佛山XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保

3串锂电池保护芯片介绍,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：3串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能移动电源soc芯片 DS5136B+EPP无线充 22.5W 单串移动电源+无线充.佛山XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保

    降压型C+CA多口快充SOC  DS2730数据手册—降压型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。•过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。•过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADCADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。•过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTCNTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。•短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUSBUS输出短路时，自动关闭放电通路。 深圳XBM5773赛芯代理移动电源SOC DS6036B+EPP无线充 30W 2串移动电源+无线充.

    二级保护电路应用场景二级保护电路通常指的是在电子设备中用于防止电压过高或其他异常情况导致设备损坏的电路。以下是二级保护电路的一些常见应用场景：1.电力系统在电力系统中，过压保护电路是至关重要的。当电网中的电压突然增加时，过压保护电路可以保护发电机、变压器和其他关键设备免受过高电压的损害1。2.各种电子设备过压保护电路可以用于保护各种电子设备，如计算机、电话、电视和音频设备等，免受由于电压波动引起的损坏1。3.交通系统在交通系统中，过压保护电路可以保护号灯、电动汽车充电设备和其他交通设施免受供电电压突然升高的损害1。4.工业系统在工业系统中，过压保护电路可以在设备中使用，以保护关键部件和设备免受电压波动和过高电压的损害1。5.通信系统在通信系统中。

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。

XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片  、4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能太阳能充电管理方案芯片。广州XBM7102赛芯方案公司

3串 4串锂电池保护 /NTC/MSOP10多节锂电池保护——二级保护 XBM4X30。佛山XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。佛山XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保