两层半固化片、一层铜箔和一层承压的铝板覆盖到芯板上。将被铁板夹住的PCB板子们放置到支架上，然后送入真空热压机中进行层压。真空热压机里的高温可以融化半固化片里的环氧树脂，在压力下将芯板们和铜箔们固定在一起。层压完成后，卸掉压制PCB的上层铁板。然后将承压的铝板拿走，铝板还起到了隔离不同PCB以及保证PCB外层铜箔光滑的责任。这时拿出来的PCB的两面都会被一层光滑的铜箔所覆盖。焊接PCB制版层压是抑制PCB制版电磁干扰的重要手段。

Cadence中X-net的添加

1.打开PCB文件：

（1）.首先X-net是添加在串阻和串容上的一个模型，使得做等长的时候电阻或电容两边的网络变成一个网络，添加方法如下：

1）：找到串阻或者串容

2）：在Analyze->Model assignment--点击ok->

点击后跳出界面：用鼠标直接点击需要添加的电阻或者电容；找到需要添加的器件之后点击创建模型creat model之后弹出小框点击ok--接下来弹出小框（在这里需要注意的是Value不能为零，如果是零欧姆的串阻请将参数改为任意数值）

点击--是--可以看到需要添加的串阻或串容后面出现--即X-net添加成功

关键信号布线

关键信号布线的顺序：射频信号→中频、低频信号→时钟信号→高速信号。关键信号的布线应该遵循如下基本原则：

一、优先选择参考平面是地平面的信号层走线。

二、依照布局情况短布线。

三、走线间距单端线必须满足3W以上，差分线对间距必须满足20Mil以上。

四、走线少打过孔，优先在过孔Stub短的布线层布线。

京晓科技可提供2-60层PCB设计服务，对HDI盲埋孔、工控医疗类、高速通讯类，消费电子类，航空航天类，电源板，射频板有丰富设计经验。阻抗设计，叠层设计，生产制造，EQ确认等问题，一对一全程服务。京晓科技致力于提供高性价比的PCB产品服务，打造从PCB设计、PCB生产到SMT贴片的一站式服务生态体。 用化学试剂铜将非线路部位去除。

SDRAM时钟源同步和外同步

1、源同步：是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输，不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）输出，数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存，CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作，即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。

2、外同步：由外部时钟给系统提供参考时钟，数据从发送到接收需要两个时钟，一个锁存发送数据，一个锁存接收数据，在一个时钟周期内完成，对于SDRAM及其控制芯片，参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生，此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求，即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。 在符合要求的板材上进行钻孔，在相应的位置钻出所求的孔径。荆门PCB制版

PCB设计中的拓扑是指芯片之间的连接关系。武汉PCB制版布线

SDRAM各管脚功能说明：

1、CLK是由系统时钟驱动的，SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样，CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器；

2、CKE为时钟使能信号，高电平时时钟有效，低电平时时钟无效，CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高电平。

3、CS#为片选信号，低电平有效，当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽，同时，CS#也是命令信号的一部分。

4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效，这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。

5、DQML，DQMU为数据掩码信号。写数据时，当DQM为高电平时对应的写入数据无效，DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。

6、A<0..12>为地址总线信号，在读写命令时行列地址都由该总线输入。

7、BA0、BA1为BANK地址信号，用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。

8、DQ<0..15>为数据总线信号，读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。 武汉PCB制版布线