武汉高速PCB设计功能

时间:2023年02月27日 来源:

电源电路放置优先处理开关电源模块布局,并按器件资料要求设计。RLC放置(1)滤波电容放置滤波电容靠近管脚摆放(BGA、SOP、QFP等封装的滤波电容放置),多与BGA电源或地的两个管脚共用同一过孔。BGA封装下放置滤波电容:BGA封装过孔密集很难把所有滤波电容靠近管脚放置,优先把电源、地进行合并,且合并的管脚不能超过2个,充分利用空管脚,腾出空间,放置多的电容,可参考以下放置思路。1、1.0MM间距的BGA,滤波电容可换成圆焊盘或者8角焊盘:0402封装的电容直接放在孔与孔之间;0603封装的电容可以放在十字通道的中间;大于等于0805封装的电容放在BGA四周。2、大于1.0间距的BGA,0402滤波电容用常规的方焊盘即可,放置要求同1.0间距BGA。3、小于1.0间距的BGA,0402滤波电容只能放置在十字通道,无法靠近管脚,其它电容放置在BGA周围。储能电容封装较大,放在芯片周围,兼顾各电源管脚。PCB布局设计中布线的设计技巧。武汉高速PCB设计功能

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整体布局整体布局子流程:接口模块摆放→中心芯片模块摆放→电源模块摆放→其它器件摆放◆接口模块摆放接口模块主要包括:常见接口模块、电源接口模块、射频接口模块、板间连接器模块等。(1)常见接口模块:常用外设接口有:USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信号流向将各接口模块电路靠近其所对应的接口摆放,采用“先防护后滤波”的思路摆放接口保护器件,常用接口模块参考5典型电路设计指导。(2)电源接口模块:根据信号流向依次摆放保险丝、稳压器件和滤波器件,按照附表4-8,留足够的空间以满足载流要求。高低电压区域要留有足够间距,参考附表4-8。(3)射频接口模块:靠近射频接口摆放,留出安装屏蔽罩的间距一般为2-3mm,器件离屏蔽罩间距至少0.5mm。具体摆放参考5典型电路设计指导。(5)连接器模块:驱动芯片靠近连接器放置。湖北正规PCB设计多少钱在PCB设计中如何绘制结构特殊区域及拼板?

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绘制各禁止布局、布线、限高、亮铜、挖空、铣切、开槽、厚度削边区域大小,形状与结构图完全一致,所在层由各EDA软件确定。对以上相应区域设置如下特性:禁布区设置禁止布局、禁止布线属性;限高区域设置对应高度限制属性;亮铜区域铺相应网络属性铜皮和加SolderMask;板卡金属导轨按结构图要求铺铜皮和加SolderMask,距导轨内沿2mm范围内,禁止布线、打孔、放置器件。挖空、铣切、开槽区域周边0.5mm范围增加禁止布局、布线区域,客户有特殊要求除外。

DDRII新增特性,ODT( On Die Termination),DDR匹配放在PCB电路板上,而DDRII则把匹配直接设计到DRAM芯片内部,用来改善信号品质,这使得DDRII的拓扑结构较DDR简单,布局布线也相对较容易一些。说明:ODT(On-Die Termination)即芯片内部匹配终结,可以节省PCB面积,另一方面因为数据线的串联电阻位置很难兼顾读写两个方向的要求。而在DDR2芯片提供一个ODT引脚来控制芯片内部终结电阻的开关状态。写操作时,DDR2作为接收端,ODT引脚为高电平打开芯片内部的终结电阻,读操作时,DDR2作为发送端,ODT引脚为低电平关闭芯片内部的终结电阻。ODT允许配置的阻值包括关闭、75Ω、150Ω、50Ω四种模式。ODT功能只针对DQ\DM\DQS等信号,而地址和控制仍然需要外部端接电阻。ADC和DAC前端电路布线规则。

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SDRAM各管脚功能说明:1、CLK是由系统时钟驱动的,SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样,CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器;2、CKE为时钟使能信号,高电平时时钟有效,低电平时时钟无效,CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用,以降低功耗,CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号,低电平有效,当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽,同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效,这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML,DQMU为数据掩码信号。写数据时,当DQM为高电平时对应的写入数据无效,DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号,在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号,用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号,读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。LDO外围电路布局要求是什么?黄冈正规PCB设计销售电话

PCB设计的基础流程是什么?武汉高速PCB设计功能

DDR2模块相对于DDR内存技术(有时称为DDRI),DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力;DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准,而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准;DDR采用的是TSOP封装,而DDRII采用的是FBGA封装,相对于DDR,DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽,而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDRII可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。武汉高速PCB设计功能

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