黄石设计PCB设计功能

DDR与SDRAM信号的不同之处，1、DDR的数据信号与地址\控制信号是参考不同的时钟信号，数据信号参考DQS选通信号，地址\控制信号参考CK\CK#差分时钟信号；而SDRAM信号的数据、地址、控制信号是参考同一个时钟信号。2、数据信号参考的时钟信号即DQS信号是上升沿和下降沿都有效，即DQS信号的上升沿和下降沿都可以触发和锁存数据，而SDRAM的时钟信号只有在上升沿有效，相对而言DDR的数据速率翻倍。3、DDR的数据信号通常分成几组，如每8位数据信号加一位选通信号DQS组成一组，同一组的数据信号参考相同组里的选通信号。4、为DDRSDRAM接口同步工作示意图，数据信号与选通信号分成多组，同组内的数据信号参考同组内的选通信号；地址、控制信号参考CK\CK#差分时钟信号。PCB设计工艺的规则和技巧。黄石设计PCB设计功能

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。十堰如何PCB设计销售电话射频、中频电路的基本概念是什么？

绘制结构特殊区域及拼板（1）设置允许布局区域：回流焊传送边的宽度要求为5mm以上,传送边上不能有贴片元器件；一般使用板框长边用作回流焊传送边；短边内缩默认2mm，不小于1mm；如短边作为传送边时，宽长比＞2:3；传送边进板方向不允许有缺口；传送边中间有缺口时长度不超过传送边1/3。特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行，并记录到《项目设计沟通记录表》中。（2）设置允许布线区域：允许布线区域为从板框边缘内缩默认40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行，并记录到《项目设计沟通记录》中。（3）螺钉孔禁布区域由器件焊盘单边向外扩大1mm，特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行，并记录到《项目设计沟通记录》中。（4）PCB中Top及Bottom面各增加3个非对称的Mark点，Mark点封装由封装组提供，1mm标准Mark点外边沿距离传送边板边间距≥5mm

绘制各禁止布局、布线、限高、亮铜、挖空、铣切、开槽、厚度削边区域大小，形状与结构图完全一致，所在层由各EDA软件确定。对以上相应区域设置如下特性：禁布区设置禁止布局、禁止布线属性；限高区域设置对应高度限制属性；亮铜区域铺相应网络属性铜皮和加SolderMask；板卡金属导轨按结构图要求铺铜皮和加SolderMask，距导轨内沿2mm范围内，禁止布线、打孔、放置器件。挖空、铣切、开槽区域周边0.5mm范围增加禁止布局、布线区域，客户有特殊要求除外。在布线过程中如何添加 ICT测试点？

ADC/DAC电路：（4）隔离处理：隔离腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳，在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏蔽，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。，在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳，隔离腔体内的器件与屏蔽壳的间距＞0.5mm。如图6-1-2-4所示。腔体的周边为密封的，接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。（5）布线原则1、首先参考射频信号的处理原则。2、严格按照原理图的顺序进行ADC和DAC前端电路布线。3、空间允许的情况下，模拟信号采用包地处理，包地要间隔≥200Mil打地过孔4、ADC和DAC电源管脚比较好经过电容再到电源管脚，线宽≥20Mil，对于管脚比较细的器件，出线宽度与管脚宽度一致。5、模拟信号优先采用器件面直接走线，线宽≥10Mil，对50欧姆单端线、100欧姆差分信号要采用隔层参考，在保证阻抗的同时，以降低模拟输入信号的衰减损耗，6、不同ADC/DAC器件的采样时钟彼此之间需要做等长处理。7、当信号线必须要跨分割时，跨接点选择在跨接磁珠（或者0欧姆电阻）处。什么是模拟电源和数字电源？宜昌高效PCB设计

PCB布局布线设计规则。黄石设计PCB设计功能

SDRAM各管脚功能说明：1、CLK是由系统时钟驱动的，SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样，CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器；2、CKE为时钟使能信号，高电平时时钟有效，低电平时时钟无效，CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号，低电平有效，当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽，同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效，这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML，DQMU为数据掩码信号。写数据时，当DQM为高电平时对应的写入数据无效，DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号，在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号，用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号，读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。黄石设计PCB设计功能

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