荆州哪里的PCB设计走线

评估平面层数，电源平面数的评估：分析单板电源总数与分布情况，优先关注分布范围大，及电流大于1A以上的电源(如:+5V，+3.3V此类整板电源、FPGA/DSP的核电源、DDR电源等）。通常情况下：如果板内无BGA封装的芯片，一般可以用一个电源层处理所有的电源；如果有BGA封装的芯片，主要以BGA封装芯片为评估对象，如果BGA内的电源种类数≤3种，用一个电源平面，如果＞3种，则使用2个电源平面，如果＞6则使用3个电源平面，以此类推。备注：1、对于电流＜1A的电源可以采用走线层铺铜的方式处理。2、对于电流较大且分布较集中或者空间充足的情况下采用信号层铺铜的方式处理。地平面层数的评估：在确定了走线层数和电源层数的基础上，满足以下叠层原则：1、叠层对称性2、阻抗连续性3、主元件面相邻层为地层4、电源和地平面紧耦合（3）层叠评估:结合评估出的走线层数和平面层数，高速线优先靠近地层的原则，进行层叠排布。不同存储容量及不同数据宽度的器件有所不同。荆州哪里的PCB设计走线

ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项：（1）测试点焊盘≥32mil；（2）测试点距离板边缘≥3mm；（3）相邻测试点的中心间距≥60Mil。（4）测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil，Chip器件焊盘边缘≥10mil，其它导体边缘≥12mil。（5）整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔，且在板子的对角线上非对称放置。（6）优先在焊接面添加ICT测试点，正面添加ICT测试点需经客户确认。（7）电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。（8）优先采用表贴焊盘测试点，其次采用通孔测试点，禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。（9）优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点，采用Stub方式添加ICT测试点时，Stub走线长不超过150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。（11）测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方，以防止被器件或物件覆盖。（12）差分信号增加测试点，必须对称添加，即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点荆门了解PCB设计功能京晓科技带您梳理PCB设计中的各功能要求。

布线优化布线优化的步骤：连通性检查→DRC检查→STUB残端走线及过孔检查→跨分割走线检查→走线串扰检查→残铜率检查→走线角度检查。（1）连通性检查：整板连通性为100%，未连接网络需确认并记录《项目设计沟通记录》中。（2）整板DRC检查：对整板DRC进行检查、修改、确认、记录。（3）Stub残端走线及过孔检查：整板检查Stub残端走线及孤立过孔并删除。（4）跨分割区域检查：检查所有分隔带区域，并对在分隔带上的阻抗线进行调整。（5）走线串扰检查：所有相邻层走线检查并调整。（6）残铜率检查：对称层需检查残铜率是否对称并进行调整。（7）走线角度检查：整板检查直角、锐角走线。

等长线处理等长线处理的步骤：检查规则设置→确定组内长线段→等长线处理→锁定等长线。（1）检查组内等长规则设置并确定组内基准线并锁定。（2）单端蛇形线同网络走线间距S≥3W，差分对蛇形线同网络走线间距≥20Mil。（3）差分线对内等长优先在不匹配端做补偿，其次在中间小凸起处理，且凸起高度＜1倍差分对内间距，长度＞3倍差分线宽，（4）差分线对内≤3.125G等长误差≤5mil，＞3.125G等长误差≤2mil。（5）DDR同组等长：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客户有要求或者芯片有特殊要求时按特殊要求。（6）优先在BGA区域之外做等长线处理。（7）有源端匹配的走线必须在靠近接收端一侧B段做等长处理，（8）有末端匹配的走线在A段做等长线处理，禁止在分支B段做等长处理（9） T型拓扑走线，优先在主干走线A段做等长处理，同网络分支走线B或C段长度＜主干线A段长度,且分支走线长度B、C段误差≤10Mil，（10） Fly-By型拓扑走线，优先在主干走线A段做等长处理，分支线B、C、D、E段长度＜500MilPCB设计中如何评估平面层数？

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。PCB设计的基础流程是什么？武汉常规PCB设计价格大全

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射频、中频电路（1）射频电路★基本概念1、射频：是电磁波按应用划分的定义,专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波，射频PCB可以定义为具有频率在30MHz至6GHz范围模拟信号的PCB。2、微带线：是一种传输线类型。由平行而不相交的带状导体和接地平面构成。微带线的结构如下图中的图1所示它是由导体条带（在基片的一边）和接地板（在基片的另一边）所构成的传输线。微带线是由介质基片，接地平板和导体条带三部分组成。在微带线中，电磁能量主要是集中在介质基片中传播的，3、屏蔽罩：是无线设备中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：当在电磁发射源和需要保护的电路之间插入一高导电性金属时，该金属会反射和吸收部分辐射电场，反射与吸收的量取决于多种不同的因素，这些因素包括辐射的频率，波长，金属本身的导电率和渗透性，以及该金属与发射源的距离。4、模块分腔的必要性：腔体内腔器件间或RF信号布线间的典型隔离度约在50－70dB，对某些敏感电路，有强烈辐射源的电路模块都要采取屏蔽或隔离措施，例如：a.接收电路前端、VCO电路的电源、环路滤波电路是敏感电路。b.发射的后级电路、功放的电路、数字信号处理电路、参考时钟和晶体振荡器是强烈的辐射源。荆州哪里的PCB设计走线

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