黄冈专业PCB设计包括哪些

时间:2023年03月10日 来源:

DDR的PCB布局、布线要求1、DDR数据信号线的拓扑结构,在布局时保证紧凑的布局,即控制器与DDR芯片紧凑布局,需要注意DDR数据信号是双向的,串联端接电阻放在中间可以同时兼顾数据读/写时良好的信号完整性。2、对于DDR信号数据信号DQ是参考选通信号DQS的,数据信号与选通信号是分组的;如8位数据DQ信号+1位数据掩码DM信号+1位数据选通DQS信号组成一组,如是32位数据信号将分成4组,如是64位数据信号将分成8组,每组里面的所有信号在布局布线时要保持拓扑结构的一致性和长度上匹配,这样才能保证良好的信号完整性和时序匹配关系,要保证过孔数目相同。数据线同组(DQS、DM、DQ[7:0])组内等长为20Mil,不同组的等长范围为200Mil,时钟线和数据线的等长范围≤1000Mil。3、对于DDR信号,需要注意串扰的影响,布线时拉开与同层相邻信号的间距,时钟线与其它线的间距要保证3W线宽,数据线与地址线和控制线的间距要保证3W线宽,数据线内或地址线和控制线内保证2W线宽;如果两个信号层相邻,要使相邻两层的信号走线正交。京晓科技带您梳理PCB设计中的各功能要求。黄冈专业PCB设计包括哪些

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丝印调整,子流程:设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式,字符的宽度/高度:1/3盎司、1/2盎司(基铜):4/23Mil(推荐设计成4/25Mil);1盎司(基铜):5/30Mil;2盎司(基铜):6/45Mil;字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符(1)字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil,距离板边≥10Mil;任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。(2)丝印字符阴字线宽≥8mil;(3)字符只能有两个方向,排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右,从下到上。(4)字符的位号要与器件一一对应,不能颠倒、变换顺序,每个元器件上必须标出位号不可缺失,对于高密度板,可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示,如下图所示。字符摆放完成后,逐个高亮器件,确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。十堰正规PCB设计销售PCB设计中关键信号布线方法。

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DDR2模块相对于DDR内存技术(有时称为DDRI),DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力;DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准,而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准;DDR采用的是TSOP封装,而DDRII采用的是FBGA封装,相对于DDR,DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽,而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDRII可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

等长线处理等长线处理的步骤:检查规则设置→确定组内长线段→等长线处理→锁定等长线。(1)检查组内等长规则设置并确定组内基准线并锁定。(2)单端蛇形线同网络走线间距S≥3W,差分对蛇形线同网络走线间距≥20Mil。(3)差分线对内等长优先在不匹配端做补偿,其次在中间小凸起处理,且凸起高度<1倍差分对内间距,长度>3倍差分线宽,(4)差分线对内≤3.125G等长误差≤5mil,>3.125G等长误差≤2mil。(5)DDR同组等长:DATA≤800M按±25mil,DATA>800M按±5mil;ADDR按±100mil;DDR2的DQS和CLK按±500mil;QDR按±25mil;客户有要求或者芯片有特殊要求时按特殊要求。(6)优先在BGA区域之外做等长线处理。(7)有源端匹配的走线必须在靠近接收端一侧B段做等长处理,(8)有末端匹配的走线在A段做等长线处理,禁止在分支B段做等长处理(9) T型拓扑走线,优先在主干走线A段做等长处理,同网络分支走线B或C段长度<主干线A段长度,且分支走线长度B、C段误差≤10Mil,(10) Fly-By型拓扑走线,优先在主干走线A段做等长处理,分支线B、C、D、E段长度<500MilPCB设计中IPC网表自检的方法。

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SDRAM各管脚功能说明:1、CLK是由系统时钟驱动的,SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样,CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器;2、CKE为时钟使能信号,高电平时时钟有效,低电平时时钟无效,CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用,以降低功耗,CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号,低电平有效,当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽,同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效,这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML,DQMU为数据掩码信号。写数据时,当DQM为高电平时对应的写入数据无效,DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号,在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号,用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号,读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。晶振电路的布局布线要求。黄冈高速PCB设计价格大全

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SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步:是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输,不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)输出,数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存,CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作,即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步:由外部时钟给系统提供参考时钟,数据从发送到接收需要两个时钟,一个锁存发送数据,一个锁存接收数据,在一个时钟周期内完成,对于SDRAM及其控制芯片,参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生,此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求,即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。黄冈专业PCB设计包括哪些

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