上海钢铁厂晶闸管智能模块

    5光控晶闸管是通过光信号控制晶闸管触发导通的器件，它具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力，因而被应用于高压直流输电(HVDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。其研制水平大约为8000V/3600A。6逆变晶闸管因具有较短的关断时间(10～15s)而主要用于中频感应加热。在逆变电路中，它已让位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其比较大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范围之内。7非对称晶闸管是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例，是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比，它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点，主要用于逆变器和整流器中。目前，国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。正高电气公司将以优质的产品，完善的服务与尊敬的用户携手并进！上海钢铁厂晶闸管智能模块

    特点：1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块既可选用风冷，也可选用水冷5、安装简单，使用维修方便典型应用：1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、如果产品装机配型不适用，可退换货给您满意贴心的服务，是我们一贯的宗旨！有10多年功率半导体元器件制造经验，是专业从事功率半导体器件的研发、封装、测试、销售、技术服务为一体的高新技术企业，多年来一直从事冶金自动化和铁路电气化领域的国产化工作。我公司的电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，软恢复快速整流管(FRD)，旋转整流管(ZX)。大功率组合整流元件，普通晶闸管(KP)，快速晶闸管(KK)，双向晶闸管(KS)，逆导晶闸管(KN)，可关断晶闸管(GTO)，电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件，各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源。上海钢铁厂晶闸管智能模块正高电气有着优质的服务质量和极高的信用等级。

    六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的最小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向比较大平均漏电电流值，一般小于100μA(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向比较大漏电电流值，一般小于100μA。

    晶闸管一般指晶体闸流管晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。中文名晶闸管外文名Thyristo目录1种类2工作原理3工作条件4工作过程5注意事项6如何保护晶闸管晶体闸流管种类编辑（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。。二）按引脚和极性分类晶体闸流管晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。。公司生产工艺得到了长足的发展，优良的品质使我们的产品畅销全国各地。

    晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2。正高电气运用高科技，不断创新为企业经营发展的宗旨。稳压模块配件

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    晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间比较大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的比较大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。上海钢铁厂晶闸管智能模块

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