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在进一步的实施例中，结合图1可得，沉降组件包括沉降管51、挤压管52、气缸53及水箱55；沉降管51安装在抽气管3上；挤压管52安装在沉降管51远离真空泵4的侧壁上、且挤压管52与沉降管51之间连通；水箱55安装在真空泵4与挤压管52中间、且水箱55与挤压管52之间连通；气缸53安装在挤压管52远离沉降管51一侧；挤压管52内设有活塞54；气缸53的伸缩轴穿过挤压管52并与活塞54连接；通过挤压活塞54，对挤压管52内的水挤压，使其喷出到沉降管51中，沉降粉尘。在进一步的实施例中，结合图1和图3可得，沉降管51远离挤压管52一侧设有出水口；出水口上设有塞盖511；挤压管52靠近沉降管51处设有第二过滤网521；当沉降管51内水过多时，打开塞盖511排出废水及粉尘，第二过滤网521用于防止粉尘进行挤压管52中污染水源。在进一步的实施例中，结合图2所示，顶盖22侧壁设有宝来利真空凸块221；第二连接套2内侧壁靠近顶盖22处设有宝来利真空凹槽21；宝来利真空凸块221嵌于宝来利真空凹槽21中；顶盖22远离镀膜机1一侧与宝来利真空凹槽21靠近抽气管3一侧通过弹簧连接；宝来利真空凸块221与宝来利真空凹槽21配合用于对顶盖22的移动方向进行限位，保证其准确的盖在出气管11口上。在进一步的实施例中。 宝来利真空镀膜设备性能稳定，膜层均匀耐磨，镍铬，有需要可以咨询！1500真空镀膜设备供应商家

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所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。本实用新型一种实施方式的真空反应腔室，其结构如图1和图2所示，包括：用于提供真空环境的外腔体10，以及位于所述外腔体10内的用于进行工艺反应的内反应腔20；所述内反应腔20的侧壁上设有自动门23，所述自动门23连接自动门控制器，工件自所述外腔体10经所述自动门23进入所述内反应腔20中。本实施方式提供的真空反应腔室，外腔室和内反应腔20为嵌套结构，其内反应腔20位于外腔室内。该结构中，相当于设置了两个腔室，其中外腔体10用于隔绝大气，提供真空环境，而内反应腔20中的区域为工艺反应区，形成相对封闭的工艺环境，相关工艺反应在内反应腔20中进行。由于采用双腔室结构，可以将工艺模块部件设置于内反应腔20中，而与工艺反应无直接关系的机械模块部件则被设置于外腔室中。经抽真空处理后，位于外腔体10中的工件再经自动门23进入内反应腔20中进行工艺反应，可以有效避免设备杂质和工件杂质进入内反应腔20中。该结构可以避免工艺环境外的污染源进入工艺反应区域。

真空镀膜设备在操作过程中，膜层不均匀的可能原因主要包括靶材与基片的距离不当、磁场设计不均匀以及乙炔引入不均匀等。具体内容如下：距离问题：靶材与待镀基片之间的距离若未优化，会影响溅射的均匀性。磁场设计问题：磁控溅射的均匀性在很大程度上依赖于磁场的设计，如果磁场分布和强度不均，则会导致膜层均匀度不佳。气体引入问题：如乙炔在反应溅射过程中引入不均，也会导致沉积膜层的质量在基片上存在差异。为了解决这些问题，可以考虑以下方案：调整靶材与基片间的距离：确保两者间距离适宜，以便改善溅射的均匀性。优化磁场设计：通过改善和优化磁场的分布及强度，提高靶材表面离子轰击的均匀性，进而提升膜层均匀度。旋转基片或靶材：在溅射过程中，改变它们的相对位置和角度，使得材料能够更均匀地分布在基片上。品质真空镀膜设备工艺成熟，请选丹阳市宝来利真空机电有限公司，有需要可以来咨询考察！

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