XB4088电源管理IC拓微电子

时间:2024年12月02日 来源:

“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势,但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端,因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中,还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势,所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价,这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501;近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商,为了降低成本,封装时原本打金线改成打铜线,开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异,但因为成本优势很快抢占了二级市场,也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。集成了输出线补功能,从而保障了即使在重载条件下仍然可以实现稳定的电压输出。XB4088电源管理IC拓微电子

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电源管理IC广泛应用于众多领域。在消费电子领域,如手机、平板电脑、笔记本电脑等,电源管理IC确保设备在不同工作模式下的低功耗运行,延长电池续航时间。在工业控制领域,它为各类传感器、控制器等提供稳定的电源,保证系统的可靠运行。在汽车电子中,电源管理IC用于汽车的电池管理、引擎控制、车载娱乐系统等,适应汽车复杂的电源环境和严格的可靠性要求。在通信领域,基站、路由器等设备也离不开高效的电源管理IC,以保障设备的持续稳定运行和降低能耗。XB8783A电源管理IC赛芯微xysemi根据接入设备的功率请求,自动匹配极限的电压和电流输出。

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BP5301C、BP6501、BP6901、STP01、STP02、STP03、STP04、STP05、STP06、STP07、XB3001A、XB3095I2S、XB3153IS、XB3153ISF、XB3301A、XB3301AJ、XB3302A、XB3303A、XB3303G、XB3306A、XB3306BR、XB3306D、XB3306G、XB3306IFK、XB3306IR、XB3306I2R、XB4087、XB4088、XB4089、XB4008AJ、XB4090I2S、XB4092I2、XB4092J2、XB4092J2S、XB4092M2、XB4092UA2S、XB4093、XB4128A、XB4142、XB4145、XB4146、XB4148、XB4155I2S、XB4155J2S、XB4158、XB4202A、XB4302A、XB4302G、XB4321A、XB4322A、XB4345A、XB4432SKP2、XB4709I2S、XB4709J2S、XB4733A、XB4791TA、XB4851SKP、XB4902、XB4906AJL、XB4908A、XB4908AJ、XB4908AJL、XB4908GJ、XB4908I、XB4908M。

DS5136B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。DS5136B单串移动电源+MPP无线充方案(QI2.0):单串电池,C口输出22.5W功率,无线充15W(苹果15W),支持至多3口+W输出方式,支持QI2.0协议,单击按键开机并显示电量,双击按键关机进入休眠,长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换,支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。点思DS5136无线充15W带载效率高达80%。边充边放(无线充放电、适配器给移动电源充电)由电源输入功率决定,优先提供无线充15W,剩余部分提供给电池。移动电源和无线充供电共用一路升降压节约成本。我们的产品优势:效率高,温度底;可实现双C输入输出;无线充边充边放为快充;性价比高,成本优;支持在线烧录;无需外加升压芯片,可直接升压至18V。DS2730 集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器。

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锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护) 辅助信息:电池容量,产品应用 。 电池安全,首先要有保护,再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护,如:过充保护时,一级保护是充电管理,过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时,要考虑到锂电保护是二次保护的特性,锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值(不能有重合区间),锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护)VBUS 输出短路时,自动关闭放电通路。XB4345A

集成了同步开关升压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块。XB4088电源管理IC拓微电子

ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XB4088电源管理IC拓微电子

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