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DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。PCB设计叠层相关方案。武汉正规PCB设计走线

布线，PCBLAYOUT在此阶段的所有布线必须符合《PCBLayout业务资料及要求》、《PCBLayout工艺参数》、《PCB加工工艺要求说明书》对整板布线约束的要求。同时也应该符合客户对过孔工艺、小线宽线距等的特殊要求，无法满足时需和客户客户沟通并记录到《设计中心沟通记录》邮件通知客户确认。布线的流程步骤如下：关键信号布线→整板布线→ICT测试点添加→电源、地处理→等长线处理→布线优化，关键信号布线关键信号布线的顺序：射频信号→中频、低频信号→时钟信号→高速信号。关键信号的布线应该遵循如下基本原则：★优先选择参考平面是地平面的信号层走线。★依照布局情况短布线。★走线间距单端线必须满足3W以上，差分线对间距必须满足20Mil以上咸宁高效PCB设计布线PCB设计中等长线处理方式技巧有哪些？

整体布局整体布局子流程：接口模块摆放→中心芯片模块摆放→电源模块摆放→其它器件摆放◆接口模块摆放接口模块主要包括：常见接口模块、电源接口模块、射频接口模块、板间连接器模块等。（1）常见接口模块：常用外设接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信号流向将各接口模块电路靠近其所对应的接口摆放，采用“先防护后滤波”的思路摆放接口保护器件，常用接口模块参考5典型电路设计指导。（2）电源接口模块：根据信号流向依次摆放保险丝、稳压器件和滤波器件，按照附表4-8，留足够的空间以满足载流要求。高低电压区域要留有足够间距，参考附表4-8。（3）射频接口模块：靠近射频接口摆放，留出安装屏蔽罩的间距一般为2-3mm，器件离屏蔽罩间距至少0.5mm。具体摆放参考5典型电路设计指导。（5）连接器模块：驱动芯片靠近连接器放置。

 DDR模块，DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”，是在SDRAM的基础上改进而来，人们习惯称为DDR，DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率，它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。（1）DDRSDRAM管脚功能说明：图6-1-5-1为512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟，DDR的所有命令信号，地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号，与SDRAM不同的是，在进行读写操作时CKE要保持为高电平，当CKE由高电平变为低电平时，器件进入断电模式（所有BANK都没有时）或自刷新模式（部分BANK时），当CKE由低电平变为高电平时，器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号，低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。PCB设计中关键信号布线方法。

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。PCB设计中IPC网表自检的方法。襄阳哪里的PCB设计销售

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ADC和DAC是数字信号和模拟信号的接口，在通信领域，射频信号转换为中频信号，中频信号经过ADC转换成数字信号，经过数字算法处理后，再送入DAC转换成中频，再进行了变频为射频信号发射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原则：优先兼顾ADC、DAC前端模拟电路，严格按照原理图电路顺序呈一字型对ADC、DAC前端模拟电路布局。2、ADC、DAC本身通道要分开，不同通道的ADC、DAC也要分开。3、ADC、DAC前端模拟电路放置在模拟区，ADC、DAC数字输出电路放置在数字区，因此，ADC、DAC器件实际上跨区放置，一般在A/D之间将模拟地和数字地相连或加磁珠处理。4、如果有多路模拟输入或者多路模拟输出的情况，在每路之间也要做地分割处理，然后在芯片处做单点接地处理。5、开关电源、时钟电路、大功率器件远离ADC、DAC器件和信号。6、时钟电路对称放置在ADC、DAC器件中间。7、发送信号通常比接收信号强很多。因此，对发送电路和接收电路必须进行隔离处理，否则微弱的接收信号会被发送电路串过来的强信号所干扰，可通过地平面进行屏蔽隔离，对ADC、DAC器件增加屏蔽罩，或者使发送电路远离接收电路，截断之间的耦合途径。武汉正规PCB设计走线

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