皮米精度激光干涉仪

(3)非接触测头以及各种扫描探针显微镜。航空航天行业对此已经提出迫切要求，这是今后坐标测量机发展的关键技术。目前接触式测头已完全被国外所垄断，非接触测头还没有发展成熟，我们有参与竞争的机遇。以前较多采用的激光三角法原理受到很多限制，难以有突破性进展，但可在原理创新上下功夫。应该突破0.1～0.5μm分辨率。

(5)新器件，新材料。过去，科研评价体系存在偏重于整机和系统，忽视材料和器件的趋向。新的突破点可能出现在新光源、新型高频探测器。目前探测器的响应频率只有10的9次方，而光频高达10的14次方，目前干涉仪实际上是起着混频器的作用，适应探测器的不足(如果探测器的响应果真能超过光频，干涉仪也就没有用了)。如果探测器的性能得到显著提高，对于通讯也是很大的突破。 激光电流以高频调幅（~MHz）。皮米精度激光干涉仪

频率影响

1 当频率自额定值偏离±10%(但对相位表和功率因数表为±2%，对单相无功功率表为±5%)时，由此所引起的仪表指示值的改变应不超过表7 中的规定值。如果在仪表上注明额定频率范围，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差都应不超过规定值。如果在仪表上除注明额定频率外，还注明有扩大的频率范围时，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差应不超过表7 中规定值的两倍。仪表辅助电路的电源，当其频率自额定值偏离±2%时，由此引起的仪表指示值的改变，应不超过表7 规定值的一半。

2 检验频率的影响时，应遵守有关规定(对频率的规定除外)，且应除去变差影响。试验是在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点分度线上进行。相位表在额定电流下进行，功率表在额定功率因数下进行。 段差激光干涉仪共焦在2000转/分时，电动机产生270Hz的振动，反过来 以345Hz放大系统谐振。

这些内容不局限于一种技术方案，而是几种不同技术方案中概括出来的共同点。如采用无导轨干涉仪，对跟踪系统的要求可以降低；采用二维精密跟踪测角系统在1M3测量范围内可以得到高精度；有了超半球反射镜可以提高4路跟踪方案的精度。在现场进行介入制造和装配不能等待很长时间，力和热变形的补偿是必须的而且需要足够快，现在的技术还有相当大的差距，所以这些进展是关键性的。应用范围：新型并行机构机床的鉴定，飞机装配型架的鉴定，大型设备安装，用于生物芯片精密机器人校准等。

波长的测量任何一个以波长为单位测量标准米尺的方法也就是以标准米尺为单位来测量波长的方法。以国际米为标准，利用干涉仪可精确测定光波波长。法布里-珀luo gan 涉仪（标准具）曾被用来确定波长的初级标准（镉红谱线波长）和几个次级波长标准，从而通过比较法确定其他光谱线的波长。检验光学元件泰曼干涉仪被普遍用来检验平板、棱镜和透镜等光学元件的质量。在泰曼干涉仪的一个光路中放置待检查的平板或棱镜，平板或棱镜的折射率或几何尺寸的任何不均匀性必将反映到干涉图样上。若在光路中放置透镜，可根据干涉图样了解由透镜造成的波面畸变，从而评估透镜的波像差。晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量。

高精度。目前半导体工艺的典型线宽为0.25μm，并正向0.18μm过渡，2009年的预测线宽是0.07μm。如果定位要求占线宽的1/3，那么就要求10nm量级的精度，而且晶片尺寸还在增大，达到300mm。这就意味着测量定位系统的精度要优于3×10的-8次方，相应的激光稳频精度应该是10的-9次方数量级。

高速度。目前加工机械的速度已经提高到1m/sec以上，上世纪80年代以前开发研制的仪器已不适应市场的需求。例如惠普公司的干涉仪市场大部分被英国Renishaw所占领，其原因是后者的速度达到了1m/sec。 更多的测量轴有助于更多的旋转参数：偏心率，表面质量， 倾斜误差和径向运动。段差激光干涉仪共焦

坐标测量机轴位置捕获。皮米精度激光干涉仪

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 皮米精度激光干涉仪

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